Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers
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v.4
no.4
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pp.42-49
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1995
It is not clearly known how defects or inclusions of a low carbon steel affect a fatigue strength. We study this issue using SM15C materials. The investigation is carried out by a quantitative evaluation, and experimental findings are: (1) a fatigue limit of A series smooth specimen is 205MPa, and that of B, C, D series is 245MPa, 304MPa and 245MPa, respectively. (2) the fatigue limit varies with respects to the stress distribution I the vicinity of a defects and crack. (3) the micro hole creates a half-circular shape crack, while the hole depth is not critical to the fatigue strength, (4) considering the fatigue strength, the hole diameter is more significant than the hole depth, and (5) Fatigue limit of artificially defected specimen is lower than that of a flawless one (5-10%), however, there exist allowance size and depth of defect which don't get to influence at fatigue limit.
Park, Chang-Hee;Lee, Kwang-Sei;Kim, Jeong-Bae;Kim, Jae-Hyung
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.6
no.6
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pp.280-283
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2005
The moving photocarrier grating (MPG) technique for the determination of the carrier mobilities and the recombination lifetime of $\alpha$-Se:As films has been studied. The electron and hole drift mobility and the recombination lifetime of $\alpha$-Se films with arsenic (As) additions have been obtained from measurement of the short circuit current density $j_{sc}$ as a function of grating velocity and spatial period. The hole mobility decreases due to defect density of hole traps when x exceeds 0.003, whereas the hole mobility increases for the case of low As addition (x$\le$0.003). We have found an increase in hole drift mobility and recombination lifetime, especially when As with (x = 0.003) is added into the $\alpha$-Se film.
Transition metal dichalcogenides (TMD), which is composed of a transition metal atom and chalcogen ion atoms, usually form vacancies based on the knock-on threshold of each atom. In particular, when electron beam is irradiated on a monolayer TMD such as MoS2 and WS2, S vacancies are formed preferentially, and they are aligned linearly to constitute line defects. And then, a hole is formed at the point where the successively formed line defects collide, and metal clusters are also formed at the edge of the hole. This study reports a process in which the line defects formed in a monolayer WS2 sheet expends into holes. Here, the process in which the W cluster, which always occurs at the edge of the formed hole, goes through a uniform intermediate phase is explained based on the line defects and the formation behavior of the hole. Further investigation confirms the atomic structure of the intermediate phase using annular dark field scanning transition electron microscopy (ADF-STEM) and image simulation.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.23
no.11
s.170
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pp.1922-1928
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1999
Rotary bending fatigue tests were carried out to investigate the influence of artificial defects on fatigue limit in annealed and austempered ductile iron. Obtained main results are as follows : (1) Artificial defect(micro hole type, dia.<0.4 mm) on specimen surface did not bring about a obvious reduction of fatigue limit in austempered ductile iron(ADI) as compared with annealed ductile iron. (2) According to the investigation of $\sqrt{area}_c$ which is the critical defect size to crack initiation at artificial defect, $\sqrt{area}_c$ of ADI is larger than that of annealed ductile iron. This shows that the situation of crack initiation at artificial defect in ADI is more difficult in comparison with annealed ductile iron. (3) One of the reasons for the low rate of crack initiation from artificial defect in ADI is that the resistance of matrix to crack initiation is higher than that of annealed ductile iron. (4) In case that the $\sqrt{area}$ of artificial defect and graphite nodule is the same, the rate of crack initiation from graphite nodule is higher than that from artificial defect. This reason is that the serious ruggedness around graphite nodule is formed by austempering treatment.
