• 제목/요약/키워드: Hall effect measurement

검색결과 240건 처리시간 0.026초

유기박막트랜지스터 적용을 위한 Soluble Pentacene 박막의 특성연구 (A Study of Soluble Pentacene Thin Film for Organic Thin Film Transistor)

  • 공수철;임현승;신익섭;박형호;전형탁;장영철;장호정
    • 마이크로전자및패키징학회지
    • /
    • 제14권3호
    • /
    • pp.1-6
    • /
    • 2007
  • 본 연구에서는 유기박막트랜지스터(OTFT, Organic Thin film Transistor)에 응용을 위해 용액(soluble) 공정을 통하여 제작된 pentacene 박막의 특성을 분석하여 pentacene 박막의 OTFT 소자에 적용 가능성을 조사하였다. Pentacene을 용해시키기 위해 toluene과 chloroform의 두 종류의 용제를 사용하였으며, 이들 용제가 pentacene 박막의 특성에 미치는 영향을 연구하였다. Pentacene 용액은 ITO/Glass 기판위에 spin-coating 법으로 유기 반도체 박막을 제작하여 각 박막의 표면형상, 결정화 특성과 전기적 특성을 조사하였다. AFM을 이용한 표면 형상 관찰 결과 chloroform을 이용한 pentacene 박막이 toluene을 이용한 박막에 비하여 표면 거칠기가 개선되는 경향을 보여주었다. XRD 회절 분석 결과 모든 pentacene 박막 시료에서 결정화가 되지 않은 비정질 형태를 보여주었다. Hall effect measurement 분석 결과 chloroform 용제를 이용한 pentacene 박막이 toluene용제를 사용한 시료에 비해 보다 우수한 전기적 특성을 나타내었다. 즉, chloroform에 용해된 pentacene 박막의 경우 전하농도와 이동도는 $-3.225{\times}10^{14}\;cm^{-3}$$3.5{\times}10^{-1}\;cm^2\;V^{-1}{\cdot}S^{-1}$를 각각 나타내었다. 또한 비저항은 약 $2.5{\times}10^2\;{\Omega}{\cdot}cm$를 얻었다.

  • PDF

기판온도에 따른 PbTe 박막의 구조 및 전기적 물성 (Structure and Electrical Properties of PbTe Thin Film According To The Substrate Temperature)

  • 이혜연;최병춘;정중현
    • 센서학회지
    • /
    • 제8권2호
    • /
    • pp.184-188
    • /
    • 1999
  • Pulsed laser deposition법에 의하여 양질의 PbTe 박막을 다양한 기판온도에 따라 성장시켰다. XRD패턴으로 부터 각 온도에서의 PbTe층들은 결정화가 되어있음을 알 수 있었다. 또한 PbTe 박막의 XRD 피크들은 (h00)의 방향성을 나타내고 있다. Pb의 재증발로 인하여 $400^{\circ}C$이상에서는 PbTe 박막은 결정성의 박막으로 형성되지 않았다. AFM 이미지로부터 박막의 표면은 작은 granular 결정들과 평탄한 매트릭스로 구성되어 있음이 관찰되었다. 기판온도의 증가에 따라 표면의 입자들이 커지는 것을 알 수 있었다. Hall-effect 측정으로부터 $300^{\circ}C$에서 성장한 PbTe 박막의 전기적 특성은 $3.68{\times}10^{18}cm^{-3}$의 캐리어 농도와 $148\;cm^2/Vs$의 Hall 이동도를 나타내었다.

  • PDF

영구자석과 홀소자로 구비된 집게형 맥진기를 이용한 맥진파형 측정과 분석 (Measurement and Analysis of Pulse Wave using Clip Type Pulsimeter Equipped with a Permanent Magnet and a Hall Device)

  • 손일호;이상석
    • 한국자기학회지
    • /
    • 제21권3호
    • /
    • pp.104-107
    • /
    • 2011
  • 비가압 상태에서 정확하게 측정한 맥진파형 신호를 얻기 위하여 영구자석과 홀소자로 구비된 안정시 휴대성이 가능한 집게형 맥진기 시제품을 개발하였다. 소형 영구 자석 1개 위치 변화로 얻은 요골동맥 맥진 파형의 4가지 중요 상관인자인 주기, 수축시간, 반사파시간, 절흔 시간들을 결정하여 5초간 수집한 실험값들을 서로 비교 분석하였다. 집게의 스프링에서 누르는 일정 압력을 사용해 가압 느낌 없이 재현성 있는 맥박수 및 혈압 측정함으로써 홀소자 집게형 맥진기 개발이 가능함을 보여주었다.

