We determine the reduced mass of heavy-hole exciton and the heavy-hole in-plane mass for a series of (In, Ga)As/GaAs strained layer quantum wells using the magnetolu-minescence measurements of the exciton ground state and the modified perturbation approach. In the theoretical calculation of the magnetoexciton ground state, the exciton reduced mass is considered as an adjustable parameter, and two variation parameters are used in the unperturbed wave function which is expressed in terms of subband wave functions in the growth axis and the product of two-dimensional hydrogen and oscillator like wave functions for the in-plane component. We take into account the energy dependence of transverse and in-plane electron masses in the twoband effective mass approximation. The electron effective mass decreases as either quantum-well width or indium composition increases, and so does the heavy-hole in-plane mass down to the value at the decoupling limit ($m_{hh,\;{\rho}}=0.11m_0$).
On this study the motor design method with fairly good characteristics and control capability as well as cooling capability is presented with considering the magnetic effect due to ventilation hole, which is installed to prevent the temperature rise. When the input voltage rises due to critical variation in traction power supply system, the final ventilation hole is presented by checking the inductance parameter with clarifying the relation between saturation of the motor core and the ventilation hole.
Journal of Electrical Engineering and information Science
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v.3
no.3
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pp.385-390
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1998
In this paper, the oscillator strengths of both the heavy-hole and the light-hole excitons in GaAs-A\ulcornerGa\ulcornerAs and In\ulcornerGa\ulcornerAs-InP quantum wells with the effect of a magnetic field applied along the growth axis are studied. The calculation is carried out usig a variational approach, based on a simple trial exction wave function. The exciton oscillator strengths are found to decrease with increasing well width and to increase with the applied magnetic fields which lead to additional quantum confinement for moderately wide well sizes. Also, the oscillator strengths for the heavy-hole exciton are found to be large than those of the light-hole exciton in these quantum well structures.
Special Issue of the Society of Naval Architects of Korea
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2017.10a
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pp.32-37
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2017
Due to the nature of semi-submergible drilling rig, various equipments are arranged in a limited space, and therefore the many types of outfitting holes passing through the hull structure are densely arranged and that is required the detailed structural strength evaluation in terms of ULS and FLS by class or client. Particularly, semi-submergible drilling rig has a variety of global load which affects the structure strength around holes compared to general commercial ship, and its response of stress is also complicated, so it is difficult to carry out the prediction design of structural strength evaluation and reinforcement. In this regard, this paper presents a case study on the evaluation of structural strength for the various holes and large openings of semi-submergible drilling rig conducted by our company, as well as an established hole verification procedure.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1998.02a
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pp.114-115
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1998
Photoreflectance (pR) measurement h have been employed to study the uniformity of G GaAs!Si 3" wafer. The PR shows the energy of l light and heavy hole even at room temperature. F From the observed energy of LH and HH, it can b be seen that the center of the wafer is more s stressed than the 뼈ge. On the basis of biaxial t tensile stress the higher and lower. transitions are a attributed to heavy and light hole respectively.vely.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.89-90