The effects of the melt stoichiometry on the concentration of electron and hole traps formed by intrinsic defects of LEC GaAs were studied employing DLTS measurement technique. The concentration of EL2 were varied from $10^{16}cm^{-3}$ to $10^{11}cm^{-3}$ when the arsenic atomic fraction in the melt ([As]/{[As]+[Ga]} varied from 0.5 to 0.42. Specifically, when the fraction falls below 0.46, the 띠2 concentration start to decrease sharply. For 68meV and 77/200meV traps, their concentration increase inversely with the arsenic atomic fraction and have the values in the range of TEX>$10^{15}cm^{-3}$ and $10^{14}cm^{-3}$, respectively. It is, therefore, concluded that these hole traps originated from the intrinsic acceptor defects including $GS^{AS}$.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.11
no.4
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pp.267-273
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1998
The band structures of $Si_{1-x}Ge_x$ layers grown on $Si_{1-y}Ge_y$ substrate are calculated using k$\cdot$p and strain Hamiltonians. The hole drift mobilities in the plane direction are then calculated by taking into account the screening effect and the density-of-states of the impurity band. When $Si_{1-x}Ge_x$ is grown on Si substrate, the mobilities of (110) and (111) $Si_{1-x}Ge_x$ layers are larger than that of (001) $Si_{1-x}Ge_x$. However, due to the large defect and surface scattering, (110) and (111) $Si_{1-x}Ge_x$ layers may not be useful for the development of the fast device. Meanwhile, when Si is grown on $Si_{1-y}Ge_y$ substrate, the mobilities of (001) and (110) Si layers are greatly enhanced. Based on the amount of defect and the surface scattering, it is expected that Si grown on (001) $Si_{1-y}Ge_y$ substrate, where the Ge contents is larger than 10%(y>0.1), has the highest mobility.
This study proposes the analysis and evaluation method of time series ultrasonic signal using the attractor analysis. Features extracted from time series signal analyze quantitatively characteristics of weld defects. For this purpose, analysis objective in this study is fractal dimension and attractor quadrant feature. Trajectory changes in the attractor indicated a substantial difference in fractal characteristics resulting from distance shifts such as parts of head and flange even though the types of defects are identified. These differences in characteristics of weld defects enables the evaluation of unique characteristics of defects in the weld zone. In quantitative fractal feature extraction, feature values of 3.848 in the case of part of head(crack) and 4.102 in the case of part of web(side hole) and 3.711 in the case of part of flange(crack) were proposed on the basis of fractal dimensions. Proposed attractor feature extraction in this study can enhance the precision rate of ultrasonic evaluation for defect signals of rail weld zone such as side hole and crack.
In sheet metal forming process using press and draw die some defect can be made because of the high pressure of air pocket between draw die and the product. The purpose of this study is to develop a program to decide an optimal combination of air vent hole size and number to prevent those defect on product. The air inside air pocket is considered as ideal gas and the compression and expansion is assumed as isentropic process. The mass flow is computed in two flow condition: unchocked and chocked condition. The present computation obtains required cross-sectional area of air vent hole for not exceeding the user specified pressure such as the pressure for yielding strength of the product or the pressure for unchocked flow. To validate the program the present results are compared with the results of other researchers and commercial CFD code.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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1992.04a
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pp.79-83
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1992
According to the variation of hydrostatic pressure on the central axis of deformable material, the V-shaped central bursting defect may be created on extrusion or drawing processes. The process factors whichaffect the generation of defects are die semi-angle, reduction ratio of cross-sectional area, friction factor, material properties and so on. The combination of these factors can determine the prossibility of defect creation and the shape of various round holes which have been created inside already. By the rigid plastic finite element method, this paper describes the observations of change in shape of a round hole with process conditions suchas die semi-angle, reduction ratio of cross-sectional area and friction factorat the unsteady state of axi-symmetrical extrusion process when the round hole is alreadyexisted inside the original billet, and also, the effects of process factors are investigated to prevent the possible defects.
This study proposes the analysis and evaluation method of time series ultrasonic signal using the attractor analysis. Features extracted from time series signal analyze quantitatively characteristics of weld defects. For this purpose, analysis objective in this study is fractal dimension and attractor quadrant feature. Trajectory changes in the attractor indicated a substantial difference in fractal characteristics resulting from distance shifts such as parts of head and flange even though the types of defects are identified. These difference in characteristics of weld defects enables the evaluation of unique characteristics of defects in the weld zone. In quantitative fractal feature extraction, feature values of 3.848 in the case of part of head(crack) and 4.102 in the case of part of web(side hole) and 3.711 in the case of part of flange(crack) were proposed on the basis of fractal dimensions. Proposed attractor analysis and DAC in this study can enhance the precision rate of ultrasonic evaluation for defect signals of rail weld zone such as side hole and crack.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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