• 제목/요약/키워드: High PAE

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A 2.4 GHz-Band 100 W GaN-HEMT High-Efficiency Power Amplifier for Microwave Heating

  • Nakatani, Keigo;Ishizaki, Toshio
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제15권2호
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    • pp.82-88
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    • 2015
  • The magnetron, a vacuum tube, is currently the usual high-power microwave power source used for microwave heating. However, the oscillating frequency and output power are unstable and noisy due to the low quality of the high-voltage power supply and low Q of the oscillation circuit. A heating system with enhanced reliability and the capability for control of chemical reactions is desired, because microwave absorption efficiency differs greatly depending on the object being heated. Recent studies on microwave high-efficiency power amplifiers have used harmonic processing techniques, such as class-F and inverse class-F. The present study describes a high-efficiency 100 W GaN-HEMT amplifier that uses a harmonic processing technique that shapes the current and voltage waveforms to improve efficiency. The fabricated GaN power amplifier obtained an output power of 50.4 dBm, a drain efficiency of 72.9%, and a power added efficiency (PAE) of 64.0% at 2.45 GHz for continuous wave operation. A prototype microwave heating system was also developed using this GaN power amplifier. Microwaves totaling 400 W are fed from patch antennas mounted on the top and bottom of the microwave chamber. Preliminary heating experiments with this system have just been initiated.

A Novel Design of High Power Amplifier Employing Photonic Band Gap in Millimeter Wave Band

  • Seo Chul-Hun
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제6권2호
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    • pp.98-102
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    • 2006
  • In this paper, we have designed and fabricated the high power amplifier employing PBG(Photonic Band-Gap Structure) to improve the linearity of the amplifier in the millimeter wave band. The fabricated amplifier using MMIC(TGA1073G) has operated about 24 GHz band and the PBG has resulted in 35 dB suppression about 49 GHz where the second harmonic occurs due to the amplifier. As a result, the output power has been 24.43 dBm and 13.2 dBc of the IMD has been improved. Also, the PAE is obtained to 14.96 % of the amplifier employing the PBG structure in Ka band.

Microwave 대역에서의 고온 및 고출력용 GaN MESFET 소자에 관한 연구 (Investigation of Microwave GaN MESFETs for High-Power and High-Temperature Application)

  • 신무환
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.85-88
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    • 1995
  • In this report the large-signal RF performance of GaN MESFETs at different operating temperatures is investigated using a harmonic balance modeling technique. The predicted device performance calculated by the large-si anal model of a GaN FET is shown to be in good agreement with experimen tar data. It is demonstrated that the optimal RF performance of a GaN MESFET amplifier is achieved by balancing the input impedence for a optimized de sign. A GaN MESFET with the optimized design is predicted to produce maximum RF output power of about 4W/mm and 1W/mm at room temperature and 773 K, respectively. The device produces a peak Power-Added Efficiency (PAE) of 52% and 32% at the two temperatures.

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Real-Time Performance Evaluation of Network in Ethernet based Intranet

  • Pae, Duck-Jin;Kim, Dae-Won
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 2001년도 ICCAS
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    • pp.133.3-133
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    • 2001
  • This paper analyses the real-time performance of Ethernet based intranet whether it is applicable to the real-time network. Unpredictability of transmission delay by collision-delay-retransmission mechanism in CAMA/CD(Carrier Sense Multiple Access with Collision Detect) of Ethernet is the major reason making hard to apply to real-time system. Both retransmission mechanism of TCP(Transmission Control Protocol) for reliability and sliding windows algorithm for high utilization make hard to predict transmission delay. Because real-time control network require fast responsibility and bustle of short-periodic messages, global-clock for collision avoidance and UDP(User Datagram Protocol) for high utilization of network are used. The mathematical models for time-delay that can be occured between ...

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전력증폭기의 선형성 및 효율 향상에 관한 연구 (A Study on Linearity and Efficiency Enhancement of Power Amplifier)

  • 전중성
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제29권6호
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    • pp.618-627
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    • 2005
  • In this paper, we have compared and analyzed the performance of high amplifier using Doherty technique to improve linearity and efficiency of base station and repeater Power amplifier for WCDMA. This Doherty amplifier implements with 3dB branch line coupler and $90^{\circ}C$ transmission line The phase offset line is designed to maintain the high linearity and efficiency at the low efficiency Period of the power amplifier CW 1-tone experimental results at the WCDMA frequency $2.11{\sim}2.17GHz$ shows that Doherty amplifier which achieves power add efficiency(PAE) of 50% at 6dB back off the point from maximum output power 52.3 dBm, obtains higher efficiency of 13.3% than class AB Finding optimum bias Point after adjusted gate voltage, Doherty amplifier shows that $IMD_3$ improves 4dB.

내부정합된 GaN HMET를 이용한 광대역 J-급 전력증폭기 설계 (Wideband Class-J Power Amplifier Design Using Internal Matched GaN HEMT)

  • 임은재;유찬세;김도경;선중규;윤동환;윤석희;이영철
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제28권2호
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    • pp.105-112
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    • 2017
  • 이동통신 시스템의 멀티미디어 서비스 확산과 고속통신 기능의 수요를 충족시키기 위해서 다중대역 전력증폭기의 고효율, 광대역 특성 및 비선형 특성의 개선이 필요하다. 본 연구에서는 J-급 전력증폭기 동작조건을 만족하는 2차 고조파 정합회로를 단일-스터브 정합회로로 구성하였다. 광대역 J-급 동작조건을 만족시키기 위해 단일-스터브 정합회로는 낮은 특성임피던스를 갖는 것이 필요하다. 본 연구에서는 낮은 특성 임피던스를 갖는 단일-스터브 정합회로를 패키지 내에 높은 유전율의 세라믹 기판을 이용하여 구현하였다. 이에 따라 2차 고조파 정합회로가 패키지된 GaN HEMT와 외부 기본파 정합회로를 이용하여 넓은 주파수 대역에서 J-급 출력 임피던스 조건을 만족하는 전력증폭기를 구현하였다. 제작된 J-급 전력증폭기 측정 결과, 1.8~2.7 GHz(900 MHz)의 대역폭에서 50 W(47 dBm) 이상의 출력전력과 최대 72.6 %의 드레인 효율, 최대 66.5 %의 PAE 특성을 확인하였다.

