Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.20
no.11
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pp.3666-3675
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1996
A new hardware temperature compensation method for hot-wire anemometer is investigated and an analog compensating circuit is proposed in this article. A photoconductive cell is introduced here as a variable resistor in the anemometer bridge and the linearized output of a thermistor is used to monitor the input of the photoconductive cell. In contrast with the conventional method, any type of temperature sensor can be used for compensation if once the output of thermometer varies linearly with temperature. So the present technique can diversify the compensating means from a conventional passive compensating resistance to currently available thermometers. Because the resistance of a photoconductive cell can be set precisely by adopting a stabilizing circuit whose operation is based on the integration function of the operational amplifier, the accuracy of compensation can be enhanced. As an example of linearized thermometer, thermistor sensor whose output is linearized by a series resistor was used to monitor the fluid temperature variation. Validation experiment is conducted in the temperature ranged from 30 deg. C to 60 deg. C and the velocity up to 40 m/s. It is found that the present technique can be adopted as a compensating circuit for anemometer and hot-wire type airflow meter.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.20
no.1
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pp.295-303
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1996
A new temperature compensation technique for hot-wire anemometer is proposed in this article. In contrast to the available compensation techniques, a photoconductive cell is introduced here as a variable resistor in the bridge. The major advantage of adopting an active component such as photoconductive cell is that temperature compensation can be achieved by using any kind of temperature sensors, once the output of temperature sensor is given as a voltage. Thereby, the temperature compensation can be made automatically and intelligently by a computer software or a hardware device. Validation experiments using a photoconductive cell with a thermocouple-thermometer are conducted in the temperature range from 3$0^{\circ}C$ to 5$0^{\circ}C$ and the velocity ranges from 8 m/s to 18 m/s.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.28
no.5
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pp.510-517
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2004
A fine hot-wire is used both as a heating element and a temperature sensor in transient hot-wire method. The traditional sensor system is unnecessarily big so that it takes large fluid volume to measure the thermal conductivity. To dramatically reduce this fluid volume, a new sensor fabrication and a data processing method are proposed in this article. Contrast to the conventional and most popular two wire sensor, the new sensor system is made up of divided multiple long and short wires. Through validation experiments, it is found that the measured thermal conductivities of the glycerin are exactly same each other between the conventional and proposed new method. Also some technical considerations in arranging the multiple wires are briefly discussed.
A fine hot-wire is used both as a heating element and a temperature sensor in transient hot-wire method. The traditional sensor system is unnecessarily big so that it takes large fluid volume to measure the thermal conductivity. To dramatically reduce this fluid volume, a new sensor fabrication and a data processing method are proposed in this article. Contrast to the conventional and most popular two wire sensor, the new sensor system is made up of divided multiple long and short wires. Through validation experiments, it is found that the measured thermal conductivities of the glycerin are exactly same each other between the conventional and proposed new method. Also some technical considerations in arranging the multiple wires are briefly discussed.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.05b
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pp.66-69
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2002
This paper presents deposition and characterizations of microcrystalline silicon$({\mu}c-Si:H)$ films prepared by hot wire chemical vapor deposition at substrate temperature below $300^{\circ}C$. The $SiH_{4}$ concentration$[F(SiH_{4})/F(SiH_{4})+F(H_{2})]$ is critical parameter for the formation of Si films with microcrystalline phase. At 6% of silane concentration, deposited intrinsic ${\mu}c-Si:H$ films shows sufficiently low dark conductivity and high photo sensitivity for solar cell applications. P-type ${\mu}c-Si:H$ films deposited by Hot-Wire CVD also shows good electrical properties by varying the rate of $B_{2}H_{6}$ to $SiH_{4}$ gas. The solar cells with structure of Al/nip ${\mu}c-Si:H$/TCO/glass was fabricated with single chamber Hot-Wire CVD. About 3% solar efficiency was obtained and applicability of HWCVD for thin film solar cells was proven in this research.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.387-390
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2002
