• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.303-303
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• 2010

비정질 실리콘 박막 태양전지의 수광부인 i-layer는 비정질의 특성 상 많은 defect을 함유하고 있다. 이러한 defect들은 빛에 의하여 생성된 전자정공 재결합에 있어서 주도적으로 작용하게 된다. $H_2$는 이러한 defect들의 생성을 줄여주어 박막의 특성을 향상시켜주는 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 비정질 박막 태양전지의 수광부로 사용되어지는 i-layer의 $H_2$ gas flow rate의 변화에 따른 태양전지의 특성을 simulation해 보았다. $H_2$는 1:0에 1:5까지 변화시켰고 그에 따른 태양전지의 QE, LIV, DIV 곡선을 통하여 특성을 알아보았다. 또한 추가적으로 i-layer의 두께에 따른 효율의 변화도 simulation해 보았다.

• 전자공학회논문지
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• 제51권12호
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• pp.189-194
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• 2014

본 연구에서는 새로운 구조의 X선 영상 검출기로써 광민감 $HgI_2$ 층이 포함된 CsI:Na 형광층의 구조를 설계하였다. 이러한 구조에서 X선은 두꺼운 CsI:Na 층에서 가시광선으로 변환된 후 하부의 얇은 $HgI_2$ 층에서 전하로 변환된다. CsI:Na와 $HgI_2$로 구성된 복합구조의 두께를 최적화하기 각 층의 두께를 변화시켜 X선에 대한 흡수효율을 시뮬레이션 하였다. 현재 상용화된 a-Se 단일층의 검출기는 수십 kV의 고전압이 요구되고, CsI:Na/a-Si 구조의 간접변환 방식은 낮은 변환효율을 가지는 단점이 있다. 본 연구의 결과로 제시된 새로운 형태의 CsI:Na/$HgI_2$ 복층 구조의 x-ray 검출기는 고전압이 필요한 직접 변환방식의 단점과 간접 변환방식의 낮은 효율을 보완할 수 있을 것으로 생각된다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.204-204
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• 2003

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권8호
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• pp.15-23
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• 1998

Single crystalline I $n_{x}$G $a_{1-x}$ N thin film was grwon by MOCVD on (001) sapphire substrate for the blue light emitting devices. A good quality of I $n_{0.13}$G $a_{0.87}$N/GaN heterostructure grwon above 700.deg. C was confiremed by various characterization techniques of AFM, RHEED and DC-XRD. Through PL measurement at room temperautre for the Si-Zn co-doped I $n_{x}$G $a_{a-x}$N/GaN structure grwon at 800.deg. C to obtain blue wavelength emission, 460-470 nm and 425 nm emission peak were observed, which are believed to be from donor-to-acceptor pair transition and band edge emission of In/x/G $a_{1-x}$ N, respectively. The result of PL measurement of the undoped MQW I $n_{x}$G $a_{1-x}$ N layer at low temperature confirmed that the strong MQW peak was resulted by exciton from the GAN barrier and carrier of DA pair confined into the well layer.ll layer.yer.r.

• 한국잠사곤충학회지
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• 제31권1호
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• pp.20-24
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• 1989

7개 누에 품종으로 이면교잡하여 42개의 조합의 F1, F2세대에 대한 양적형질의 잡종강세와 약세현상을 검정한 결과는 다음과 같다. 잡종강세가 대체로 높은 형질은 견사량이 F1, F2세대의 I·II집단에서 15.57-38.69%, 단견중과 견층중은 F1, F2세대의 I·II집단에서 각각 11.29-21.65%, 7.44-23.73%로 정의 유의인데 반하여 5령경과와 연감율은 F1, F2세대의 I·II집단에서 각각 -0.57--6.62%, -1.74--6.06%의 부로 유의하였다. 단견중, 견층중, 견사장, 견사량 등의 수량적 형질은 F1세대가 F2세대보다 또 교배 I집단이 교배 II집단보다 높은 강세를 보였다. 큰 친에 대한 Heterobeltiosis는 단견중이 F1세대의 I·II집단에서, 견사량이 F1세대의 I집단에서 각각 정으로 유의하였고, 5령경과, 견층비율, 연감율은 F1, F2세대의 I·II집단에서 각각 부로 유의하였다. Inbreeding depression현상은 견층비율과 연감율이 교배 I·II에서 유의하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제34권8A호
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• pp.640-647
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• 2009

