• 한국재료학회지
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• 제17권4호
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• pp.227-231
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• 2007

Transparent conducting indium tin oxide (ITO) films were deposited onto the Polyethersulfone (PES) substrate by using a magnetron sputter type negative metal ion source. In order to investigate the influence of cesium (Cs) partial pressure during deposition and annealing temperature on the optoelectrical properties of ITO/PES film the films were deposited under different Cs partial pressures and post deposition annealed under different annealing temperature from $100^{\circ}C$ to $170^{\circ}C$ for 20 min at $3\;{\times}\;10^{-1}$ Pa. Optoeleetrical properties of ITO films deposited without intentional substrate heating was influenced strongly by the Cs partial pressure and the Cs partial pressure of $1.5\;{\times}\;10^{-3}$ Pa was characterized as an optimal Cs flow condition. By increasing post-deposition vacuum annealing temperature both optical transmission in visible light region and electrical conductivity of ITO films were increased. Atomic force microscopy (AFM) micrographs showed that the surface roughness also varied with post-deposition vacuum annealing temperature.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권1호
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• pp.59-66
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• 2020

최근 휴대용 통신기기와 스마트 디스플레이의 결합은 휴대가 용이하고 이동을 하면서 모든 작업을 할 수 있다. 이에 본 논문에서는 휴대용 통신기기에서 저가격의 높은 투명전극을 찾기 위해 여러 가지 ITO(Indium Tin Oxide) 박막에 대해 연구하였다. ITO 박막은 DC 마그네트론 스펏터를 사용하였으며 1 분위기압을 1mTorr 증가 간격으로, 2 바이어스 전압은 10V 간격으로 변화시켜 측정하였다. 두께와 굴절율은 일립소미터를 사용하였으며 막의 단면과 표면의 형상은 주사전자현미경을 사용하여 조사하였다. 분석 결과를 통해 바이어스 전압이 300V 이상일 경우에 명확한 증착이 나타났으며 추가로 전압이 증가함에 따라 전체적으로 증착률이 증가하였다. 330V 조건에서 증착률이 가장 높았으며 뚜렷한 결정립이 관찰되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.450-450
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• 2006

Organic light-emitting diodes (OLED) as pixels for flat panel displays are being actively pursued because of their relatively simple structure, high brightness, and self-emitting nature [1, 2]. The top-emitting diode structure is preferred because of their geometrical advantage allowing high pixel resolution [3]. To enhance the performance of TOLEDs, it is important to deposit transparent top cathode films, such as transparent conducting oxides (TCOs), which have high transparency as well as low resistance. In this work, we report on investigation of the characteristics of an indium tin oxide (ITO) cathode electrode, which was deposited on organic films by using a radio-frequency magnetron sputtering method, for use in top-emitting organic light emitting diodes (TOLED). The cathode electrode composed of a very thin layer of Mg-Ag and an overlaying ITO film. The Mg-Ag reduces the contact resistivity and plasma damage to the underlying organic layer during the ITO sputtering process. Transfer length method (TLM) patterns were defined by the standard shadow mask for measuring specific contact resistances. The spacing between the TLM pads varied from 30 to $75\;{\mu}m$. The electrical properties of ITO as a function of the deposition and annealing conditions were investigated. The surface roughness as a function of the plasma conditions was determined by Atomic Force Microscopes (AFM).

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.33-33
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• 2000

