• 공업화학
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• 제20권5호
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• pp.527-531
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• 2009

전구체로서 bis(triethoxy silyl) benzene (BTEB), 구조유도체로서 dodecyl trimethyl ammonium bromide (DTMA)를 사용하여 periodic mesoporous organosilicas (PMO) 합성하였다. PMO를 XRD, TEM, 그리고 NMR로 확인한 결과 육각 벌집형태의 메조포러스한 물질임을 확인하였다. 합성한 PMO에 polyethylene oxide (PEO)를 삽입하여, DSC와 XRD로 확인한 결과 고분자가 PMO에 삽입되는 과정에서 고분자의 결정성 용융 온도가 감소하다가 결국 사라짐을 확인하였다. 이러한 결과는 고분자 사슬이 PMO의 기공에 삽입되었다는 것이며, 삽입된 고분자 사슬은 PMO의 골격구조에 의하여 제한 받아서 비결정성 형태의 구조를 지니고 있음을 보여주고 있다.

• 한국광학회지
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• 제12권1호
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• pp.17-24
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• 2001

엄밀한 결합파 해석(rigorous coupled-wave analysis)을 이용하여 2차원 및 3차원의 주기적인 구조 제작을 위한 2차원 이진위상 회절격자를 설계 및 분석하였다. 이 회절격자는 근접장 홀로그래피를 위한 위상 마스크로서 수직 입사하는 빛에 대하여 여거 개의 회절파들을 발생하고 이들은 공간상에 주기적인 간섭무늬를 형성한다. 입사파의 편광상태, 파장, 표면 양각형태, 요철 깊이와 duty cycle을 바꿈으로써 회절된 빛들을 조절할 수 있는데 2차원 구조의 경우 0차 회절효율이 최소가 되고 1차회절효율이 최대가 될 때 최적의 결과를 보인다. 한편 0차 회절효율이 상당한 크기를 가지거나 심지어 다른 차수의 회절효율보다 높을 때 마이크로 미터 이하의 미세구조를 갖는 tetragonal-body-centered 구조와 hexagonal 구조의 포토닉 결정을 제작 할 수 있는 다양한 형태의 3차원 공간 간섭무늬가 형성된다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제13권1호
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• pp.127-134
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• 2014

본 연구에서는 X-밴드 taper 슬롯구조 능동위상 배열 안테나를 구현하였으며, 구현한 안테나의 성능을 해석하고 측정을 통하여 분석하였다. 제작된 광대역 위상배열 안테나의 능동반사계수 및 능동복사패턴을 측정한 결과를 통하여 설계된 위상배열 안테나의 능동반사계수 및 능동복사패턴 결과와 일치함을 확인하였고, 안테나의 광대역 빔 특성을 검증하여 설계 목표에 부합하는 안테나 구조를 제안하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.222.2-222.2
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• 2015

A $Ge_2Sb_2Te_5$ nanowire (GST NW) phase change memory device is investigated with Joule heating electrodes. GST is the most promising phase change materials, thus has been studied for decades but atomic structure transition in the phase-change area of single crystalline phase-change material has not been clearly investigated. We fabricated a phase change memory (PCM) device consisting of GST NWs connected with WN electrodes. The GST NW has switching performance with the reset/set resistance ratio above $10^3$. We directly observed the changes in atomic structure between the ordered hexagonal close packed (HCP) structure and disordered amorphous phase of a reset-stop GST NW with cross-sectional STEM analysis. Amorphous areas are detected at the center of NW and side areas adjacent to heating electrodes. Direct imaging of phase change area verified the atomic structure transition from the migration and disordering of Ge and Sb atoms. Even with the repeated phase transitions, periodic arrangement of Te atoms is not significantly changed, thus acting as a template for recrystallization. This result provides a novel understanding on the phase-change mechanism in single crystalline phase-change materials.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제25권2호
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• pp.42-45
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• 2016

A two-dimensional metal hole array (2DMHA) structure is fabricated by conventional photo-lithography and electron beam evaporation. The transmittance of the 2DMHA is measured at long wave infrared (LWIR) wavelengths (${\lambda}{\sim}10$ to $24{\mu}m$). The 2DMHA sample shows transmittance of 70 and 67% at $15.4{\mu}m$ due to plasmonic resonance with perforated silver and gold thin films, respectively, under surface normal illumination at LWIR wavelengths. The measured infrared spectrum is separated into two peaks when the size of the hole becomes larger than a half-pitch of the hole array. Six degenerated plasmon modes (1,0) at the metal/Si surface split to three modes at an incident beam angle of $45^{\circ}$ with respect to the surface normal direction, and wavelength shifts of the transmitted spectrum are observed in a red shift and blue shift at the same time.