• 제목/요약/키워드: Hexagonal Si

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MOVPE에 의한 GaN 피라미드 꼭지점 위의 반극성 나노/마이크로 크기의 GaN 성장 (Fabrication of semi-polar nano- and micro-scale GaN structures on the vertex of hexagonal GaN pyramids by MOVPE)

  • 조동완;옥진은;윤위일;전헌수;이강석;정세교;배선민;안형수;양민;이영철
    • 한국결정성장학회지
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    • 제21권3호
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    • pp.114-118
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    • 2011
  • 본 논문에서는 육각형 GaN 피라미드의 꼭지점 부분에만 나노 혹은 마이크로 크기의 GaN 구조를 선택적으로 성장시킬 수 있는 결정 성장 방볍에 대하여 연구하였다. 최적화된 포토리소그라피 공정을 이용하여 육각형 GaN 피라미드 구조의 꼭지점 부분의 $SiO_2$ 마스크 영역만을 제거할 수 있었으며, 이렇게 하여 노출된 육각형 GaN 피라미드의 꼭지점 부분에만 metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE) 결정 성장방법을 사용하여 나노 및 마이크로 크기의 GaN 구조를 선택적으로 성장하였다. GaN 피라미드 꼭지점 부근에 형성된 나노 및 마이크로 G값J 구조는 semi-polar {1-101} 결정면으로 둘러싸인 육각 피라미드 형상을 하고 있으며 그들의 크기는 성장 시간에 의해 쉽게 조절할 수 있음을 확인하였다. TEM 관측 결과, 측면 방향으로 진행하는 관통전위들이 $SiO_2$ 마스크에 의해 효율적으로 차단되어 나노 및 마이크로 GaN 구조에서는 전위 밀도가 감소하는 것을 확인할 수 있었으나 $SiO_2$ 마스크의 끝부분의 매끄럽지 못한 부분에 의해 적층 결함이 발생함을 확인하였다.

Boron Nitride Dispersed Nanocomposites with High Thermal Shock Resistance

  • Kusunose, T.;Sekino, T.;Choa, Y.H.;Nakayama, T.;Niihara, K.
    • 한국분말재료학회지
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    • 제8권3호
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    • pp.174-178
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    • 2001
  • The microstructure and mechanical properties of $Si_3N_4/BN $nanocomposites synthesized by chemical processing were investigated. The nanocomposites containing 15 vol% hexagonal BN (h-BN) were fabricated by hot-pressing $\alpha-Si_3N_4$powders covered with turbostratic BN (t-BN). The t-BN coating on $\alpha-Si_3N_4$particles was prepared by heating $\alpha-Si_3N_4$ particles covered with a mixture of boric acid and urea in hydrogen gas. TEM observations of this nanocomposite revealed that nano-sized h-BN particles were homogeneously dispersed within $Si_3N_4$grains as well as at grain boundaries. The strength and thermal shock resistance were significantly improved in comparison with the $Si_3N_4/BN$ microcomposites.

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졸-겔법에 의한 CdS 분산 $SiO_2$ Glass 코팅막의 제조에 관한 연구 (A Study on the Preparation of CdS Doped $SiO_2$ Glass Coating Films by Sol-Gel Method)

  • 박한수;김경문;문종수
    • 한국세라믹학회지
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    • 제30권11호
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    • pp.897-904
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    • 1993
  • CdS doped SiO2 glass coating films which are good candidates for the nonlinear optical materials were prepared by the Sol-Gel method. TEOS, C2H5OH, H2O and HCl were used as starting materials to obtain SiO2 matrix solutions. Then Cd(NO3)2.2H2O and CS(NH2)2 were dissolved into the SiO2 matrix solutions. Coating was performed several times in order to increase the thickness of coated film by the dip-coating method. Then heat treatments were carried out to control the size of CdS microcrystals doped in SiO2 glass matrix with respect to temperatures and times. CdS-doped SiO2 transparent coating films were successfully obtained. CdS crystals were changed from cubic to hexagonal type about $600^{\circ}C$.

