• 제목/요약/키워드: ITO (Indium Tin Oxide)

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$In_2O_3-SnO_2$ 이성분계 소결특성에 있어서 $SnO_2$ 분산성 ($SnO_2$ Dispersion of Sintered Body in $In_2O_3-SnO_2$ Binary System)

  • 전태진;박완수;조명진;김종수;김영수
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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    • pp.198-198
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    • 2006
  • SnO2가 첨가된 In2O3(ITO) sputtering 타켓은 넓은 파장영역에서의 투광성과 높은 전기전도도의 특성 때문에 여러 종류의 평판형 디스플레이 제품에 사용되고 있다. 사용된 In2O3와 SnO2 분말은 높은 순도의 금속을 사용하였으며, 공질법을 이용하여 분말을 제조하였으며, 혼합된 In2O3-SnO2 분말은 하소조건과 소결조건에 따라 특성을 평가 하였다. 본 연구의 목적인 ITO sprttering 타켓의 SnO2 분산조건은 하소 온도가 증가함에 따라 분산성이 뛰어났으며, 조사된 30wt% 에서 5wt%로 SnO2의 함량이 감소함에 따라 분산성은 향상되었다. 이러한 결과들로부터 ITO 타켓 밀도와 SnO2의 분산성은 1150C 이상에서 휘발하는 SnO2의 량에 의해 크게 영향을 받는다.

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Electrical, optical, and thermal properties of AZO co-sputtered ITO electrode for organic light emitting diodes

  • Park, Young-Seok;Kim, Han-Ki
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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    • pp.416-419
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    • 2008
  • In this study, we report on the characteristics of Aldoped ZnO (AZO) co-sputtered indium tin oxide (ITO) films prepared by dual target direct current (DC) magnetron sputtering at room temperature for organic light emitting diodes (OLEDs). The electrical and optical properties of co-sputtered IAZTO electrode were critically dependent on the DC power of AZO. Furthermore, the characteristics of co-sputtered IAZTO electrode were influenced by rapid thermal annealing temperature.

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전기저항형 금속산화물 센서의 인쇄공정 최적화에 관한 연구 (Optimization of Printing Process for the Development of Metal-oxide Resistivity Sensor)

  • 이석환;구지은;이문진;정정열;장지호
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제29권6호
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    • pp.353-358
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    • 2016
  • In this paper, we have studied about the optimum fabrication condition of the printed Indium Tin Oxide (ITO) layers for the electrical resistance-type sensor application. We have investigated on the substrates surface treatments, mixing ratio of organic binder/ITO powder, and viscosity of the printing paste to determine the optimum condition of the screen printed ITO layer. Also, we found that the printing condition is closely related with the sensor performance. To know the feasibility of printed ITO layer as an electrical resistance-type sensor, we have fabricated the ITO sensors with a printed and sputtered ITO layers. The printed ITO films revealed $10^2$ times higher sensitivity than the sputtered ITO layer. Also, the sputtered ITO layer exhibited an operating temperature of $127^{\circ}C$ at the operating voltage of 5 V. While, in case of the printed ITO layer showed the operating temperature of $27.6^{\circ}C$ in high operating voltage of 30 V. We found that the printed ITO layer is suitable for the various sensor applications.