Nanowire-based field-effect transistors (FETs) decorated with nanoparticles have been greatly paid attention as nonvolatile memory devices of next generation due to their excellent transportation ability of charge carriers in the channel and outstanding capability of charge trapping in the floating gate. In this work, top-gate single ZnO nanowire-based FETs with and without Au nanoparticles were fabricated and their memory effects were characterized. Using thermal evaporation and rapid thermal annealing processes, Au nanoparticles were formed on an $Al_2O_3$ layer which was semi cylindrically coated on a single ZnO nanowire. The family of $I_{DS}-V_{GS}$ curves for the double sweep of the gate voltage at $V_{DS}$ = 1 V was obtained. The device decorated with nanoparticles shows giant hysterisis loops with ${\Delta}V_{th}$ = 2 V, indicating a significant charge storage effect. Note that the hysterisis loops are clockwise which result from the tunneling of the charge carriers from the nanowire into the nanoparticles. On the other hand, the device without nanoparticles shows a negligible countclockwise hysterisis loop which reveals that the influence of oxide trap charges or mobile ions is negligible. Therefore, the charge storage effect mainly comes from the nanoparticles decorated on the nanowire, which obviously demonstrates that the top-gate single ZnO nanowire-based FETs decorated with Au nanoparticles are the good candidate for the application in the nonvolatile memory devices of next generation.
In this paper, we introduced Silicon Oxynitride films deposited by Laser CVD, and evaluated the electrical breakdown of these films by TZDB(Time Zero Dielectric Breakdown) and TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown) test. In addition, high frequency C-V test was done in order to calculate hysterisis and flatband voltage(before and after electric field stress). Failure times against eletric field are examined and electric field accelation factor $\beta$ are obtained, and long term reliability was also described by extrapolating into life time in the operating voltage(5V). In this experiments, the deposited films with increased temperature represented small flatband voltage, hysterisis and favorable breakdown characteristics, this is why the hydrogen in the film was decreased and the film was densified, long term reliability was good in the laser CVD SiON films.
This paper presents the design process and characteristic test results of tension sensors for measuring the ultimate tension forces of surgical wires. Three types of sensor were designed and tested for calibration. The first two types which transfer the wire tension to the sensing element by direct contact have too much hysterisis errors due to the firctional effect. This error can be considerably reduced in the modified structure, where a cover and a loading button is used to transfer force and moment to the sensing element. The strains predicted by theoretical equations agree well with those by finite element calculations neglecting friction and the strains by finite element analysis considering friction are in good agreement with those measured by four strain gages. The modified ring type tension sensor developed in this paper is expected to be useful for measuring the tension of surgical wires with nonlinearity of 1.31%FS, hysterisis of 5.74%FS and repeatability of 0.19%FS.
The mean grain size of sample decreases with increasing the addition of $Al_2O_3$ in the basic composition of YIG. It is mean that the addition of $Al_2O_3$ is helpless the development of magnetic properties in YIG garnet, considering the relation of ${\mu}{\propto}D^{1/3}$. To increase addition of $Al_2O_3$ decreased the area of hysterisis loop. It is known that the addition of $Al_2O_3$ is help the development of magnetic properties in YIG garnet, considering the relation of loss component factor and the area of hysterisis loop. As a results, sample with the addition of $Al_2O_3$ 0.5 mol % among the fabricated samples is must effective in the magnetic properties of YIG Garnet.
An experimental study is presented for the characteristics of the high temperature superconductor as an application of the repulsive type magnetic bearing. A ring shaped YBCO type superconductor and Neodium permanent magnets are employed for the experiment. For the case of field cooling, superconductor shows strong repulsive force, which is due to the Meissner effect, as the gap between the superconductor and the magnet gets closer. The repulsive force variation with respect to the gap change shows hysterisis characteristics. The area of the loop of the hysterisis curve represents the dissipation of energy, which reveals that the magnetic bearing with superconductor has large damping. The effect of the initial gap and the magnetic flux density on the repulsive force is analyzed experimentally and the static stiffness variation is calculated from the measured repulsive force variation. The relative sliding velocity between the superconductor and the magnet has little effect on the repulsive force which is quite different from the usual sliding element bearing. As the initial gap for the field cooling becomes larger, the maximum repulsive force at the minimum gap increases and approaches to the value for the case of zero field cooling.
Adhesive contact characteristics of torus-shaped bumps, which are commonly used to reduce friction and stiction in hard disks, are analyzed to examine the applicability to the MEMS structure. The analysis is conducted with the finite element technique considering the adhesive force. Torus-shaped bumps of various rim and bump radii are analyzed. The jump-to-contact behavior, adhesion hysterisis, pull-off forces, contact region and pressure, and surface and subsurface stresses are presented and discussed. Analysis results in the absence of adhesive force are also presented to identify the effect of adhesive force.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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pp.101-104
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2005
Recently, competition between LC modes for LC TVs becomes high. In this paper, status of each mode is briefly reviewed with commenting on its electro-optic characteristics and possible application fields. Further, to understand effects of carbon nanotubes (CNTs) dispersed in nematic liquid crystal on electro-optic characteristic and orientation of the LC, CNT-doped NLC cells are made and evaluated. The hysterisis studies of voltage-dependent capacitance show that the amount of residual dc is greatly reduced due to ion trapping by CNTS.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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