• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
• /
• pp.363-363
• /
• 2008

The development of dry etching process for sapphire wafer with plasma has been key issues for the opto-electric devices. The challenges are increasing control and obtaining low plasma induced-damage because an unwanted scattering of radiation is caused by the spatial disorder of pattern and variation of surface roughness. The plasma-induced damages during plasma etching process can be classified as impurity contamination of residual etch products or bonding disruption in lattice due to charged particle bombardment. Therefor, fine pattern technology with low damaged etching process and high etch rate are urgently needed. Until now, there are a lot of reports on the etching of sapphire wafer with using $Cl_2$/Ar, $BCl_3$/Ar, HBr/Ar and so on [1]. However, the etch behavior of sapphire wafer have investigated with variation of only one parameter while other parameters are fixed. In this study, we investigated the effect of pressure and other parameters on the etch rate and the selectivity. We selected $BCl_3$ as an etch ant because $BCl_3$ plasmas are widely used in etching process of oxide materials. In plasma, the $BCl_3$ molecule can be dissociated into B radical, $B^+$ ion, Cl radical and $Cl^+$ ion. However, the $BCl_3$ molecule can be dissociated into B radical or $B^+$ ion easier than Cl radical or $Cl^+$ ion. First, we evaluated the etch behaviors of sapphire wafer in $BCl_3$/additive gases (Ar, $N_2,Cl_2$) gases. The behavior of etch rate of sapphire substrate was monitored as a function of additive gas ratio to $BCl_3$ based plasma, total flow rate, r.f. power, d.c. bias under different pressures of 5 mTorr, 10 mTorr, 20 mTorr and 30 mTorr. The etch rates of sapphire wafer, $SiO_2$ and PR were measured with using alpha step surface profiler. In order to understand the changes of radicals, volume density of Cl, B radical and BCl molecule were investigated with optical emission spectroscopy (OES). The chemical states of $Al_2O_3$ thin films were studied with energy dispersive X-ray (EDX) and depth profile anlysis of auger electron spectroscopy (AES). The enhancement of sapphire substrate can be explained by the reactive ion etching mechanism with the competition of the formation of volatile $AlCl_3$, $Al_2Cl_6$ or $BOCl_3$ and the sputter effect by energetic ions.

• 한국화재소방학회논문지
• /
• 제34권1호
• /
• pp.55-65
• /
• 2020

본 연구에서는 천장 은폐장소에 공사 가능한 전기설비 중 배선공사에 사용되는 합성수지관(CD, VE) 및 금속관(ST)을 대상으로 연소실험 및 ISO 5660 실험, ISO 5659 실험을 실시하였으며, 측정 데이터를 바탕으로 화재 확산 및 피난 위험도를 분석하였다. ISO 5660 총열방출량 실험결과 CD관 120.5 MJ/㎡, VE관 81.9 MJ/㎡, ST관 4.9 MJ/㎡이 측정되었다. ISO 5659 연기밀도 실험결과 CD관 1320, VE관 731, ST관 102이 측정되었으며, 최대연기밀도가 측정된 시간은 CD관 605 s, VE관 740 s, ST관 1,200 s이다. 화재 확산 및 피난 위험도에서 CD관, VE관, ST관 순으로 나타났다. 화재 확산 위험도 분석 시 총열방출량은 CD관 4,820 MJ/㎡, VE관 4,267 MJ/㎡, ST관 196 MJ/㎡로 산출되었다. 피난 위험도 분석결과 투과율 89% 때의 시간은 CD관 127 s, VE관 35 s, ST관 969 s, 거의 앞이 보이지 않을 정도의 농도를 나타내는 투과율 79% 때의 시간은 CD관 157 s, VE관 50 s로 나타났다. CD관과 VE관은 화재 확산 및 피난 위험도 수치가 높았던 반면 ST관의 경우 화재 확산에 거의 영향이 없었고, 피난 위험도에서도 화재발생 인지 후 피난하는데 문제가 없는 것으로 나타났다.

