• Korean Chemical Engineering Research
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• 제49권5호
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• pp.600-604
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• 2011

본 연구에서는 박막 트랜지스터(TFTs)에 사용 가능한 Indium Gallium 산화물(IGO) 박막을 스핀코팅을 이용한 화학적 용액공정을 사용하여 $SiO_2$/Si 기판 위에 증착시켰다. 또한 IGO 박막을 증착한 후에 이루어지는 열처리 온도가 박막의 결정화에 미치는 영향과 이들의 전기적 특성이 조사되었다. 스핀코팅법에 의한 IGO 박막을 증착하기 위해 사용된 In과 Ga의 비율은 2:1로 고정하였으며, 박막의 열처리 온도는 $300{\sim}600^{\circ}C$의 범위에서 변화시켰다. 공기 중에서 $300^{\circ}C$와 $600^{\circ}C$에서 1시간 동안 열처리한 IGO 박막을 사용하여 제조한 박막 트랜지스터의 전류 이동도(field effect mobility)는 각각 0.34와 3.83 $cm^2/V{\cdot}s$로서 양호한 전자소자의 성능을 보였다. 또한 on/off 전류비(current ratio)는 $10^5$ 이상이었으며, IGO 박막의 평균 투과율은 98%이었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.192-192
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• 2013

본 연구에서는 RF/DC 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여co-sputtering 방법으로 성장시킨 고이동도를 갖는Ge-doped $In_2O_3$In2O3 (IGO) 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성을 평가하고, 이를 유기태양전지와 유기발광다이오드에 적용함으로써 고이동도 IGO 투명전극의 소자 적용가능성을 타진하였다. GeO2 타겟에 인가되는 도핑 Power와 급속열처리 온도가 30 W, $500^{\circ}C$일 때, 최적화 된 IGO 박막으로부터 $2.8{\times}10^{-4}$ Ohm-cm의 낮은 비저항과 86.9% (550 nm)의 높은 투과도를 확보하였다. 뿐만 아니라 Near Infra-red (750~1,200 nm) 영역에서의 IGO투명전극의 광투과율이 결정질의 ITO보다 높은(약15%) 투과도를 보이는 것을 통해 IGO박막의 높은 LAS (Lewis Acid Strength) 값을 가지는 Ge 원소의 도핑이 NIR 영역의 광투과율 향상에 미치는 영향을 확인할 수 있었다. 최적 조건의 IGO 박막을 적용하여 Fill Factor 67.38%, Short circuit current density 8.43 mA/cm2, open circuit voltage 0.60 V, efficiency 3.44%의 유기태양전지 및 19.24%의 외부양자효율을 갖는 유기발광다이오드를 제작함으로써 결정질 ITO 전극(20.05%)을 대체할 수 있는 고투과, 고이동도 IGO 투명 전극 및 이를 이용한 광전소자 적용 가능성을 타진하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.265.2-265.2
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• 2016

Oxide thin film transistors (TFTs) have attracted considerable interest for gate diver and pixel switching devices of the active matrix (AM) liquid crystal display (LCD) and organic light emitting diode (OLED) display because of their high field effect mobility, transparency in visible light region, and low temperature processing below $300^{\circ}C$. Recently, oxide TFTs with polycrystalline In-Ga-O(IGO) channel layer reported by Ebata. et. al. showed a amazing field effect mobility of $39.1cm^2/Vs$. The reason having high field effect mobility of IGO TFTs is because $In_2O_3$ has a bixbyite structure in which linear chains of edge sharing InO6 octahedral are isotropic. In this work, we investigated the characteristics and the effects of oxygen partial pressure significantly changed the IGO thin-films and IGO TFTs transfer characteristics. IGO thin-film were fabricated by rf-magnetron sputtering with different oxygen partial pressure ($O_2/(Ar+O_2)$, $Po_2$)ratios. IGO thin film Varies depending on the oxygen partial pressure of 0.1%, 1%, 3%, 5%, 10% have been some significant changes in the electrical characteristics. Also the IGO TFTs VTH value conspicuously shifted in the positive direction, from -8 to 11V as the $Po_2$ increased from 1% to 10%. At $Po_2$ was 5%, IGO TFTs showed a high drain current on/off ratio of ${\sim}10^8$, a field-effect mobility of $84cm^2/Vs$, a threshold voltage of 1.5V, and a subthreshold slpe(SS) of 0.2V/decade from log(IDS) vs VGS.

• 디지털융복합연구
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• 제12권9호
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• pp.445-454
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• 2014

청소년의 인터넷 게임 과몰입이 정신건강에 부정적 영향을 미친다는 주장이 제기되어 왔다. 특히, 높은 자살률은 우리사회의 심각한 정신건강의 문제로 알려져 있다. 본 연구는 청소년의 인터넷 게임 과몰입이 자살생각에 미치는 영향과, 그 두 변수 사이에서 우울감이 가지는 매개효과를 검증함으로써, 인터넷 게임 과몰입, 우울감과 자살생각 간의 관계를 조사하고자 하였다. 이를 위해 한국청소년정책연구원의 2012년 한국 아동 청소년 정신건강 실태조사연구(N=8,745)를 분석하였다. 주요 분석 결과로는 첫째, 척도의 위험성 기준으로 볼 때 약 5.6%의 청소년이 위험군에 속하는 것으로 발견되었다. 둘째, 두 변인의 관계만을 고려하였을 때, 청소년의 인터넷 게임 과몰입이 자살생각에 유의미한 영향을 주는 것으로 발견되었다. 셋째, 그러나, 인터넷 게임 과몰입과 자살생각 사이에서 우울감이 완전매개효과를 가져, 인터넷 게임 과몰입은 우울감을 증가시킴으로써 자살생각을 증가시키는 관계를 가지는 것으로 분석되었다. 실천적 함의로서, 청소년의 인터넷 게임 과몰입과 정신건강 문제에 개입함의 필요성을 논의하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2009년도 창립 20주년기념 특별학술발표회
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• pp.270-271
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• 2009

