한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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pp.1722-1725
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2007
We will discuss and compare the different ways to manufacture high performance Barix coated barrier films as a substrate for displays: R2R vs Batch. It will be shown that the barrier performance of the Barix coating on plastic can be as good as on glass substrates. More then 1000 hrs of testing at 60C/90RH can be passed without degradation of Ca samples
고차단성 필름(Barrier films)은 문화재의 안전한 보존환경을 조성하기 위해 산소와 수분을 차단하는 수단으로 사용되고 있다. 1990년대부터 사용된 고차단성 필름 중 가장 대중적으로 사용해 온 제품은 일본 M 社의 E 필름을 들 수 있다. 그러나 수입품으로서 비교적 고가의 가격대를 형성하며 구성 재질의 특성과 보존환경 제어 체계에 대한 정보가 부족한 실정임에도 관련 연구나 유사 제품군의 비교가 미진했다고 볼 수 있다. 근간 국산 고차단성 필름의 제조 기술력은 첨단산업분야의 발달과 더불어 향상되어 왔기 때문에 제품별 특성을 파악하여 문화재 보존환경 제어에 적합한 필름을 찾고자 하였다. 비교 제품군으로 일본 M 사(社)의 E필름과 함께 국내에서 제작된 전자제품 포장용 필름, 실험을 위해 특수 제조한 필름, Zipper bag 형태의 필름 등 총 5종의 필름을 선정하였다. 실험은 필름의 단면, 재질별 두께, 인장강도 및 연신율, 자외·가시광 흡광도, 황변도, 산소 및 수증기 투과도를 측정하여 물성과 기체 차단력을 비교하였고 이를 바탕으로 온·습도 재현실험을 통해 실사용 시 외부 환경과 사용 기간에 따른 변화를 관찰하였다. 그 결과, 실험에 사용된 국산 고차단성 필름은 문화재 밀폐 포장용으로 적용이 가능하고 Zipper bag 형태의 P 필름은 문화재 보관 용도에 적절하지 않았다. 또한 재현실험을 바탕으로 각 필름의 밀폐 포장 시 적정 사용 기간을 검토하였다.
Moisture sorption characteristics of edible composite films were determined and compared against moisture barrier properties. Edible composite films were Z1 (zein film with polyethylene glycol(PEG) and glycerol), Z2 (zein film with oleic acid), ZA1 (zein-coated high amylose corn starch film with PEG and glycerol), and ZA2 (zein-coated high amylose corn starch film with oleic acid). Z2 film showed the lowest equilibrium moisture content (EMC), monolayer value ($W_m$), water vapor permeability (WVP), and water solubility (WS). Surface structure of Z2 was relatively denser and finer than that of other edible films. GAB $W_m$ and C values decreased, while K values increased with increasing temperature. Correlation coefficients of WS:EMC and WVP:EMC at Aw 0.75 were higher than those of WS: $W_m$ and WVP: $W_m$, respectively. EMC values at Aw 0.75 appeared useful for evaluating or predicting moisture barrier properties of edible films.
Journal of information and communication convergence engineering
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제16권4호
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pp.248-251
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2018
To research the characteristics of $TiO_2$ as an insulator, $TiO_2$ films were prepared with various annealing temperatures. It was researched the currents of $TiO_2$ films with Schottky barriers in accordance with the contact's properties. The potential barrier depends on the Schottky barrier and the current decreases with increasing the potential barrier of $TiO_2$ thin film. The current of $TiO_2$ film annealed at $110^{\circ}C$ was the lowest and the carrier density was decreased and the resistivity was increased with increasing the hall mobility. The Schottky contact is an important factor to become semiconductor device, the potential barrier is proportional to the hall mobility, and the hall mobility increased with increasing the potential barrier and became more insulator properties. The reason of having the high mobility in the thin films in spite of the lowest carrier concentration is that the conduction mechanism in the thin films is due to the band-to-band tunneling phenomenon of electrons.
본 연구는 curdlan 복합필름을 제조하고 물성을 비교하기 위해 수행되었다. 우선 low set 방식과 high set 방식 중 적절한 방식을 선정하였고, 순차적으로 AMG나 oleic acid 중에서 적절한 방습소재를 선정하였으며, PB와 PIB 중에서 적절한 물성개량제를 선정하고자 하였다. 그 결과 high set 필름이 low set 필름보다 신장율은 다소 작지만 인장강도가 높고 수증기 투과도가 낮기 때문에 curdlan 복합필름 제조에는 high set 방법이 더 적합하며 이때 PEG는 2.0g 첨가하는 것이 유리할 것으로 판단하였다. 또한 oleic acid 첨가군이 AMG 첨가군보다 인장강도와 신장율이 더 크고, 수증기투과도는 더 낮은 편이며 특히 oleic acid 0.3g 첨가한 경우 신장율과 수증기 차단성 면에서 유리하므로 방습소재로서 oleic acid를 0.3g 첨가하는 것이 적합할 것을 판단하였다. PIB 첨가군이나 PB 첨가군 모두 인장강도와 수증기투과도는 비슷하나 신장율의 경우는 PIB 첨가군이 PB 첨가군보다 더 큰 것으로 나타났으므로 유연성과 관련된 물성개량 측면에서는 PIB 첨가가 더 유리할 것으로 판단하였다. 종합적으로 curdlan에 가소제 PEG와 방습소재 oleic acid와 물성개량제 PIB를 첨가하는 것이 유연성과 관련된 물성 면에서 가장 유리할 것으로 판단하였다.