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열처리한 CdS 박막의 구조변환에 관한 연구 (A Study on the Phase Transition of Heat-Treated CdS Thin Films)

  • 김근묵;한은주
    • 한국재료학회지
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    • 제9권8호
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    • pp.782-786
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    • 1999
  • 진공증착법으로 CdS 박막을 제작하여 열처리한 시료를 상온에서 SEM, XRD, EDX와 PL 특성을 측정하여 $50^{\circ}C 와 450^{\circ}C$ 사이에서 cubic to hexagonal phase transition을 확인하였다. 열처리 결과 S-빈자리에 $O_2$와 Si불순물이 보상되어 CdO 또는 $Cd_2SiO_4$주개준위(donor level)를 만드는데 광발광 측정에서 열처리온도 $350^{\circ}C$에서는 2.34eV, $550^{\circ}C$는 2.42eV에서 EE 피이크를 나타내었다. 이러한 특성결과 본 연구에서 결정구조변환 온도는 $370{\circ}C$를 나타내었으며 Ariza-Calderon 등의 CBD박막에 대한 결과인 $374^{\circ}C$와 유사한 것으로 확인되었다.

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Influence of SiO2 Capping and Annealing on the Luminescence Properties of Larva-Like GaS Nanostructures

  • Kim, Hyunsu;Jin, Changhyun;Park, Sunghoon;Lee, Chongmu
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제33권11호
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    • pp.3576-3580
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    • 2012
  • Larva-like GaS nanostructures synthesized by the thermal evaporation of Ga metals and S powders were coated with $SiO_2$ by the sputtering technique. Transmission electron microscopy and X-ray diffraction analyses revealed that the cores and shells of the GaS-core/$SiO_2$-shell larva-like nanostructures were single crystal wurtzite-type hexagonal structured-GaS and amorphous $SiO_2$, respectively. Photoluminescence (PL) measurements at room temperature showed that the passivation of the larva-like GaS nanostructures was successfully achieved with $SiO_2$ without nearly harming the major emission from the wires. However, subsequent thermal annealing treatment was found to be undesirable owing to the degradation of their emission in intensity.

Biomorphic C/SiC 복합재료의 기계적 물성 연구 (Prediction of Mechanical Property of Biomorphic Composites)

  • 정재연;우경식;이동주;홍순형;김연철
    • 한국항공우주학회지
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    • 제40권8호
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    • pp.670-677
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    • 2012
  • 본 논문에서는 Biomorphic C/SiC 복합재료에 대하여 단위구조해석을 수행하였다. 소나무와 뉴송을 탄화하고 실리콘을 함침해 제조한 복합재료의 미세조직을 사각배열과 육각배열로 가정해 단위구조를 정의하고 등가물성치를 계산하였다. 단위구조의 크기가 동일하지 않은 경우도 고려하였고, 또한 공극의 배열에 따른 물성치의 변화를 몬테카를로 시뮬레이션을 통해 조사하였다.

염을 이용한 Sr 페라이트의 분말합성과 그의 자성특성 (Synthesis of Sr-Ferrite by a Molten Salt Flux and Its Magnetic Properties)

  • 김정식;김시동
    • 한국세라믹학회지
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    • 제42권10호
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    • pp.672-677
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    • 2005
  • In this study we prepared the Sr-ferrite powders and magnet by a molten salt method using the (NaCl+KCl) salt mixture. Starting materials of $Fe_{2}$$O_{3}$ and Sr$Co_{3}$ were mixed as the molar ratio of 5.70:1, and 0.08 mol$ \% $ $Al_{2}$$O_{3}$, 0.10 mo1$ \% $ Si$O_{2}$ and 0.12 mo1$ \% $ CaO were added as additives. Sr-ferrite powders synthesized at the reaction temperatures of 800$\∼$1200$ ^{\circ}C $ showed the typical M-type hexagonal ferrite phase, and hexagonal plate-like morphology with uniform distribution of 1$\∼$3 $\mu$m particle size. The bulk density of the sintered Sr-ferrite magnet prepared with powders by the molten salt method showed the maximum density of 4.82 g/$cm^{3}$ at the sintering temperature of 1200$^{\circ}C $. The maxima of remanent flux density (Br, 45 emu/g) and coercive force (iHc, 3.75 kOe) occurred at the sintering temperatures of 1150$ ^{\circ}C$ and 1200$^{\circ}C $.