Assessment of Display and Events of Agro-Healing Experience Center for Visitors Satisfaction and Revisit Intention: A Case Study of 2018 Changwon Agricultural Technology Exhibition

  • Jang, Hye Sook;Gim, Gyung Mee;Jeong, Sun-Jin;Kim, Jae Soon
    • 인간식물환경학회지
    • /
    • 제22권1호
    • /
    • pp.15-29
    • /
    • 2019
  • The purpose of this study is to investigate the effects of the exhibition displays and events of the Agro-healing Experience Hall in the Agricultural Technology Exhibition 2018 on satisfaction and revisit intention of visitors. A survey was conducted on visitors of the Agro-healing Experience Hall and the responses of 274 visitors excluding 26 cases with inappropriate responses were analyzed. For psychological measurement, the Perceived Restorativeness Scale (PRS), Profile of Mood States (POMS), level of plant gardening experience, satisfaction and loyalty were measured. There was a significant difference among age groups in all four factors of the PRS (repose, fascination, coherence, and legibility). In the case of education level, there was a significant difference in the three factors (repose, fascination, and legibility). In addition, average monthly income showed a significant difference among groups in the two factors (fascination and coherence). As a result of analyzing the mood states of visitors for the exhibition events of the Agro-healing Experience Hall, there was a significant difference among age groups only in the case of vigor (p < .05). As a result of analyzing the correlation between the level of plant gardening activities (3 factors) and PRS (4 factors) in the exhibition events of the Agro-healing Experience Hall, plant preference tendency and plant-related event showed a high positive correlation of 0.5 or more with repose of the PRS factors. A multiple regression analysis was conducted to investigate the effects of the level of plant gardening activities, PRS and POMS on the satisfaction and loyalty of visitors. As a result, it was found that in terms of relative explanatory power over independent variables affecting satisfaction and revisit intention, fascination had the greatest effect, followed by vigor, fatigue, and occupation (company employee). The results of this study suggest that exhibition events of the Agro-healing Experience Hall affect repose, fascination or vigor of visitors, and thus can be used positively to increase satisfaction and revisit intention of visitors.

1:25 축소모형 홀에서 확산체의 설치부위에 따른 실내 음향지표의 변화 (Effect of Diffuser Locations on the Room Acoustical Parameters in 1:25 Scale Model Hall)

  • 김용희;서춘기;이혜미;전진용
    • 한국음향학회지
    • /
    • 제31권3호
    • /
    • pp.115-128
    • /
    • 2012
  • 본 연구는 확산체의 확산계수 측정결과를 바탕으로 확산체의 설치가 홀 내부 음장분포에 미치는 영향에 대하여 알아보았다. 오케스트라쉘이 설치된 600석 규모의 축소모형 홀을 측정대상으로 이용하였다. 잔향실법 흡음률 측정을 통해 1: 25 축소모형의 벽체와 객석부 재료 (관객 및 의자)가 선정되었고, 만석 시 잔향시간을 기준으로 컴퓨터 시뮬레이션과 대응되도록 제작하였다. 다양한 확산체 부착위치에 따른 물리적 음장의 변화를 측정하기 위해 반구 확산체를 측벽, 발코니전면, 천장 등 부위별로 7가지 조합을 만들어, 확산체 유/무에 따른 음향지표의 변화를 측정하였다. 사용된 음향지표는 잔향시간 (RT), 초기감쇠시간 (EDT), 명료도 (C80), 중심시간 (Ts), 음압레벨 (G)과 더불어 임펄스리스펀스의 자기상관함수 (ACF)로부터 도출되는 Temporal diffusion (TD)을 이용하였다. 실험결과, 확산체 설치에 따라 흠음력과 확산면적이 증가하였고, 이에 따라 평균 RT, 평균 EDT, 평균 G는 감소하는 경향을 보였다. 또한 확산체 설치로 인해 초기반사음의 방향전환이 활발하게 발생했고, 평균 TD은 측정 케이스에 따라 6.05에서 6.30의 값을 보였다. 확산체 설치에 가장 민감한 지표는 RT (R = 0.94)로 나타났고, TD와 EDT의 상관관계 (R = 0.73)가 높은 것으로 나타났다. 확산체 설치부위의 영향은 각 음향지표의 변화양상을 통해 논의되었다.