일반적으로 GaN-based light emitting diodes(LEDs)는 Top layer위에 금속박막으로 contact을 형성하고 있으며 광소자 구성에 있어 빛은 이러한 금속 contact을 통과할 수 없다. 그러나 만약 이러한 contact이 투명전도막으로 구성될 수 있다면 보다 효율적인 광소자의 구성이 기대되어진다. 특히 GaN photodetector, GaN-based LEDs, GaN vertical cavity surface emitting lasers(VCSELs)등의 소자형성에 있어 투명전도막 contact은 매우 중요하며 그 응용에 앞서 기본적인 구조적, 전기적, 광학적 특성에 대한 연구가 반드시 선행되어져야 한다. 따라서 본 실험에서는 이러한 투명전도막으로써 Indium Tin Oxide(ITO)를 사용하였으며 박막형태의 contact으로 제조하여 n-GaN, p-GaN와 corning glass위에 e-beam evaporation법로써 제조하였다. 또한 각 n-, p-type과 corning glass위에 증착된 ITO박막의 구조적 특성을 분석하기 위하여 x-ray diffractometry(XRD)와 Auger electron spectroscopy(AES)등을 사용하였으며 전기적 특성을 측정하기 위하여 four point probe를 사용하였고 그들의 I-V 곡선을 측정하였다. 또한 UV spectrometry를 사용하여 그들의 광학적 특성을 측정하고자 하였다. ITO 박막의 제조에 있어 기판은 초음파 유기세정 후 HCl과 H2O2(1:1)의 혼합용액을 사용하여 GaO2를 제거하고자 하였으며 이후 초순수로 세척하여 사용하였다. 초기 진공도는 3$\times$10-5 Torr이하였으며 기판온도 50$0^{\circ}C$에서 0.6 /s의 증착속도로 약 2000 증착하였다. 이렇게 제조된 ITO 박막은 5$\times$10-5 Torr이하의 진공분위기에서 $600^{\circ}C$로 열처리를 실시하였으며 열처리 시간의 변화에 따른 그들의 전기적, 구조적, 광학적 특성을 측정하였다. 열처리 과정을 통한 ITO박막은 투과도는 420nm의 영역에서 80%이상을 나타내었으며 이때의 면저항은 약 50ohm/ 이었다. 또한 I-V 곡선 측정에 의한 contact특성의 측정결과 열처리 전의 ITO contact은 n-GaN와 n-GaN에 대해 각각 ohmic과 schottky contact의 일반적인 contact 특성을 나타내었다. 그러나 이러한 contact 특성은 열처리 시간의 변화에 따라 변화하는 것을 확인할 수 있었다.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제17권2호
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• pp.168-171
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• 2013

A reflective flexible display was fabricated by placing a thermochromic pigment on a polyethylene naphthalate (PEN) substrate coated with an indium tin oxide (ITO) film, and its thermo-optical characteristics were investigated. The reflective thermochromic display showed good image quality with a reflectance of approximately 65%. As a flexible display, the display showed reliability without damage to the image even after the display was bent strongly. The reflective display cell exhibits continuously the gray level according to the temperature controlled by applied voltage. This low cost display is expected be used in outdoor poster applications where information needs to be presented clearly.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.323-323
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• 2016

솔루션 공정을 이용하여 제작된 유기물 나노 입자를 포함한 유기물 나노 복합재료를 기반으로 제작한 비휘발성 메모리 소자들은 저렴한 가격, 간단한 공정, 저전력 소비의 장점으로 차세대 메모리 소자로서 많은 연구가 진행 되고 있다. 비휘발성 메모리 소자는 poly(3-hexylthiophene) (P3HT) 층과 polymethylsilsesquioxane (PMSSQ)와 graphene quantum dots (GQD)를 혼합한 층을 사용 하여 구성하였다. 세척된 indium-tin-oxide (ITO) 기판 위에 혼합된 PMSSQ/GQD를 스핀코팅 방법으로 증착한 후 열처리 하였다. Chlorobenzene 속에서 혼합된 P3HT를 스핀코팅 방법으로 증착한 후 열처리 하였다. 알루미늄 전극을 상부 전극으로 증착하였다. 제작된 소자의 300 K에서의 전류-전압을 측정 결과는 윈도우 마진이 크게 나오는 것을 알 수 있었다. 누설전류의 감소와 내구성 및 유지성에 대한 성질을 특정한 결과 소자가 안정적으로 동작하는 것을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.151.2-151.2
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• 2015