IEEE 802.11i에서는 기존의 802.11a,b,g가 가지고 있던 보안상 문제점을 보완하기 위해서 RSNA(Robust Security Network Association)를 새로이 규정하고 있다. RSNA에서는 기존의 데이터 암호화를 위한 WEP(Wired Equivalent Privacy)을 대신하여 좀 더 견고한 데이터 암호화를 위하여 TKIP(Temporal Key Integrity Protocol)와 CCMP(Counter with CBC-MAC Protocol)를 사용하고 있다. 본 논문에서는 WEP, TKIP, CCMP의 암.복호 엔진을 설계하여 IEEE 802.11i를 지원하는 MAC Layer를 설계, 구현 하였다. WEP은 기존의 IEEE 802.11 legacy MAC과의 호환성을 보장하기 위하여 구성되었고, TKIP와 CCMP는 IEEE 802.11i에서 규정한 데이터 보안을 보장한다. 본 논문의 CCMP 블록은 동작 주파수 134MHz에서 최대 816.7Mbps의 데이터의 처리속도를 가짐으로써 802.11n의 성능을 보장 한다. 또한 2단 파이프 라인 구조를 가지는 AES 구조를 제안하여 CCMP에서의 동작 모드인 CBC 모드와 CTR 모드를 1개의 AES 코어에서 처리하도록 하여 적은 면적의 하드웨어를 가지도록 하였다.

• 한국재료학회지
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• 제22권4호
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• pp.190-194
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• 2012

The formation of high-quality polycrystalline silicon (poly-Si) on relatively low cost substrate has been an important issue in the development of thin film solar cells. Poly-Si seed layers were fabricated by an inverse aluminum-induced crystallization (I-AIC) process and the properties of the resulting layer were characterized. The I-AIC process has an advantage of being able to continue the epitaxial growth without an Al layer removing process. An amorphous Si precursor layer was deposited on Corning glass substrates by RF magnetron sputtering system with Ar plasma. Then, Al thin film was deposited by thermal evaporation. An $SiO_2$ diffusion barrier layer was formed between Si and Al layers to control the surface orientation of seed layer. The crystallinity of the poly-Si seed layer was analyzed by Raman spectroscopy and x-ray diffraction (XRD). The grain size and orientation of the poly-Si seed layer were determined by electron back scattering diffraction (EBSD) method. The prepared poly-Si seed layer showed high volume fraction of crystalline Si and <100> orientation. The diffusion barrier layer and processing temperature significantly affected the grain size and orientation of the poly Si seed layer. The shorter oxidation time and lower processing temperature led to a better orientation of the poly-Si seed layer. This study presents the formation mechanism of a poly seed layer by inverse aluminum-induced crystallization.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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• pp.995-997
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• 2005

A plastic substrate for flexible display is developed. The gas barrier and optical properties of the substrate is improved through depositing silicon oxide/nitride layer and coating polymer layer on plastic film by sputtering process and wet coating process. Roll to roll processes will guarantee the productivity in the whole production process of the plastic substrate.

• 한국지능시스템학회:학술대회논문집
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• 한국퍼지및지능시스템학회 1998년도 The Third Asian Fuzzy Systems Symposium
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• pp.352-357
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• 1998

Conventional marketing research generally focuses on a single layer's benefit. A notable example is the consumer layer providing managers with partial market information to evaluate relevant strategies. As generally known, marketing management encounters complex supply and demand behaviors, thereby necessitation that a successful marketing strategy adopt multi-layer considerations, such as the consumer layer, channel-retailer layer, and marketing planner layer. In light of above situation, this study applies fuzzy theory and the analytic hierarchy process(AHP) technique to analyze the performances of marketing strategies under multi-layer benefits, In addition, conventional marketing research has difficulty in efficiently allocating the limited budget so that each desired criterion can be significantly enhanced by a group of events. Therefore, a weighting structure among the goal, layers, criteria, and strategies(i.e. a group of events) is also developed herein to trace the influential process and assist marketing managers in efficiently allocating resources(i.e.budget).

• 센서학회지
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• 제8권5호
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• pp.421-426
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• 1999

본 논문에서는 반절연성 GaAs(semi-insulating GaAs) 기판위에 $Al_2O_3$ 절연막이 게이트 절연막으로 이용된 공핍형모드 p-채널 GaAs MOSFET (depletion mode p-channel GaAs MOSFET)를 제조하였다. 반절연성 GaAs 기판위에 $1\;{\mu}m$의 GaAs 버퍼층(buffer layer), $4000\;{\AA}$의 p형 GaAs 에피층(epi-layer), $500\;{\AA}$의 AlAs층, 그리고 $50\;{\AA}$의 캡층(cap layer)을 차례로 성장시키고 습식열산화시켰으며, 이를 통하여 AlAs층은 완전히 $Al_2O_3$층으로 산화되었다. 제조된 MOSFET의 I-V, $g_m$, breakdown특성 측정을 통하여 AlAs/GaAs epilayer/S I GaAs 구조의 습식열산화는 공핍형 모드 p-채널 GaAs MOSFET를 구현하기에 적합함을 알 수 있다.