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2010
최근 우리는 InGaAs 위에 성장한 InAs 양자점에 GaAs를 얇게 덮음으로써 양자고리를 성장하고, 그 광학적 특성을 분석하였다. [1] 이번 연구에서는 이 양자고리 구조의 전자 구조 및 광학적 특성을 전산모사를 통해 계산하였고, GaAs가 구조의 응력, 압전 포텐셜 및 light-hole 분율에 미치는 영향을 분석하였다. 이론적인 분석을 위해, valence force field 방법을 이용하여 이종 물질간의 격자상수 차이에 의한 격자 변형 및 압전 포텐셜의 변화를 계산하였고, 양자고리 내 전자의 양자화 에너지 및 파동함수를 k p 방법을 통해 얻을 수 있었다. 또한 광학적인 특성 등의 다체 효과를 예측하기 위해 configuration interaction 방법을 사용하였다. 이 연구에서 우리는, GaAs가 InAs에 강한 압축 응력을 가할 것이라는 일반적인 예측과 달리, InGaAs 매트릭스 안에서는 격자상수가 작은 GaAs가 InAs 양자고리에 효과적인 압축 응력을 가할 수 없음을 보였다. 특히 GaAs 층의 두께가 얇을 경우, InGaAs 매트릭스에 의해 인장 응력을 받는 GaAs가 InAs의 응력을 해소하기 충분한 공간을 제공하여, 오히려 InAs의 압축 응력을 약화시키는 것을 알 수 있었다. 이 연구 결과는 응력 분포가 단순한 양자우물 등의 2차원 구조와 달리, 응력 분포가 복잡한 3차원 나노 구조에서는 단순히 격자상수만으로 파장 변화 경향을 예측할 수 없음을 나타낸다. 또한 우리는, GaAs의 큰 negative 이방 응력과 InAs의 작은 positive 이방 응력에 의해 전자와 heavy-hole은 InAs에, light-hole은 GaAs에 구속됨을 보였다. 즉, InAs보다 밴드갭이 큰 GaAs가 전자와 heavy-hole에 대해서는 강한 포텐셜 배리어로 작용하지만 light-hole에 대해서는 포텐셜 우물로 작용하는, 반 우물-반 배리어 특성을 가짐을 알 수 있었다. 이로 인해 GaAs가 있는 양자고리의 light-hole 분율이 GaAs가 없을 경우에 비해 2배에서 8배가량 증가함을 보일 수 있었다. 비슷한 특성이 hole에 대해서는 InP나 InGaAsP 위에 성장한 GaAs 층에서 보고된 바가 있으나, 전자는 InAs로, hole은 GaAs로 분리할 수 있는 3차원 나노 구조에 대한 연구는 이 연구가 처음이다. [2]
In this paper, a study on the residual stress of plate with longitudinal stiffeners is explained in terms of the welding sequences. In order to verify the results of numerical analysis, the hole drilling method (HDM) is performed, to measuring the residual stresses of the test plates in $CO_2$ Flux Cored Arc Welding (FCAW) under various welding conditions. The non-linear transient analysis technique for the numerical analysis in a large and complicate structure is considered. The residual stress of plate in consideration of the welding sequences and directions is evaluated by some numerical simulations and also by experiments. Comparison of numerical analysis results with experimental data shows the accuracy and validity of the proposed method.
Kim, Je-Dong;Kang, Byung-Soo;Hahm, Young-Gook;Yoo, Jae-Sung;Lee, Duck-Hwan;Cho, Jae-Sang
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2016.10a
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pp.783-784
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2016
천공위치 안내 시스템은 천공작업 Hole의 정확한 위치를 추적하는 시스템이다. 천공작업의 정확성과 안정성, 그리고 장비 조작의 용이성을 위하여 범지구 위성 항법 시스템(Global navigation satellite system, GNSS)을 이용하여 지표면의 천공위치를 찾아주는 안내 시스템을 연구 개발하였다.
In this paper, a study on the residual stress of plate with longitudinal stiffeners is explained in terms of the welding sequences. In order to verify the results of numerical analysis, the hole drilling method (HDM) is performed, to measuring the residual stresses of the test plates in $CO_2$ Flux Cored Arc Welding (FCAW) under various welding conditions. The non-linear transient analysis technique for the numerical analysis in a large and complicate structure is considered. The residual stress of plate in consideration of the welding sequences and directions is evaluated by some numerical simulations and also by experiments. Comparison of numerical analysis results with experimental data shows the accuracy and validity of the proposed method.
The strain effects of ZnSe epilayer on ZnSe/GaAs heterojunction structure grown by molecular beam epitaxy have been investigated by using electroreflectance (ER) spectroscopy. The ER measurements were performed as a function of modulation voltage, dc bias voltage, and temperature. From the room temperature ER spectrum, we observed a heavy-hole (HH: 2.609 eV) and light-hole (LH: 2.628 eV) transitions due to a compressive strain. With increasing the bias voltage, the amplitude of HH transition signal decreased and the amplitude of LH transition signal was almost the same. From the temperature dependence of ER spectra, we have studied the interaction between the strain and the thermal expansion coefficient.
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