• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제16회 학술발표회 논문개요집
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• pp.79-80
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• 1998

• 한국통신학회논문지
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• 제27권1A호
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• pp.26-34
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• 2002

IS-95 또는 IMT-2000 등의 이동통신 시스템에서는 10~20msec 길이의 프레임 단위로 정보를 교환하게 되므로 수신측에서는 이와 같은 크기의 프레임을 저장할 버퍼가 필요하다. 연성판정 비터비 복호기를 사용할 때, 이를 위한 버퍼의 크기, 즉 한 프레임에 들어 있는 비트 수는 길쌈부호의 부호율(1 대 n), 전송속도(bps), 그리고 연성판정 비트 수에 비례하여 증가한다. 본 논문에서는 연성판정 비트 수를 4 비트에서 3 비트로 낮추면서 비터비 복호기의 성능 저하를 줄이기 위한 양자화 방법을 제안한다. 연성판정 비트 수(4,3,2,1)별로 양자화 판정 기준 점의 오프셋 크기와 양자화 간격에 대해 비터비 복호기의 성능을 AWGN 환경에서 시뮬레이션 하였고, 이를 토대로 최적의 BER 성능을 갖는 오프셋 크기와 양자화 간격을 결정하였다. 그 결과로서 4 비트 연성판정의 성능에 근접하는 3비트 연성판정 양자화 방법을 도출하였고, IS-95(4 비트)의 최대 40배의 전송속도를 지원하는 IMT-2000 시스템에 적용하였을 대 미미한 성능 손실(-0.05 dB)을 유지하면서 입력 버퍼의 크기를 3/4 배로 줄일 수 있음을 보였다. 또한, 다양한 전송속도에 따라 반복된 누산 입력신호를 제안된 비트 수로 변환하기 위한 최적 SMT(symbol metric table)를 고안하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.87.2-87.2
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• 2012

고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광 출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 및 1470 nm 인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핑용 광원 (DPSSL, 광섬유 레이저), 의료, 피부미용 (점 제거), 레이저 다이오드 디스플레이 등 가장 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. 일례로 재료가공의 경우, 레이저 용접, 레이저 인쇄, 하드디스크의 레이저 텍스쳐링 등 그 응용분야는 무수히 많으며, 최근에는 미래 성장동력 사업의 하나로 중요한 이슈가 되는 태양전지에서 에지 분리 (edge isolation), ID 마킹, 레이저 솔더링 등에서 필수불가결한 광원으로 각광받고 있다. 808 nm 대역 In(Ga)AlAs quantum dots laser diode (QDLD) 성장을 위하여 In(Ga)AlAs QD active 와 In(Ga)AlAs QD LD 성장으로 크게 분류하여 여러 가지 test 실험을 수행하였다. 우선 In(Ga)AlAs QD LD 성장에 앞서 high power LD에 적용 가능한 GaAs/AlGaAs quantum well의 성장 및 전기 측정을 수행하여 그 가능성을 보았다. In(Ga)AlAs QD active layer의 효과적인 실험 조건 조절을 위해 QD layer는 sequential mithod (ex. n x (InGaAlAs t sec + InAs t sec + As 10 sec)를 사용하였다. In(Ga)AlAs QD active layer는 성장 온도, 각 sequence 별 시간, 각 source 양, barrier 두께 조절 및 타입변형, Arsenic flux 등의 조건을 조절하여 실험하였다. 또한 위에서 선택된 몇 가지 active layer 를 이용하여 In(Ga)AlAs QD LD 성장 조건 변화를 시도하였다.

• 전자통신동향분석
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• 제38권1호
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• pp.26-35
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• 2023

Inkjet printing is a typical printing technology with many advantages, such as material cost reduction, noncontact pattern formation without a mask, and process simplification. With the recent and rapid development of ink materials, parts and equipment, and process technologies related to inkjet printing, it is becoming a major process in various areas of the display industry. In particular, for the QD-OLED (quantum dot-organic light-emitting diode) display announced by Samsung Display in 2022, quantum dot pixel production by applying inkjet printing is a key technology. We analyze inkjet printing technology for mass production applied to the display industry and discuss the technology development trends in academia and industry toward the realization of next-generation displays.