• 동의생리병리학회지
• /
• 제26권6호
• /
• pp.970-975
• /
• 2012

In Sasang constitutional medicine, doctors diagnose and treat patients according to their Sasang consitutition (SC) type. In this work, by a clinical test with a radial pulse tonometer, we investigated radial pulse properties which were significant in distinguishing unhealthy subjects from healthy subjects for each SC type. We measured radial pulse properties on left and right Gwan locations with a pulse tonometer for 299 elderly female subjects of age of 50 years old or above. We used a newly developed SCAT system to determine subjects' SC types. Subjects' health levels of either healthy or unhealthy were determined independently by two Korean medical doctors. To investigate the statistical differences, we used either of Student's t-test or Mann-Whitney U test depending on the normality of distribution of test statistic. For TE type, unhealthy subjects were characterized with significant increases in heart rate, systolic to diastolic period, pulse depth, while they showed significant decreases in width of pulse in normal direction, pulse area in diastolic period, and high harmonic components (6th, 7th) of power spectral density. For SE type, unhealthy subjects were characterized with significant increases in pulse pressure and pulse depth, while no significant differences were found for SY type. We investigated the characteristic differences in radial pulse properties due to change in health levels on each SC type for elderly females. Pulse variables which were significantly different between healthy subjects and unhealthy subjects were found to vary between SC types. For TE type subjects, many variables were found significant at the left Gwan location, which is in support of the theory of hyperactive liver functioning for TE type. Irrespective of the constitution, the related changes in the pulse properties due to worsened health level were in support of elevated blood flow amount in compensation with weakened blood circulatory function.

• 대한토목학회논문집
• /
• 제35권2호
• /
• pp.455-464
• /
• 2015

기존 문화시설 투자는 인구 및 면적과 같은 행정구역 기반의 지표를 근거로 결정되었다. 거시적 판단지표는 인접한 행정구역의 문화시설에 대한 접근성을 고려하지 않아 이용률 측면에서 예산낭비 및 중복투자의 문제를 발생시켰다. 최근 정부는 문화시설 이용에 대한 실질적인 시민 체감도를 높이고자 한다. 이를 위해서는 인접 행정구역을 통합하여 교통망과 건물 등의 특성을 종합적으로 반영하는 방안이 요구된다. 이 연구는 UNA (Urban Network Analysis)기법을 활용하여 문화시설 접근성을 분석한다. UNA는 교통망과 함께 건물분포를 나타내는 건물의 부피, 상주인구, 기타 건물의 중요요소를 반영하여 분석가능하다. 따라서 인접 경계지역과 통합한 문화시설의 집중도를 반영한 접근가능성에 대하여 보다 유의있는 설명이 가능하다. 연구 대상지역으로서 경기도내 4개 인접도시인 과천, 안양, 의왕, 군포시에 대하여 일상문화시설의 접근성을 분석하였다. 군포, 안양은 접근성이 높게 나타난 반면 의왕, 과천은 상대적으로 낮게 나타났다. 일상문화시설에 대한 투자는 군포, 안양에 집중하는 것이 타당하다는 결론이다.

• 한국안광학회지
• /
• 제7권1호
• /
• pp.9-13
• /
• 2002

연령증가에 따라(노안) 최대 조절력은 감소된다는 것은 잘 알려져 있다. 노안 단 시력(single vision)은 단지 멀리 보는 것을 교정할 수 있다. 노안 누진렌즈 도수는 확실한 시야를 교정할 수 있다. 그러나 연령과 함께 시각계 내의 다른 변화는 안경만으로 교정할 수는 없다. 동공직경은 감소하고 양안 매체의 빛 투과가 감소한다. 그러므로 노인은 더 많은 빛을 필요로 하고 더 밝은 조명을 필요로 한다. 이것은 단지 망막내 추체의 밀도가 감소하는 등 감각계 변화의 한 예로, 이러한 변화는 시각계 내의 시기능 변화를 유발한다. 즉 80세의 시력은 반으로 감소한다. 주로 높은 공간주파수내 회절격자의 대비감도 감소는 양안 매개체내 비스듬한 빛을 증가시킴으로 인하여 눈부심이 증가된다. 베일휘도는 대략 4배 증가한다. 암순응은 느려지게되고 눈이 완전히 암순응에 적응되었을 때 빛감도는 대략 2(log unit) 보다 적다. 또한 특히 낮은 조명에서 칼라 비젼이 더 나빠지게 된다. 연령이 높은 사람은 황반부와 주변부 시력간의 분리를 요하는 시각적 작업에 문제가 있다. 유용시야 측정이 한 예이다. 이러한 유용시야는 시기능 훈련에 의해 개선되어질 수 있다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제40권10호
• /
• pp.967-972
• /
• 2003

