• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.296-296
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• 2013

Supercapacitor is a capacitor with extraordinarily high energy density, which basically consists of current collector, active material and electrolyte. Ruthenium oxide ($RuO_2$) is one of the most widely studied active materials due to its high specific capacitance and good electrical conductivity. In general, it is known that the coating of $RuO_2$ on nanoarchitectured current collector shows improved performance of energy storage device compared to the coating on the planar current collector. Especially, the surface structure with standing coaxial nanopillars are most desirable since it can provide direct paths for efficient charge transport along the axial paths of each nanopillars and the inter-nanopillar spacing allows easy access of electrolyte ions. However, well-known fabrication methods for metal or metal oxide nanopillars, such as the process using anodize aluminum oxide (AAO) templates, often require long and complicated nanoprocess.In this work, we developed relatively simple method fabricating indium tin oxide (ITO) nanopillars via sputtering. We also electrodeposited $RuO_2$ nanoparticles onto these ITO nanopillars and investigated its physical and electrochemical properties.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.234-234
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• 2003

Indium tin oxide(ITO) is an advanced ceramic material with many electronic and optical applications due to its high electrical conductivity and transparency to light ITO thin films are used in transparent electrodes for display devices, transparent coatings for solar energy heat mirrors and windows films in n-p heterojunction solar cells, etc. Almost all display devices were fabricated on transparent ITO electrode substrates. There are several factors that cause decay in the efficiency and the failure of display devices. The degradation or damage of ITO is one of the main factors. Under normal operating conditions, the electric fold required for the operation of display devices is very high As a high electric field induces the joule heat, the degradation of the ITO thin film may be expected. Therefore, it is worthy to investigate the thermal and electrical effect on ITO thin films.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.295-296
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• 2015

최근 indium tin oxide (ITO)의 높은 전기 전도도 및 광투과율을 이용하여 줄 발열을 기초로 하는 투명 면상 발열체에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 하지만 단일 ITO박막으로 제작한 투명 면상 발열체는 다양한 문제점들을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 단일 ITO박막을 이용한 투명 면상 발열체의 단점을 보완하기 위하여 하이브리드 구조 투명 면상 발열체를 제작하여 금속 삽입층의 두께에 따른 전기전도도, 광투과율, 면 발열성능을 평가 하였다. 그 결과 하이브리드 구조의 투명 면상발열체의 발열량, 온도 균일성 등이 기존의 단일 ITO 박막의 투명 면상 발열체보다 효율이 크게 향상 된 것을 확일 할 수 있었다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.41 no.11
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• pp.575-580
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• 1997

Benzyl viologen was synthesized and the electrochromic properties was examined. At an applied voltage of 2.6 V the electrocoloration was appeared but electrooptical response abruptly decreased after a certain period of time. It was a cause that the quality of the ITO film was degraded, e.g. the conductivity of the ITO film reduced from the original value. The ITO surfaces under some different conditions were observed by XRD and SEM.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.404-405
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• 2007

Tin-doped indium thin film is outstanding material among transparent Conductive Oxide (TCO) materials. ITO thin films show a low electrical resistance(<$10^{-4}\;[{\Omega}{\cdot}m]$) and high transmittance(>80%) in the visible range. ITO thin films usually have been deposited on the glass substrate. In order to apply flexible display, the substrate should have the ability to bend and be deposited without substrate heat. Also properties of ITO thin film depend on what kind of substrate. In this study, we prepared ITO thin film on the polycarbonate (PC) substrate by using Facing Target Sputtering (FTS) system. Before deposition of ITO thin film, PC substrate took plasma surface treatment. The electrical and surface properties of as-deposited thin films were investigated by Hall Effect measurement, UV/VIS spectrometer and the surface property of substrate is investigated by Contact angle measurement.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.18 no.5
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• pp.506-510
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• 2007

Vacuum deposited 4,4',4''-tris(N-(1-naphthyl)-N-phenylamino)-triphenylamine (1-TNATA), a widely-used semiconductor material, is placed as a thin interlayer between indium tin oxide (ITO) electrode and a hole transporting layer (HTL) in OLEDs and a well-stacked 1-TNATA layer leads to stable and high efficiency devices by reducing the carrier injection barrier at the interface between the ITO anode and hole transport layers. According to Raman spectra, thermal annealing after deposition as well as electromagnetic field treatment during deposition lead to closer stacking of 1-TNATA molecules and resulted in molecular ordering. By thermal annealing at about $110^{\circ}C$, an increase in current flow through the film by over 25% was observed. Molecularly-ordered 1-TNATA films played an important role in achieving higher luminance efficiency as well as higher power efficiency of the multi-layered organic EL devices in the present work. Electromagnetic field treatment during deposition was less effective compared to thermal annealing

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2009.10a
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• pp.910-912
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• 2009