이번 연구에서는 식품 포장재로 많이 활용하고 있는 산소 고차단성 필름 두 종류의 환경 영향을 평가하는 것이었다. Table 4의 경우 환경 영향 모델에 따라 계산된 Traditional film과 New film의 각 환경 영향 범주 별 비교 값 및 이러한 차이를 보인 가장 영향력 있는 공정을 설명하였다.
In this study, the influences of silicon-based gas barrier films fabricated by using a facing target sputtering(FTS) system on the gas permeability for flexible displays have been investigated. Under these optimum conditions on the $SiO_x$ film with oxygen concentration($O_2/Ar+O_2$) of 3.3% and the $SiO_xN_y$ film with nitrogen concentration($N_2/Ar+O_2+N_2$) of 30% deposited by the FTS system, it was found that the films were grown about 4 times higher deposition rate than that of the conventional sputtering system and showed high transmittance about 85% in the visible light range. Particularly, the polyethylene naphthalate(PEN) substrates with the $SiO_x$ and/or $SiO_xN_y$ films showed the enhanced properties of decreased water vapor transmission rate (WVTR) over $10^{-1}\;g/m^2{\cdot}day$ compared with the PEN substrate without any gas barrier films, which was due to high packing density in the Si-based films with high plasma density by FTS process and/or the denser chemical structure of Si-N bond in the $SiO_xN_y$ film.
Currently, the flash memory and the dynamic random access memory (DRAM) have been used in a variety of applications. However, the downsizing of devices and the increasing density of recording medias are now in progress. So there are many demands for development of new semiconductor memory for next generation. Magnetic random access memory (MRAM) is one of the prospective semiconductor memories with excellent features including non-volatility, fast access time, unlimited read/write endurance, low operating voltage, and high storage density. MRAM is composed of magnetic tunnel junction (MTJ) stack and complementary metal-oxide semiconductor (CMOS). The MTJ stack consists of various magnetic materials, metals, and a tunneling barrier layer. Recently, MgO thin films have attracted a great attention as the prominent candidates for a tunneling barrier layer in the MTJ stack instead of the conventional Al2O3 films, because it has low Gibbs energy, low dielectric constant and high tunneling magnetoresistance value. For the successful etching of high density MRAM, the etching characteristics of MgO thin films as a tunneling barrier layer should be developed. In this study, the etch characteristics of MgO thin films have been investigated in various gas mixes using an inductively coupled plasma reactive ion etching (ICPRIE). The Cl2/Ar, CH3OH/Ar, and CH4/Ar gas mix were employed to find an optimized etching gas for MgO thin film etching. TiN thin films were employed as a hard mask to increase the etch selectivity. The etch rates were obtained using surface profilometer and etch profiles were observed by using the field emission scanning electron microscopy (FESEM).
고밀도 폴리에틸렌(High density polyethylene, HDPE)을 수분에 민감한 전기전자제품, 의약품 등을 위한 하이배리어 패키징 소재로써 적용하기 위해서 높은 가로세로비(High aspect ratio)를 가진 Exfoliated graphite (이하 EFG)를 필러로 도입하였다. 또한, 효과적인 분산성과 혼화성을 위해서 상용화제를 첨가하여 HDPE/EFG 나노복합필름을 제조하였다. HDPE/EFG 나노복합필름의 EFG 함량에 따른 화학적 특성, 모폴로지(Morphology), 열적 특성 및 수분차단 특성을 조사하였다. HDPE와 EFG 사이에 화학적 결합이나 상호작용이 약하지만, EFG를 첨가함에 따라 수증기 투과도는 127에서 78 (70 ${\mu}m{\cdot}g/m^2$, $day{\cdot}atm$)까지 감소되었다. 특히, HDPE/EFG 나노복합필름은 EFG의 함량이 0.5%일 때 가장 효과적이며, 그 이상의 함량에서는 물성이 향상되지 않았다. 따라서, 물성의 극대화를 위해서는 EFG의 분산성 향상 및 HDPE와 EFG의 화학적 결합 등의 혼화성 개선에 관한 추가적인 연구가 필요하다.
To apply PDP panel, Soda lime glass(SLG) is cheeper than Non-alkali glass and PD-200 glass but has problems such as low strain temperature and ion diffusion by alkali metal oxide. In this paper suggest the methode that prohibits ion diffusion by deposing barrier layer on SLG. Indium thin oxide(ITO) thin films and barrier layers were prepared on SLG substrate by Rf-magnetron sputtering. These films show a high electrical resistivity and rough uniformity as compared with PD-200 glass due to the alkali ion from the SLG on diffuse to the ITO film by the heat treatment. However these properties can be improved by introducing a barrier layer of $SiO_2\;or\;Al_2O_3$ between ITO film and SLG substrate. The characteristics of films were examined by the 4-point probe, SEM, UV-VIS spectrometer, and X-ray diffraction. GDS analysis confirmed that barrier layer inhibited Na and Ka ion diffusion from SLG. Especially ITO films deposited on the $Al_2O_3$ barrier layer had higher properties than those deposited on the $SiO_2$ barrier layer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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