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.169.1-169.1
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• 2015

최근 디스플레이 기술은 급속도로 발전해 가고 있다. 디스플레이 산업의 눈부신 성장에 발맞추어 초고화질, 초고선명, 고속 구동 및 대형화 등을 포함하는 최신 기술의 디스플레이 구동이 필요하다. 이러한 요구사항을 만족하기 위해서는 각 픽셀에 영상정보를 기입하는 충전시간을 급격히 감소시켜야 하고 따라서 픽셀 트랜지스터(TFT)의 이동도는 급격히 증가해야 한다. 따라서 차세대 디스플레이 실현을 위해서 고이동도 특성을 구현 할 수 있는 신물질의 개발이 매우 중요하다. 현재 산화물박막트랜지스터는 차세대 디스플레이 실현을 위해 가장 주목받고 있으며, 실제로 산화물박막 트랜지스터의 핵심소재인 In-Ga-Zn-O(a-IGZO) 산화물의 경우 국내외에서 디스플레이에 적용되어 생산이 시작되고있다. 그러나 a-IGZO 산화물의 경우 이동도가 $5-10cm^2V{\cdot}s$ 수준이어서 향후 개발 되어질 초고해상도/고속구동 디스플레이 실현(이동도 $50cm^2V{\cdot}s$)에는 한계가 있다. 따라서 본 연구에서는 이를 해결 할 수 있는 'post-IGZO' 개발을 위해 In2O3에 Ga2O3를 조성별로 고용시켜 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성 및 TFT를 제작하여 특성 연구를 진행하였다. 조성은 In2O3에 Ga2O3를 7.5%~15% 도핑 하였으며, Sputtering을 이용하여 indium gallium oxide(IGO) 박막을 제작하였다. 박막은 상온 및 $300^{\circ}C$에서 증착 하였으며 증착 된 IGO 박막은 Ga=12.5% 까지는 In2O3에 Ga이 모두 고용되어 cubic In2O3 poly crystalline을 나타내는 것을 확인하였으며 Ga=15%에서 Gallium 관련 2차상이 확인되었다. Ga양이 변화함에 따라 박막의 전기적 특성이 조절 가능하였으며 이를 이용하여 IGO 박막을 30 nm 두께로 증착 하여 IGO 박막을 channel layer로 사용하는 bottom gate structured TFTs를 제작 하였다. IGO TFTs는 Ga=10%에서 on/off ratio ${\sim}10^8$, 그리고 field-effect mobility $84.8cm^2/V{\cdot}S$를 나타내며 초고화질, 초고선명 차세대 디스플레이 적용 가능성을 보여 준다.

• International Journal of Computer Science & Network Security
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• 제21권6호
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• pp.54-60
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• 2021

Monte-Carlo GO is a computer GO program that is sufficiently competent without using knowledge expressions of IGO. Although it is computationally intensive, the computational complexity can be reduced by properly pruning the IGO game tree. Here, I achieve this by using a potential model based on the knowledge expressions of IGO. The potential model treats GO stones as potentials. A specific potential distribution on the GO board results from a unique arrangement of stones on the board. Pruning using the potential model categorizes legal moves into effective and ineffective moves in accordance with the potential threshold. Here, certain pruning strategies based on potentials and potential gradients are experimentally evaluated. For different-sized boards, including an official-sized board, the effects of pruning strategies are evaluated in terms of their robustness. I successfully demonstrate pruning using a potential model to reduce the computational complexity of GO as well as the robustness of this effect across different-sized boards.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.154-154
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• 2013

In this work, we investigated the characteristics and the effects of light on the negative gate bias stress stability (NBS) in high mobility polycrystalline IGO TFTs. IGO TFT showed a high drain current on/off ratio of ${\sim}10^9$, a field-effect mobility of $114cm^2/Vs$, a threshold voltage of -4V, and a subthresholdslpe(SS) of 0.28V/decade from log($I_{DS}$) vs $V_{GS}$. IGO TFTs showed large negative $V_{TH}$ shift(17V) at light power of $5mW/cm^2$ with negative gate bias stress of -10V for 10000seconds, at a fixed drain voltage ($V_{DS}$) of 0.5V.

• 대한한의학원전학회지
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• 제22권2호
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• pp.101-105
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• 2009

Wanghogo(王好古), a famous physician of the Geum-Won(金元) period, inherited the theories of Jangwonso(張元素) and Igo(李古), and made great contribution to the spread of the medical theory of the Yeoksu school(易水學派). In Korea, studies on Wanghogo(王好古) is growing, but that on his life is still undeveloped. The year of his birth and death, as proposed by Wangwaljeong of the Cheong(淸) dynasty, was around 1200 and 1264. However, through thorough examination of the records and context along with the relation between Wanghogo(王好古) and his teacher Igo(李古)'s works, the author finds that Wanghogo(王好古) was born around the year of 1230, and died around 1308.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2007년도 추계학술발표대회 및
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• pp.76.2-76.2
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• 2007