투명전극은 비저항이 $1{\times}10^{-3}{\Omega}/cm$이하, 면저항이 $10^3{\Omega}/sq$이하로 전기전도성이 우수하고 380에서 780nm의 가시광선 영역에서의 투과율이 80%이상이라는 두 가지 성질을 만족시키는 박막이다. 기존의 평판디스플레이의 경우, 금속 산화물 투명전극이 진공 증착 공정을 통해 도포된 유리기판상의 각 화소를 포토리소그래피 공정으로 제조된 박막트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)로 제어함으로써 화상을 구현한다. 본 연구에서는 스퍼터링 진공 증착 장치를 이용하여 투명 도전막(ITO: Indium Tin Oxide)을 제작하고 제작된 ITO 박막의 광 및 전기 그리고 물성적 특성을 조사하여 최상의 공정 조건을 확립하였다. a-Si:H 박막위에 형성되는 ITo 박막은 a-Si:H 박막의 특성상 온도 및 스퍼터링 전력에 대한 연구가 주요 문제이다. 본 실험에서는 $In_2O_3:SnO_2$의 조성비는 90:10 wt% 인 타겟의 특성이 우수하였고, $Ar:O_2$의 분압비는 100:1 및 42:8 의 조건이 적당하였으며, 온도는 $200^{\circ}C$ 가장 우수한 특성을 얻을 수 있었다. $200^{\circ}C$ 는 비정질 실리콘의 성능에 좋은 영향을 미치는 온도이며, 알려진 것과 같이 $23^{\circ}C$ 즉 실온의 경우에 비해 막의 균질성 및 특성이 우수 한 것을 알 수 있었다. 본 연구에서 제작한 박막은 광 투과도가 90% 이상, 비저항이 $300{\mu}{\Omega}cm$ 이하의 특성을 갖게되어 이미지센서, 태양전지, 액정 텔레비젼등 빛의 통과와 전도성등 두가지 특성에 동시에 만족 될만한 성능을 가질 수 있음을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.249-249
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• 2011

투명전도성산화물(transparent conducting oxides, TCOs) 박막은 전기 전도성과 광투과성이 우수하여 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED), 태양전지(solar cell), 발광다이오드(LED) 등의 광전자 소자에 널리 응용되고 있다. 특히 LED에서 p-GaN층에서 전류가 층안에서 충분하게 확산되지 않기 때문에, TCO는 균일하게 전류를 흘려보내기 위해서 전류확산층(current spreading layer)으로 사용된다. 그 중 널리 쓰이는 산화인듐주석(indium tin oxide, ITO)은 고가의 indium가격과 인체에 유해한 독성 등이 문제점으로 지적되고 있다. 따라서 indium의 함량을 저감하거나 함유하지 않은 새로운 조성의 친환경적 대체 TCO 개발에 대한 연구가 많이 진행되고 있다. 이러한 반도체 재료 중 하나인 AZO (Al-doped zinc oxide, Al2O3 : 2wt.%)는 3.3 eV의 넓은 에너지 밴드갭을 가지며, 가시광선 및 근적외선 파장영역에서 높은 투과율을 나타낸다. 따라서 본 연구에서는 GaN기반 LED 응용을 위한 전류확산층으로 ITO 대신 AZO의 특성을 연구하였다. 박막 증착율이 높고, 제작과정의 조정이 용이한 RF magnetron 스퍼터를 이용하여 glass기판 위에 AZO, Ni/AZO, NiOx/AZO를 증착하였다. 이어서 $N_2$ 분위기에서 다양한 온도 조건에서 열처리(rapid thermal annealing, RTA)하여 전기적 광학적 특성에 대하여 비교 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.07b
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• pp.988-991
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• 2002

ITO (Indium Tin Oxide) powder was synthesized by precipitation method. ITO colloidal solutions for coating on glass were fabricated by ball milling method. ITO colloidal solution with variation of concentration from 2% to 15% were fabricated ITO thin film measured sheet resistance and transmittance. In the result, 15% sol showed the lowest value of sheet resistance, 2% sol showed the highest value of transmittance. In addition, effect of annealing temperature and $SiO_2$ film were investigated.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.252-252
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• 2014

투명전극 제조에 이용되고 있는 진공기반 ITO공정의 제조 단가를 줄이기 위하여 용액 기반의 투명전극 제조 기술에 대한 연구를 수행 하였다. 용액공정을 수행하기 위하여 ITO 나노입자를 이용한 잉크를 제조하고 이를 잉크젯 인쇄공정에 적용하여 ITO 투명전극을 제조하였다. 열처리 온도에 따른 전기적 광학적 특성에 대한 분석을 진행하였다. 전기적 물성의 극대화를 위해 Ag metal grid를 인쇄공정을 통해 제작하고 용액기반 ITO 박막과 융합화(hybridization) 시켰다. Ag metal grid의 line width를 최소화 하기 위하여 전기수력학 방식의 잉크젯 시스템을 사용하여 metal grid를 형성하였고 Ag metal grid는 약 10um의 선폭을 가졌다. 인쇄된 Ag-grid/ITO 박막의 경우 550 nm파장에서(Ag grid pitch: 500 um기준) 약88%의 투과도를 보이며 저항이 $5{\Omega}/{\square}$ 이하의 특성을 나타내었다.