Shape memory alloys (SMAs) have emerged as a novel functional material that is being increasingly applied in diverse fields including medical, aeronautical and structural engineering to be used in the active, passive and semi-active structural control devices. This paper is mainly aimed at evaluating the ductility and response modification factor of the steel plate shear wall (SPSW) frames with and without the Ni-Ti shape memory alloys. To this end, different configurations were utilized, in which the walls were used in the first, third, middle, and all stories. The models were numerically analyzed using OpenSees Software. The obtained results indicate that improving the shape memory properties of alloys can greatly enhance the ductility and response modification factor. Furthermore, the model whose first and third stories are equipped with the SMA shear wall was found to be 290% more ductile, with a greater response modification factor compared to the unequipped frame.
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2020.11a
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pp.12-15
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2020
Data access characteristics can directly affect the efficiency of the system execution. This research is to design an accurate predictor by using historical memory access information, where highly accessible data can be migrated from low-speed storage (SSD/HHD) to high-speed memory (Memory/CPU Cache) in advance, thereby reducing data access latency and further improving overall performance. For this goal, we design a locally weighted linear regression prefetch scheme to cope with irregular access patterns in large graph processing applications for a DARM-PCM hybrid memory structure. By analyzing the testing result, the appropriate structural parameters can be selected, which greatly improves the cache prefetching performance, resulting in overall performance improvement.
The embedded system has less fast CPU and lower memory than PC(personal Computer) or Workstation system. Therefore embedded operating is system is designed to efficiently use the limited resource in the system. Virtual memory management or the embedded linux have a low efficiency when page fault is occurred to get a data from I/O device. Because a data is moving from the swap device to main memory. This paper suggests virtual memory compression algorithm for improving in virtual memory management and capacity of space. In this paper, we present a way to performance implement a virtual memory compression system that achieves significant improvement for the embedded system.
Objective : The effect Saenggitang (GT), which has been used for amnesia, in Oriental Medicine, on memory and learning ability, was investigated. Methods : Hot water extracts (HWE) of SGT were used for the studies. In passive avoidance performances (step through test), active avoidance performances (lever press test), Motor activity, pentobarbital-induced sleep, 20 and 50 mg/100g of SGT-HWE ameliorated the memory retrieval deficit induced by 40% ethanol. Results : The SGT-HWE did not affect the ambulatory activity of normal mice in normal condition. 20 and 50 mg/100g of SGT-HWE enhanced contextual fear memory, but not cued fear memory in a fear conditioning task, which requires the activation of the NMDA (N-methyl-D-aspartase) receptor. SGT-HWE did not affect the motor activity measured by the titling type ambulometer test performed immediately and 24 hr after the administration. SGT-HWE prolonged the sleeping time induced by 50 mg/kg pentobarbital in mice and decreased SMA (spontaneous motor activity) in active avoidance performances (lever press test). Conclusion : These results indicate that the SGT-HWE have an improving effect on the memory retrieval disability induced by ethanol and may act as a stimulating factor for activating the NMDA receptor. and the SGT-HWE has a tranquilizing and anti-anxiety action.
This study was conducted to find out the effects of Woohwangchungsimwon on learning and memory in the NOS inhibitor treated rats. The Morris water maze was used in evaluating them. The result of the study was summarized as follows. 1. In the learning test, three groups have showed a gradual improvement of learning ability by repeating the trials in Morris water maze. WHCS group have showed statistical improvement than control group at 4,5,6 trial(p<0.05, p<0.01, p<0.01). 2. In the memory test, the first latency of WHCH group was statistically shortened than that of control group(p<0.05). 3. In the memory test, there was no statistical difference in the entry number between WHCH group and control. 4. In the memory test, there was no statistical difference in the memory score between WHCH group and control. The result of this experimental study presents that Woohwangchungsimwon has the improving effect on impaired learning and memory in NOS inhibitor treated rats, and implies that Woohwangchungsimwon may be one of the useful prescription for the treatment of vascular dementia after cerebral ischemia.