${CH_4}-{H_2}-{N_2}$ 기체계에서 MW-PACVD를 이용한 결정상 합성 (Synthesis of Crystalline film from ${CH_4}-{H_2}-{N_2}$ gases with MW-PACVD)

  • 김도근;백영준;성태연
    • 한국재료학회지
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    • 제10권9호
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    • pp.648-655
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    • 2000
  • 다이아몬드 합성 조건에서 질소 첨가량은 0%에서 95%까지 변화하였을 때의 합성 거동을 조사하였다. 질소 첨가량이 증가함에 따라 합성된 상은 {100} 성장면으로 이루어진 다이아몬드 막에서 고유의 결정면이 사라지고 나조 크기의 결정들로 이루어진 다이아몬 막으로 변화하였다. 심지어 수소가 없어 메탄과 질소만의 경우에서도 다이아몬드 막 합성이 가능함을 보여주었다. 또한 다이아몬드 구조를 갖는 개별적 입자의 형태는 30%∼80% 질소 첨가범위에서 정팔면체의 결정모양을 가졌고, 이 범위에서 기판온도가 증가함에 따라 육방정 모양의 새로운 결정상을 관찰하였다. 다이아몬드 막의 경우 질소, 첨가량에 무관하게 질소 혼입향은 측정되지 않을 만큼 적었지만, 육방정 결정상은 Si, C 그리고 N으로 이루어진 SiCN화합물임을 확인하였다.

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용융염법으로 합성한 Ba-ferrite의 $SiO_2$ 및 Seed 첨가 효과 (Effects of $SiO_2$ and Seed on Ba-ferrite Synthesized by Molten Salt)

  • 김영근;이승관;김현식;오영우
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.326-329
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    • 1996
  • In order to synthesize Ba-ferrite fine particles by molten salt method and inhibit the abnormal grain growth of sintered specimen, KCI anti NaCl were added to basic composition to 50% by weight, and added 1 male% of $SiO_2$ to control the shape of Ba-ferrite particles. $H_{c}$ and $M_{r}$ were decreased when F $e^{3+}$ was substituted with $Co_{2+}$ and $Ti_{4+}$ from x=0 to x=1.0 in $BaFe_{12-2x}$ $Ti_{x}$ $Co_{x}$ $O_{19}$ , and 1 mole% $SiO_2$ increased the size but shortened c-axis of hexagonal ferrite. Seeds added in Ba-ferrite particle effected inhibition of abnormal grain growth during sintering.ing.g.

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Growth Behavior of Ga-Doped ZnO Thin Films on Au/SiNx/Si(001) Substrate Grown by RF Sputtering

  • 김주현;이무성;강현철
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.463-463
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    • 2013
  • This paper reports the synthesis and characterization of ZnO:Ga nano-structures deposited on Au/SiNx/Si(001) by radio-frequency sputtering. The effect of the temperature on the microstructure of the as-grown ZnO:Ga thin films was examined. The growth mode of ZnO:Ga nano-structures can be explained by the profile coating, i.e. the ZnO nano-structures were formed with a morphological replica of Au seeds. Initially, the ZnO:Ga nano-structures were overgrown on top of Au nano-crystals. Small ZnO:Ga nano-dots were then nucleated on hexagonal ZnO:Ga discs.

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