직경 5 cm cold hollow cathode 이온원을 박막의 이온보조증착법 또는 이온보조반응법에 사용하기에 적합한 이온빔으로 넓은 면적을 균일하게 조사할 수 있는 이온원을 설계, 제작하기 위한 방안으로 연구하게 되었다. 이온원은 글로우 방전을 위한 음극과 이온화 효율의 증가를 위한 자석, 플라즈마 챔버, 그리드 전극으로 이루어진 이온광학시스템, 직류전원공급장치로 이루어진다. 전자인출전극의 구조 및 형태로 구분하여 한개의 노즐로 이루어진 (I) 형태와 복수개의 노즐로 변형된 (II) 형태로 제작하였다. 서로 다른 구조의 전자인출전극 (I)형태와 (II) 형태를 부착한 이온원에 beam profile을 측정한 결과 (I) 형태의 전자인출전극을 부착한 경우에는 이온원의 중심에서 140 $\mu\textrm{A}$/$\textrm{cm}^2$으로 측정되어 졌으며, 외곽으로 멀어질수록 급격히 전류밀도가 감소하여 균일한 영역(최대값의 90%)은 직경 5 cm로 측정되어졌다. (II) 형태로 변형되어진 이온원의 경우 중심에서 65 $\mu\textrm{A}$/$\textrm{cm}^2$으로 (I) 형태와 비교하여 상대적으로 낮은 전류밀도가 측정되었지만 외각으로 멀어졌을 경우에도 전류밀도는 완만하게 감소하여 균일한 영역은 직경 20 cm로 측정되었으며, 본 연구목적에 부합되는 특성이 측정되었다. 이온빔 균일도가 증가한 (II) 형태의 전자인출전극을 부착한 이온원으로 주입하는 아르곤 가스량의 변화, 이온광학시스템의 플라즈마 그리드 전극과 가속 그리드 전극 간격의 조절, 이온빔 에너지 변화에 따른 beam profile 및 특성을 괸찰하였다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제20권4호
• /
• pp.164-167
• /
• 2010

본 연구에서는 HVPE을 이용하여 sapphire(001) 기판 위에 직경 2 inch, 두께 약 1.5 mm인 bulk GaN를 성장하고, 이를 mechanical polishing을 통해 $10{\times}10,\;15{\times}15$ mm 크기의 free-standing GaN template을 제작하여 그 특성을 평가하였다. 성장된 GaN 단결정의 X-ray diffraction pattern 결과 (002) 및 (004) 면으로부터의 회절에 의한 peak가 나타났으며, (002) 면의 DCXRD(Double crystal X-Ray diffraction) rocking curve peak의 반치폭(FWHM)은 98 arcsec으로 나타났다. 제작한 GaN template는 363 nm 파장에서 sharp한 PL spectrum을 나타내었으며, 불순물 defect에 의한 yellow 영역에서의 broad peak은 관찰되지 않았으며, 제작된 GaN template표면의 etch-pit 밀도는 $5{\times}10^6/cm^2$으로 매우 낮았다. 이러한 분석결과를 통하여 성장된 GaN template는 LED 및 LD 등의 청색 발광소자 및 고온, 고출력 소자용 기판재료로 응용이 가능할 것으로 생각 된다.