In this paper, a parallel processing system is proposed for improving the processing speed of image related applications. The proposed parallel processing system is fully synchronous SIMD computer with pipelined architecture and consists of processing elements and a multi-access memory system. The multi-access memory system is made up of memory modules and a memory controller, which consists of memory module selection module, data routing module, and address calculating and routing module, to perform parallel memory accesses with the variety of types: block, horizontal, and vertical access way. Morphological filter had been applied to verify the parallel processing system and resulted in faithful processing speed.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.5
no.4
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pp.262-269
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2005
Semiconductor scientists and engineers ideally desire the faster but the cheaper non-volatile memory devices. In practice, no single device satisfies this desire because a faster device is expensive and a cheaper is slow. Therefore, in this paper, we use heterogeneous non-volatile memories and construct an efficient hierarchy for them. First, a small RAM device (e.g., MRAM, FRAM, and PRAM) is used as a write buffer of flash memory devices. Since the buffer is faster and does not have an erase operation, write can be done quickly in the buffer, making the write latency short. Also, if a write is requested to a data stored in the buffer, the write is directly processed in the buffer, reducing one write operation to flash storages. Second, we use many types of flash memories (e.g., SLC and MLC flash memories) in order to reduce the overall storage cost. Specifically, write requests are classified into two types, hot and cold, where hot data is vulnerable to be modified in the near future. Only hot data is stored in the faster SLC flash, while the cold is kept in slower MLC flash or NOR flash. The evaluation results show that the proposed hierarchy is effective at improving the access time of flash memory storages in a cost-effective manner thanks to the locality in memory accesses.
Journal of Physiology & Pathology in Korean Medicine
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v.19
no.2
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pp.434-440
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2005
This study was conducted to find out the effect of Bojungikgitanggamibang(BIT) on growth, learning and memory of rats. The effects of BIT on learning and memory performance were examined in normal or memory impaired mice by using water maze task. Memory was impaired by 192 saporin. Body weight and growth of bone and tail of sample group were not significant compared with those of control groups. Acquisition test of water maze revealed that acqusitive ability of sample group significantly improved on 4,5th day compared with control group, while retentive ability of sample group was not significant. ChAT cell numbers of medial septum of sample group was significant compared with control group, and so was those of CA1, CA2 parts of hippocampus. On ChAT cell numbers of hippocampus, in CA2 part. These results suggest that BIT has an improving effect on the impaired learning through the effects on memory registration and retrieval.
Journal of The Korean Society of Integrative Medicine
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v.1
no.3
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pp.79-95
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2013
Purpose : This study aims to investigate the effect of the Snoezelen and Rehacom programs on improvement of attention and memory, and the effect of the Snoezelen program on stress reduction. Method : This study was targeted at 11 subjects in the Snoezelen experimental group, 11 subjects in the Rehacom group and 11 subjects in the non-experimental group. As the initial evaluation, all the subjects took electroencephalography. Then, the Snoezelen group and Rehacom group did Snoezelen training and Rehacom training, respectively total 12 times(for 20 minutes twice per week for six weeks), but no training was applied to the control group. Three weeks after the training, the interim was carried out, and four weeks after the training, the final evaluation was carried out. Results : Subjects' attention increased to $58.15{\pm}4.96$ from $43.75{\pm}4.69$ during the Snoezelen training, and increased to $49.85{\pm}1.91$ from $43.28{\pm}2.71$ during the Rehacom training, which means the Snoezelen training was more effective in improving attention(P<0.05). Subjects' memory increased to $56.14{\pm}1.26$ from $43.19{\pm}3.46$ during the Snoezelen training, and increased to $50.94{\pm}4.0$ from $43.07{\pm}2.58$ during the Rehacom training. This also implies that the Snoezelen training was more effective in improving memory(P<0.05). Conclusion : Though both of the Snoezelen training and Rehacom training improved attention and memory, the Snoezelen program was more effective, and it also influenced stress resistance and physical arousal.
The multi-leveling technique that stores multiple bits in a single memory cell has significantly improved the density of NAND flash memory along with shrinking processes. However, because of the side effects of the multi-leveling technique, the average write performance of MLC NAND flash memory is degraded more than twice that of SLC NAND flash memory. In this paper, we introduce existing cross-layer optimization techniques proposed to improve the performance of MLC NAND flash-based storages, and propose a new integration technique that overcomes the limitations of existing techniques by exploiting their complementarity. By fully exploiting the performance asymmetry in MLC NAND flash devices at the flash translation layer, the proposed technique can handle many write requests with the performance of SLC NAND flash devices, thus significantly improving the performance of NAND flash-based storages. Experimental results show that the proposed technique improves performance 39% on average over individual techniques.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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