• 정보보호학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.73-80
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• 2005

본 논문에서는 일방향 해쉬함수를 이용한 일회용 n기반 양자 키 분배 프로토콜을 제안한다. 이 프로토콜은 일회용 ID를 이용하여 지정된 사용자들이 중재자와 상대방을 인증할 수 있도록 하였으며, 인증 후 남은 GHZ 상태를 이용하여 양자키를 공유할 수 있도록 고안되었다. 인증과 키 분배 과정에 중재자의 도움이 필요하지만, 인증 이후 분배되는 키에 대한 정보를 중재자에게도 노출시키지 않는다는 점에서 기존에 제안된 프로토콜과 비교하여 키의 안전성을 높였다

• 한국재료학회지
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• 제19권7호
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• pp.356-361
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• 2009

The optical characterization of self-assembled InAs/AlAs Quantum Dots(QD) grown by MBE(Molecular Beam Epitaxy) was investigated by using Photoluminescence(PL) spectroscopy. The influence of thin AlAs barrier on QDs were carried out by utilizing a pumping beam that has lower energy than that of the AlAs barrier. This provides the evidence for the tunneling of carriers from the GaAs layer, which results in a strong QD intensity compared to the GaAs at the 16 K PL spectrum. The presence of two QDs signals were found to be associated with the ground-states transitions from QDs with a bimodal size distribution made by the excitation power-dependent PL. From the temperature-dependent PL, the rapid red shift of the peak emission that was related to the QD2 from the increasing temperature was attributed to the coherence between the QDs of bimodal size distribution. A red shift of the PL peak of QDs emission and the reduction of the FWHM(Full Width at Half Maximum) were observed when the annealing temperatures ranged from 500 $^{\circ}C$ to 750 $^{\circ}C$, which indicates that the interdiffusion between the dots and the capping layer was caused by an improvement in the uniformity size of the QDs.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제27권3호
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• pp.151-155
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• 2014

We have developed quantum dot light emitting diodes (QD-LEDs) using a InP/ZnSe/ZnS multi-shell QD emission layer. The hybrid structure of organic hole transport layer/QD/organic electron transport layer was used for fabricating QD-LEDs. Poly(4-butylphenyl-diphenyl-amine) (poly-TPD) and tris[2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl]borane (3TPYMB) molecules were used as hole-transporting and electron-transporting layers, respectively. The emission, current efficiency, and driving characteristics of QD-LEDs with 50, 65 nm thick 3TPYMB layers were investigated. The QD-LED with a 50 nm thick 3TPYMB layer exhibited a maximum current efficiency of 1.3 cd/A.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.477-478
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• 2006

Characteristics of InAs/GaAs quantum dot (QD) ridge laser diodes (LDs) are investigated for high-power $1.3\;{\mu}m$ applications. For QD ridge LDs with a $5-{\mu}m$-wide stripe and a 1-mm-long cavity, the emission wavelength of 1284.1 nm, the single-uncoated-facet CW output power as high as 90 mW, the external efficiency of 0.31 W/A and the threshold current density of $800\;mA/cm^2$ are obtained. The linewidth enhancement factor ($\alpha$-factor) is successfully measured to be between 0.4 and 0.6, which are about four times as small values with respect to conventional quantum well structure. It is possible that this result significantly reduce the filamentation of far-field profiles resulting in better beam quality for high power operation.

• 정보보호학회논문지
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• 제27권5호
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• pp.1001-1011
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• 2017

격자 기반 암호는 양자 컴퓨터 공격에 대응 가능한 포스트 양자 암호 중 하나로 알려져 있다. 그 중 ring-LWE 문제는 LWE의 대수적 변종으로 벡터 대신 환(ring)의 원소를 이용한다. 포스트 양자 암호라 할지라도 실제 디바이스에 이를 적용 할 때 부채널 분석 취약점이 존재한다는 것은 이미 알려져 있다. 실제 2016년 Park 등은 Roy 등이 제안한 NTT를 이용한 ring-LWE 기반 공개키 암호시스템의 SPA 취약점을 보고했으며, Reparaz 등은 Roy 암호에 대한 DPA 공격 및 대응법을 2015년과 2016년에 제안하였다. 본 논문에서는 Roy 암호에 대하여 Park 등이 제안한 선택 암호문 SPA 공격이 NTT를 적용하지 않은 Lyubashevsky 암호의 경우에도 동일하게 적용 가능함을 보인다. 또한 선택 암호문 SPA 공격에 안전한 대응기법을 제안한고 실험적으로 안전성을 검증한다.

• 한국표면공학회지
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• 제52권1호
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• pp.1-5
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• 2019

Anodic oxidized $TiO_2$ nanotube arrays are promising materials for application in photoelectrochemical solar cells as the photoanode, because of their attractive properties including slow electron recombination rate, superior light scattering, and smooth electrolyte diffusion. However, because of the opacity of these nanotube electrodes, the back-side illumination is inevitable for the application in solar cells. Therefore, for the fabrication of solar cells with the anodic oxidized nanotube electrodes, it is required to develop efficient and transparent counter electrodes. Here, we demonstrate quantum dot-sensitized solar cells (QDSCs) based on the nanotube photoanode and transparent counter electrodes. The transparent counter electrodes based on Pt electrocatalysts were prepared by a simple thermal decomposition methods. The photovoltaic performances of QDSCs with nanotube photoanode were tested and optimized depending on the concentration of Pt precursor solutions for the preparation of counter electrodes.