This paper presents deposition and characterizations of microcrystalline silicon(${\mu}$c-Si:H) films prepared by hot wire chemical vapor deposition at substrate temperature below 300$^{\circ}C$. The SiH$_4$ concentration[F(SiH$_4$)/F(SiH$_4$).+(H$_2$)] is critical parameter for the formation of Si films with microcrystalline phase. At 6% of silane concentration, deposited intrinsic ${\mu}$c-Si:H films shows sufficiently low dark conductivity and high photo sensitivity for solar cell applications. P-type ${\mu}$c-S:H films deposited by Hot-Wire CVD also shows good electrical properties by varying the rate of B$_2$H$\_$6/ to SiH$_4$ gas. The solar cells with structure of Al/nip ${\mu}$c-Si:H/TCO/g1ass was fabricated with single chamber Hot-Wire CVD. About 3% solar efficiency was obtained and applicability of HWCVD for thin film solar cells was proven in this research.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.19
no.10
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pp.2678-2689
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1995
In this study, a new hot-wire anemometer which has greater sensitivity than that of a constant temperature anemometer (CTA) was proposed. In contrast to CTA, the wire working resistance of the new anemometer increases with flow velocity, that is, the operating mode of the wire becomes variable temperature. The variable temperature anemometer(VTA) was made by substituting a voltage controlled variable resistor such as photoconductive cell or transistor for one of the resistors in the bridge. By positively feeding back the bridge top signal to the input side of these electronic components, the wire overheat ratio could be increased with velocity automatically. Static response analyses of the VTA, constant voltage anemometer (CVA) and CTA were made in detail and calibration experiments were performed to validate the proposed operating principle. The wire operating resistance of the CVA decreases with velocity and this leads to lower sensitivity than that of a CTA. But the sensitivity of the newly proposed VTA is superior to that of a CTA, since the wire overheat ratio increases with velocity. Consequently, it is found that the major factor that is responsible for large sensitivity of a VTA is not the working resistance itself but the change of the wire working resistance with velocity.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07b
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pp.1034-1037
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2003
Microcrystalline silicon(c-Si:H) thin-film solar cells are prepared with intrinsic Si-layer by hot wire CVD. The operating parameters of solar cells are strongly affected by the filament temperature ($T_f$) during intrinsic layer. Jsc and efficiency abruptly decreases with elevated $T_f$ to $1400^{\circ}C$. This deterioration of solar cell parameters are resulted from increase of crystalline volume fraction and corresponding defect density at high $T_f$. The heater temperature ($T_h$) are also critical parameter that controls device operations. Solar cells prepared at low $T_h$ ($<200^{\circ}C$) shows a similar operating properties with devices prepared at high $T_f$, i.e. low Jsc, Voc and efficiency. The origins for this result, however, are different with that of inferior device performances at high $T_f$. In addition the phase transition of the silicon films occurs at different silane concentration (SC) by varying filament temperature, by which highest efficiency with SC varies with $T_f$.
See Hee Hwang;Seung Ah Ur;Yo Han Noh;Jae Hyeong Lee
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.37
no.6
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pp.614-618
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2024
MBB (multi-busbar) technology is a module technology to achieve high power, and the use of a number of thin circular metal wires increases light-receiving capacity and reduces resistance. In the process of interconnection using a wire, the stress of the cell increases depending on the degree of coupling between the wire and the cell and the degree of damage caused by heat, or the mobility of current decreases due to poor bonding. The degree of such loss is affected by IR lamp, hot plate temperature and wire thickness. In addition, the values of contact resistance were compared and analyzed to analyze the cause of the decrease in electrical characteristics. In this study, process condition optimization was carried out through peeling test, SEM analysis, EL test, and pre/post bonding efficiency characteristic analysis of the bonded cell according to process conditions, compared the contact resistance.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.22
no.2
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pp.153-161
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1998
This study describes the results of the analysis of measured rotating stall signal in a centrifugal compressor with vaneless diffuser. Unsteady flow and rotating stall in vaneless diffuser were investigated by measuring of unsteady velocity fluctuation using hot-wire anemometer. Experiments were carried out in several impeller rotating speeds, at different radius ratios. Single hot -wire was used to study the characteristics of rotating stall. As a result, the abrupt rotating stall was detected at all measured impeller rotating speeds and the several flow coefficients which are less than 0.16. The number of the stall cell was one at all measured rotational speeds, and the rotating direction was the same as that of the impeller. As the flow rate decreased, the profile of the phase averaged radial velocity component with time changed from a sawtooth to a sine wave.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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