• 전기화학회지
• /
• 제7권2호
• /
• pp.94-99
• /
• 2004

연료극 지지체 평관형 고체산화물 연료전지(SOFC)의 셀 전력밀도를 증가시키기 위하여 압출법에 의하여 제조하고 그 특성을 연구하였다. 연료극 지지체로써 Ni/YSZ($8mol\%$ yttria stabilized zirconia) cermet는 기공율 $50.6\%,\;0.23{\mu}m$의 기공크기를 나타내었다. 지지체에서의 Ni의 분포는 균일하였으며 전자전도 경로로써의 Ni의 연결성은 양호하였다. 지지체에 YSZ전해질과 복합 공기극층인 $LSM((La_{0.85}Sr_{0.15})_{0.9}MnO_3)/YSZ$ 복합층, LSM, LSCF $(La_{0.6}Sr_{0.4}Co_{0.2}Fe_{0.8}O_3)$층이 슬러리 디핑법에 의하여 코팅 및 소결된 연료극 지지체식 평관형 고체산화물 연료전지 단위전지의 성능은 $800^{\circ}C$에서 $300mW/cm^2(0.6V,\;500mA/cm^2)$의 성능을 나타내었다. 임피던스 분석에 의하여 평관형 셀의 전기화학적 분극저항을 평가하고 연료측의 가습에 따라 분극저항이 감소되어 성능이 향상됨을 알 수 있었다 슬러리 디핑법으로 LSM이 코팅된 SUS430 금속연결재를 $Ar+10\%\;H_2$에서 소결하였으며, $750^{\circ}C$에서 면저항의 측정할 결과, 초기에는 $148m{\Omega}cm^2$를 나타내었으며, 450시간 경과 후에 $43m{\Omega}cm^2$의 낮은 면저항을 유지하였다. 반면에 동일한 조건으로 LSM이 코팅된 Fecralloy는 높은 면저항을 나타내었다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제14권12호
• /
• pp.2783-2790
• /
• 2010

본 연구에서는 무선 랜 표준안인 802.11n에서 채널 부호화 알고리즘으로 채택된 LDPC부호의 복호 알고리즘의 저복잡도에 대해 연구를 하였다. 샤논의 한계에 근접하기 위해서는 큰 블록 사이즈의 LDPC 부호어 길이와 많은 반복횟수를 요구한다. 이는 많은 계산량을 요구하며, 그리고 이에 따른 전력 소비량(power consumption)을 야기 시키므로 본 논문에서는 세 가지 형태의 저복잡도 LDPC 복호 알고리즘을 제시한다. 첫째로 큰 블록 사이즈와 많은 반복 횟수는 많은 계산량과 전력 소모량을 요구하므로 성능 손실 없이 반복횟수를 줄일 수 있는 부분 병렬 방법을 이용한 복호 알고리즘, 둘째로 early stop 알고리즘에 대해 연구 하였고, 셋째로 비트 노드 계산과 체크 노드 계산 시 일정한 신뢰도 값보다 크면 다음 반복 시 계산을 하지 않는 early detection 알고리즘에 대해 연구 하였다. 위 세가지 알고리즘을 적용하여 FPGA 칩에 구현한 결과 N=648, R=1/2일 때, 복호 속도는 알고리즘을 적용하지 않았을 때 보다 거의 두배에 가까운 110Mbps이고, 약 45%의 디바이스 사용량이 감소하였다.

• 멤브레인
• /
• 제19권4호
• /
• pp.291-301
• /
• 2009

친전자성 치환반응을 통하여 제조된 술폰화 단량체와 비(非)술폰화 단량체의 직접 중합법을 통하여 서로 다른 술폰화도를 나타내는 술폰화 폴리아릴에테르술폰 공중합체를 합성하고, 이들로부터 직접 메탄올 연료전지용 이중층(層) 고분자 전해질 막을 제조하였다. 우수한 이온 전도특성을 나타내는 술폰화도 50%의 공중합체를 사용하여 전해질 막의 모체(母體) 전도층을 제조하고, 이들의 한쪽 표면에 술폰화도 10%의 공중합체를 도포한 후 건조하여 낮은 메탄올 투과 특성의 코팅층을 형성시켰다. 도포되는 공중합체의 질량비를 5~20%로 조절함으로써 코팅 층 두께에 따른 전해질 막의 특성 변화를 고찰하였으며, 형성된 코팅 층을 막-전극 접합체의 음극 면에 접합시켜 운전 시 메탄올 연료와 직접 접촉하도록 하였다. 이중층 형성 공정을 통하여, 단일 전해질 막과 동등한 수준의 이온 전도 특성을 유지하면서도, 전해질 막을 통한 메탄올 투과 특성이 현저히 개선된 우수한 효율의 고분자 전해질 막 제조가 가능하였다. 작동 온도 $60^{\circ}C$, 2 M의 메탄올 공급 환경에서 수행된 연료 전지 성능 평가 결과, 막-전극 접합체 출력 밀도는 5%의 질량비에서 최대 $134.01\;mW/cm^2$였으며, 이로부터 상용 나피온 115 대비 105.5%의 향상된 성능 효율을 확인할 수 있었다.