This paper presents a dual-band balanced mixer using nonlinear phase characteristic of composite right/left-handed (CRLH) transmission line. This metamaterial structure provides low LO leakage and high RF to LO isolation without additional filters for LO and RF path. The balanced mixer consists of balun and Wilkinson divider with dual-band characteristic of unit-cell which behaves like a CRLH metamaterial. Experimental results are used to verify the proposed metamaterial functions. The balanced mixer design results in an operating frequency of 870 MHz and 1660 MHz with an optimum mixer conversion loss of 15.2 dB at 870 MHz and 21.2 dB at 1660 MHz.
In this paper, high LO-RF isolation 94 GHz MMIC single-balanced mixer was designed and fabricated using a branch line coupler and a ${\lambda}/4$ transmission line. The 94 GHz MMIC single-balanced mixer was designed using the 0.1 ${\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT(MHEMT) diode. The fabricated MHEMT was obtained the cut-off frequency($f_T$) of 189 GHz and the maximum oscillation frequency($f_{max}$) of 334 GHz. The designed MMIC single-balanced mixer was fabricated using 0.1 ${\mu}m$ MHEMT MMIC process. From the measurement, the conversion loss of the single-balanced mixer was 23.1 dB at an LO power of 10 dBm. The LO-RF isolations of single-balanced mixer was obtained 45.5 dB at 94.19 GHz. We obtained in this study a higher LO-RF isolation compared to some other balanced mixers in millimeter-wave frequencies.
In this paper, distributed mixer is studied at microwave frequency. The circuit of distributed mixer composed of gate 1,2, drain transmission lines, matching circuits in input and output terminal, DGFET's. For impedance matching of input and output port at higher frequency, image impedance concept is introduced. In distributed mixer, a DGFET's impedances are absorbed by artificial transmission line, this type of mixer can get a very broadband characteristics compared to that of current systems. A RF/LO signal is applied to each gate input port, and are excited the drain transmission line through transcondutance of the DGFET's. The output signals from each drain port of DGFET's added in same phases. We designed and frabricated the distributed mixer, and a conversion gain, noise figure, bandwidth, LO/RF isolation of the mixer are shown through computer simulation and experimentation.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.19
no.4
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pp.397-403
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2008
In this paper, the mixer was implemented in the non-radiative dielectric waveguide that is the main component of 60 GHz band radio telecommunications equipment which a demand increases for the purpose of point-to-point communication network. As to the manufacture of the non-radiative dielectric waveguide mixer, it was the implementation of the dielectric line combiner to be most difficult. The thing which that gives shape to the curvature which is the dielectric line determined and the to place in the exact interval thing are easy. For this reason, it was very difficult to make in order to have the regular performance in the case of the mixer having the dielectric line combiner. In this paper, since the dielectric line combiner was replaced with the waveguide directional coupler and the manufacture was possible through a processing it had the characteristic that a combiner is fixed. In result, the productivity of a mixer was innovatively improved. The design frequency of the mixer implemented through this paper RF and LO are $51{\sim}64\;GHz$. IF Is $DC{\sim}\;GHz2$. The down conversion loss toward the RF input of $60{\sim}62\;GHz$ was measured by $10{\pm}1\;dB$ in the condition that LO is 10 dBm, 60 GHz.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2003.10a
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pp.66-70
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2003
In this paper a plannar singly balanced diode Miter for 24GHz band application is designed and implemented using a microstrip line and two schottky barrier beam lead mixer diodes. The implemented mixer have a conversion loss of 6 [dB], LO/RF isolation of 23 [dB], input 1dB compression point of 4 [dBm]. this diode mixer would be useful for homedyne radar.
We have developed superconducting mixer receivers for 129 GHz VLBI observation in Korean VLBI Network(KVN). The developed mixer has a radial waveguide probe with simple transmission line LC transformer as a tuning circuit to its 5 series-connected junctions, which can have 125-165 GHz as operation RF frequency. For IF signal path a high impedance quarter-wavelength line connects the probe to one end of symmetric RF chokes. DSB receiver noise of the mixer was about 40 K over 4-6 GHz IF band whereas we achieved about uncorrected SSB noise temperature of 70 K and better than 10 dB IRR in 2SB configuration with 8-10 GHz IF band. Insert-type receiver cartridges using the mixers have been assembled for all three KVN stations. On-site performance summary in commissioning phase is presented.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.7
no.2
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pp.178-185
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1996
In this paper, a theoretical analysis of a wide band distributed mixer using a dual-gate GaAs MESFET's(DGFET) is introduced. Based on low noise mixer mode(LNM) region modeling of DGFET, variation of g/sub m/ and conversion gain are presented versus bias. The distributed mixer is composed of drain and gate transmission line, m-derived image impedance matching circuits at each input and output port, and DGFET's. Through computer simulation, wide-band characteristics of designed distributed mixer are confirmed. And, it is certificated that LO/RF isolation between gate 1 and gate 2 is obtained more than 15dB.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.15
no.8
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pp.737-743
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2004
A fixed-tuned SIS(Superconductor-Insulator-Superconductor) mixer across 120∼180 GHz band has been developed. This mixer employs an SIS chip fabricated by Nobeyama radio observatory which consists of a series array of 6 Nb/Al-Al$_2$O$_3$/Nb junctions in a microstrip line on a fused quartz substrate. The SIS chip is placed at the center of the half-height waveguide mixer mount to have a good incoming signal coupling over the whole frequency band. No mechanical tuner was used in the SIS mixer and the RF signal and local oscillator power are injected to the mixer via a cooled cross-guide coupler. In order to prevent the IF signal loss, the If output impedance of the SIS mixer was matched to the 50 $\Omega$ input impedance of the IF chain. Measured double sideband noise temperatures of a receiver using the SIS mixer are 32∼131 K over 120∼180 GHz band. The developed SIS mixer is now in use for radio astronomical observations on the TRAO 14 m radio telescope.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.44
no.11
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pp.48-53
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2007
In this paper, a high LO-RF isolation W-band MIMIC single-balanced mixer was designed and fabricated using a branch line coupler and a ${\lambda}/4$ transmission line. The W-band MIMIC single-balanced mixer was designed using the $0.1\;{\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT diode. The fabricated MHEMT was obtained the cut-off frequency($f_T$) of 154 GHz and the maximum oscillation frequency($f_{max}$) of 454 GHz. The designed MIMIC single-balanced mixer was fabricated using $0.1\;{\mu}m$ MHEMT MIMIC process. From the measurement, the conversion loss of the single-balanced mixer was 12.8 dB at an LO power of 8.6 dBm. P1 dB(1 dB compression point) of input and output were 5 dBm and -8.9 dBm, respectively. The LO-RF isolations of single-balanced mixer was obtained 37.2 dB at 94 GHz. We obtained in this study a higher LO-RF isolation compared to some other balanced mixers in millimeter-wave frequencies.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.12
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pp.1335-1340
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2003
In this paper, a single balanced diode Mixer for the homodyne FMCW radar to detect distance and velocity of a vehicle target is designed and implemented using a microstrip line and two schottky barrier beam lead diodes. This mixer is optimally designed to have less a conversion loss within the 100 MHz bandwidth with a little LO injection power and a higher LO isolation as soon as possible through the embedded electrical length of microsrtrip line placed between the coupler and diode matching, considering together LO matching condition. The measured results show 6 dB of conversion loss, 23 dB LO/RF isolation and 3 dBm of input 1l dB, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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