• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.289-289
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• 2012

Molecular beam epitaxy 방법으로 성장시킨 AlGaAs/GaAs 다중 양자 우물 구조에 대한 라만 산란 연구를 보고한다. InAs 양자점이 성장된 Si 기판 위에 각기 다른 온도에서 두께 약 1 ${\mu}m$의 GaAs 층을 두 단계로 성장시킨 후 그 위에 AlGaAs/GaAs 다중 양자 우물 구조를 성장시켰다. AlGaAs/GaAs 다중 양자 우물 구조의 광학적 특성에 영향을 주는 GaAs 층의 변형력(stress)의 변화를 알기 위해서 시료의 측면으로부터 공간 분해된 라만 산란 실험을 수행하였다. 라만 산란 실험으로부터 AlGaAs/GaAs 다중 양자 우물 구조가 지니는 모든 종류의 광학 포논을 관측하였으며, 두 단계로 성장시킨 GaAs 층에서의 변형력이 Si 기판으로부터 멀어질수록 성장조건의 변화에 따라서 다르게 전개된다는 것을 파악하였다.

• Proceedings of The Korean Society of Health Promotion Conference
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• 2007.11a
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• pp.60-60
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• 2007

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2012.10a
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• pp.485-486
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• 2012

• 대한예방의학회:학술대회논문집
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• 2005.10a
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• pp.490-490
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• 2005

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.02a
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• pp.126-126
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• 2007

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.02a
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• pp.127-127
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• 2007

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.02a
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• pp.129-129
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• 2007

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2005.02a
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• pp.87-87
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• 2005

• 대한치주과학회:학술대회논문집
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• 2007.11a
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• pp.113-114
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• 2007

• 대한방사선방어학회:학술대회논문집
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• 2011.11a
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• pp.250-251
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• 2011