확산음장의 물리적 평가 - 확산체 설계이론과 방법론 - (Objective evaluation of scattered sound field: Theory and methodology of diffuser design)

  • 사토신이치;전진용
    • 한국소음진동공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국소음진동공학회 2007년도 추계학술대회논문집
    • /
    • pp.979-982
    • /
    • 2007
  • The effect of a scattering wall surfaces on sound diffusion can be assessed by determining the scattering and diffusion coefficients in the laboratory. However, the sound field in a concert hall including scattered reflections is different from the laboratory measurement condition. Therefore, there is a need for objective investigation of diffusion in real sound fields. In this paper, possible acoustical parameters of in-situ measurements are discussed.

  • PDF

RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 Bismuth 박막의 제조와 그 전기적 특성 연구 (Preparation of Bismuth Thin Films by RF Magnetron Sputtering and Study on Their Electrical Transport Properties)

  • 김동호;이건환
    • 한국표면공학회지
    • /
    • 제38권1호
    • /
    • pp.7-13
    • /
    • 2005
  • Bismuth thin films were prepared on glass substrate with RF magnetron sputtering and effects of substrate temperature on surface morphology and their electrical transport properties were investigated. Grain growth of bismuth after nucleation and the onset of coalescense of grains at 393 K were observed with field emission secondary electron microscopy. Continuous thin films could not be obtained above 473 K because of grain segregation and island formation. Hall effect measurements showed that substrate heating yields the decrease of carrier density and the increase of mobility. Resistivity of bismuth film has its minimum (about 0.7 x 10/sup -3/ Ωcm) in range of 403~433 K. Annealing of bismuth films deposited at room temperature was carried out in a radiation furnace with flowing hydrogen gas. The change of resistivity was not significant due to cancellation of the decrease of carrier density and the increase of mobility. The abrupt change of electrical properties of film annealed above 523 K was found to be caused by partial oxidation of bismuth layer in x-ray diffraction analysis.

ZnO 막막 센서의 TMA 가스 검지 특성 분석 (The analysis on TMA gas-sensing characteristics of ZnO thin film sensors)

  • 류지열;박성현;최혁환;김진섭;이명교;권태하
    • 전자공학회논문지D
    • /
    • 제34D권12호
    • /
    • pp.46-53
    • /
    • 1997
  • The TMA gas sensors are fabricated with the ZnO-based thin films grown by a RF magnetron sputtering method. The hall effect measurement and AES analysis are carried out to investigate the effects of the sputtering gases and dopants which effect on the electrical resistivity and sensitivity to TMA gas. We measure the cfhanges of the surface carrier concentration, haall electron mobility, electrical resistivity, surface condition, and depth profile of the films. The ZnO-based thin film sensors sputtered in oxygen, or added with dopants showed a high sruface carrier concentration, film sensors sputtered in oxygen and doped with 4.0 wt.% $Al_{2}$O$_{3}$, 1.0 wt.% TiO$_{2}$, and 0.2 wt% v$_{2}$O$_{5}$ showed the highest surface carrier concentration of 5.952 * 10$^{20}$ cm$^{-3}$ , hall electron mobility of 176.7 cm$^{2}$/V.s, lowest electrical resistivity of 6*10$^{-5}$ .ohm.cm and highest sensitivity of 12. These results were measured at a working temperature of 300.deg. C to 8 ppm TMA gas.

  • PDF

실리콘을 주입한 크롬이 도핑된 GaAs의 전기적 성질에 관한 연구 (Electrical Properties of Silicon Implants in Cr-Doped GaAs)

  • 김용윤
    • 대한전자공학회논문지
    • /
    • 제20권5호
    • /
    • pp.50-55
    • /
    • 1983
  • 본 논문에서는 여러 가지 이온 도우스와 열처리 온도에 대해서 hall-effect/sheet resistivity 측정방법을 이용하여 실리콘을 주입한 크롬이 도핑된 GaAs의 전기적 성질에 관한 연구를 하였다. 시료는 상온에서 이온을 주입하였으며 실리콘 나이트라이드 캘핑을 하여 15권동안 수소수국기에서 열처리하였다. 연구된 모든 도우스에서 n형 층이 형성되었으며 최적 열처리 온도는 850℃이었다. 크롬이 도핑된 GaAs기판에 대해 최대 전기적 활성화 효률은 89%이었다. 캐리어 농도와 이동도의 depth profile은 이온 도우스와 열처 이에 매우 의존적이다. 800노의 열처리 후에도 이온 주입에 의해 생긴 손상이 일부 존재하고 있었으며 900℃ 열처리에서는 주입된 실리콘 이온의 약부확산과 외류확산이 있었다.

  • PDF