GaN HEMT를 이용한 광대역 고효율 Class-J 모드 전력증폭기 설계 (Design of High Efficiency Class-J mode Power Amplifier using GaN HEMT with Broad-band Characteristic)

  • 김재덕;김형종;신석우;김상훈;김보기;최진주;김선주
    • 한국ITS학회 논문지
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    • 제10권5호
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    • pp.71-78
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    • 2011
  • 본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-J 모드를 적용한 고효율, 광대역 특성을 갖는 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 Class-J 모드 전력증폭기의 정합회로는 2차 고조파 임피던스가 리액턴스 성분만 갖도록 하였으며, 1.4 ~ 2.6 GHz 주파수대역내에서 연속파 (CW) 신호를 사용하여 $40{\pm}1$ dBm의 출력 전력과 50 % 이상의 전력부가효율 (Power-Added Efficiency, PAE) 및 60 % 이상의 드레인 효율 (Drain Efficiency, DE)이 측정되었다.

무선 에너지 전송을 위한 Class-E 전력증폭기 설계 (Design of Class-E Power Amplifier for Wireless Energy Transfer)

  • 고승기;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제48권2호
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    • pp.85-89
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    • 2011
  • 본 논문에서는 메타구조를 이용하여 하나의 RF LDMOS로 새로운 Class-E 전력증폭기를 구현하였다. CRLH 구조는 Class-E 전력증폭기 특성을 갖는 메타물질 전송 선로를 만들 수 있다. CRLH 전송 선로는 전력증폭기의 정합 회로를 구현을 위하여 주파수 오프셋과 CRLH 전송 선로의 비선형 위상 기울기에 의해 얻을 수 있다. 또한, 제안된 전력증폭기의 효율을 향상 시키기 위하여 출력 정합 회로에 CRLH 구조를 이용하여 구현하였다. 동작 주파수는 13.56MHz로 정하였다. Class-E 전력 증폭기의 측정된 출력 전력은 39.83dBm, 이득은 11.83 dB이다. 이 지점에서 얻은 전력효율(PAE)은 73%이다.

ISM 대역용 접힌 다이폴 능동 집적 안테나의 설계 (Design of ISM-band Folded Dipole Active Integrated Antenna)

  • 이재홍;서종수
    • 한국통신학회논문지
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    • 제26권11B호
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    • pp.1612-1619
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    • 2001
  • 본 논문에서는 ISM 대역의 전력 증폭기와 안테나를 직접 결합함으로써 회로 크기와 삽입손실을 최소화하고 고조파 동조를 용이하게 하기 위하여 접힌 다이폴 능동 집적 안테나(Folded Dipole Active Integrated Antenna)를 설계하고 그 성능을 실험, 분석하였다. 전력 증폭기의 시뮬레이션 정확성을 높이기 위하여 비선형 모델을 사용하였으며, Load pull 방식을 적용하여 최대 전력점을 구한 후 임피던스를 정합하였다. 실험 결과 구동증폭기를 포할한 전체 전력첨가효율(PAE)은 31.5%로 계산되었고, 송신 전력은 13.7dBm의 출력을 확인할 수 있었다. 그리고 2.44 GHz 대역용으로 제안한 안테나는 기존 다이폴 안테나보다 크기가 작으며, 안테나 이득을 포함한 전체 이득은 23.7 dB를 얻을 수 있었고, 기본파 대비 제 2 고조파 억압은 30dBc 이상의 양호한 특성을 나타내었다.

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나선형 구조의 PBG를 적용한 도허티 전력증폭기의 선형성 개선 (Design of a Doherty Power Amplifier Using the Spiral PBG Structure for Linearity Improvement)

  • 김선영;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제45권1호
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    • pp.115-119
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    • 2008
  • 본 논문에서는 도허티 전력증폭기의 출력 정합단에 새로운 광전자밴드갭(PBG) 구조를 적용하여 높은 효율을 유지하면서 선형성을 개선시키도록 하였다. 제안된 나선형 PBG 구조는 비평면 제조 공정을 요구하지 않는 유전체 판 위에 패턴을 뜬 2차원의 규칙적인 격자이다. 실험결과를 통해서 보면, 이 구조는 접지 평면에 세 개의 셀을 식각시킨 기본적인 PBG 구조보다 더 넓은 저지대역과 더 높은 저지 특성을 갖는다. 또한 더욱 가파른 스커트 특성을 갖는다. 이 새로운 PBG 구조는 선형성 개선을 위하여 도허티 전력증폭기에 적용되어 질 수 있다. 나선형 PBG 구조를 적용한 도허티 전력증폭기의 3차 혼변조 왜곡(IMD3)은 코드분할 다중접속(CDMA) 응용에서 -33dBc이다. 제안된 PBG 구조가 없는 도허티 전력증폭기와 비교했을 때, PAE는 유지하면서 IMD3은 -8dBc 개선되었다. 더욱이 나선형 PBG 구조는 기본적인 PBG 구조보다 물리적인 크기가 줄어서 전력증폭기의 전체 크기를 줄일 수 있었다.