본 연구에서는 indium-tin-oxide(ITO)/1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile(HAT-CN)/N,N'-di(naphthalene-lyl)-N,N'-diphenyl-benzidine(NPB)/4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl(CBP)/2,2',2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)TPBi/tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum($Alq_3$)/LiF/Al 구조를 가진 유기 발광 다이오드 소자의 발광층에 $Ir(ppy)_3$(2% wt)을 도핑하여 소자의 특성 변화를 살펴보았다. $Ir(ppy)_3$의 두께는 5nm이고 도핑 위치는 정공 수송층과 발광층 계면의 0nm에서부터 25nm까지 5nm간격으로 도핑을 하였다. 실험 결과 소자의 효율은 도핑 위치가 정공 수송층에서 25nm떨어진 위치일 때 가장 높았고, 10nm일 때 가장 낮았다. 이는 도핑 부분의 위치가 정공 차단층에 가까워질수록 정공과 전자의 균형이 좋아지는 것이 소자 성능을 향상시키는 원인으로 추측된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.171-174
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• 2006

본 연구에서 새로 합성한 적색 도판트 Red-1을 Physical vapor Deposition (PVD) 법을 이용하여 다층구조의 유기 발광 다이오드를 제작하였다. 적층된 유기물 층으로 정공주입층은 4,4',4"-tri [2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine(2-TNATA) 정공 수송층으로4-4bis [N-(1-napthyl-N-phenyl-amino)biphenyl] (NPB)를 사용하였으며 전자 수송층은 tris (8-quinolinolato)-aluminum ($Alq_3$), 발광층에서의 host 재료로 사용한 물질은 $Alq_3$. 4,4'- N-N'-dicarba zole-biphenyl (CBP), 게스트재료는 Red-1, 정공저지층으로 2,9-dimethyl-4, 7-diphenyl -1 10-phen antroline (BCP), 전자 주입층으로는 lithiumquinolate (Liq)를 사용하여 보다 향상된 전기적, 발광특성을 보이는 소자를 제작하였다. 전하를 주입하는 전극으로 일함수가 큰 투명전극인 ITO (indium-tin-oxide)를 양전극으로, Al을 음전극으로 사용하였다. 그리하여, 발광층 내에서의 host재료 $Alq_3$와 CBP와의 energy transfer의 관점에서 그 특성을 연구하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.103-103
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• 2003

ZnO$_{1-x}$(또는 Zn$_{1+x}$O) 산화아연은 과잉의 아연(또는 oxygen vacancy)이 도우너(donor) 역할을 하는 비화학양론적 n형 산화물 반도체이다. ZnO는 높은 투과율을 가지고 온도나 주변환경에 대해 매우 안정하며, 또한 이미 상용화된 ITO (Indium tin oxide)에 비해 식각 특성이 우수하고, 수소 플라즈마에 대한 저항성이 크다는 장점 때문에 가스센서와 디스플레이용 소자 등 다양한 분야에 응용이 가능하다. ZnO 박막은 CVD, Reactive Magnetron Sputtering, Electron-beam Evaporation 등 여러 가지방법으로 제작할 수 있다. 본 연구에서는 형성된 박막의 구성성분이 타겟의 성분과 유사하고 낯은 기판온도에서도 박막이 형성되어지는 장점을 가지는 Pulsed Laser Deposition 방법을 사용하여 유리 기판위에 ZnO 박막을 형성하였다.다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.1034-1037
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• 2002

In this study, we fabricated red organic electrolu-minescent device with a doping material (DCJTB), and The cell structure used ITO:indium tin oxide $[20{\Omega}]$/CuPc:Hole injection layer 20nm/NPB: Hole transfer layer 40nm/$Alq_3$ (host) + DCJTB(1% or 3%) (guest) Emitting layer 40nm/$Alq_3$ : Electron transfer layer 30nm/Al :Cathode layer 150nm. the luminescent layer consisted of a host material. 8-hydrozyquinoline aluminum $(Alq_3)$, and DCJTB dye as the dopant. a stable red emission (chromaticity coordinates : x=0.64, y=0.36) was obtained in this cell with the luminance range of $100-600cd/m^2$. we study the electrical and optical properties of devices.