• 제목/요약/키워드: H.N.C

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Effects of the Decomposition Residue of Compound Additive on Resintering Behavior

  • Kim, H.S.;C.Y. Joung;Kim, S.H.;S.H. Na;Lee, Y.W.;D.S. Sohn
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • 제34권4호
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    • pp.323-330
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    • 2002
  • Various types of compounds were tested with the aspects of decomposition and formation of residue in a $CO_2$ or 7H$_2$+93$N_2$ atmosphere. The evaporation temperature range of each compound was determined from thermogravimetric curve. Decomposition of dicarbon amide, stearic acid, acrowax and zinc stearate was studied by thermogravimetry in $CO_2$ or in 7H$_2$+93$N_2$ atmosphere. All compounds were decomposed in $CO_2$ atmosphere at lower than 40$0^{\circ}C$, but the residue, ZnO remained for zinc stearate. ZnO did not decompose in $CO_2$ atmosphere up to 130$0^{\circ}C$, but reduced into Zn metal and disappeared in the temperature range of $600^{\circ}C$ to 120$0^{\circ}C$ in 7H$_2$+93$N_2$ atmosphere. The effect of residue, which trapped in closed pores of sintered pellet, on the thermal stability was studied using the resintering test at 1$700^{\circ}C$ in 7H$_2$+93$N_2$ atmosphere. In the case of oxidative sintered pellet with admixing zinc stearate, the cavity formation accompanied with a density drop after resintering is due to the pressure of the Zn gases trapped in the isolated pores.

MOCVD growth of GaN and InGaN in a rotating-disk reactor

  • 문용태;김동준;김준형
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.109-109
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    • 1998
  • 최근 들어 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN, InGaN, AIGaN를 이용한 광소자 ( (LED, LD)와 전자소자(FET, MODFET)에 대한 관심이 고조되면서, MOCVD 법 을 이용한 GaN 중심의 질화물 반도체 성장에 관심이 집중되고 있다. 금번 실험에 사용된 MOCVD 장비는 수직형 MOCVD 장비이다. 특히, wafer c carner를 1$\alpha$)() rpm이상의 고속으로 회전시킬 수 있는 장치로서 원료 가스의 반웅 기 내에서의 흐름을 균일하게 하여 uniformity가 높은 질화물 반도체를 성장시킬 수 있다 .. GaN 에피충은 c-plane 사파이어를 기판으로 하여 11 00 "C 이상의 고온 에서 수소를 이용하여 기판을 cleaning하고, 500 "C 부근에서 핵생성충올 성장시 킨 후 1050 "C에서 trimethylgallium(TMGa)과 NI-h를 이용하여 성장시켰다. n n -GaN를 성장시키기 위해서는 SiH4을 사용하였으며, InGaN의 경우는 t trimethylindium(TMIn)을 In원 료 가스로 하여 635 - 725 "C 범 위 에 서 성 장시 켰 다. 성 장된 undoped GaN, n-GaN, InGaN는 X -ray di잔raction(XRD), H떠l m measurement, Photoluminescence(PU동올 이용하여 결정성과 전기적 및 광학적 특성올 고찰하였다 .. 2ttm 두께로 성장된 undoped G값V박막의 경우 Hall 측정결과 6 6 X lOI6/e며 정도의 낮은 도핑 농도를 보였으며, V!lII ratio(2500 - 5000)증가에 따라 결정성이 향상됨을 GaN (102)면의 X -ray e -rocking분석올 통하여 확인하 였다 .. n-GaN의 경우 SiH4양올 3 - 13 sccm으로 증가시킴에 따라 n -type 도명농 도가 선형적으로 증가하였고, 1017/c며 범위 내로 도평이 된 경우 상온에서 300 e마 N Ns 이상의 high mobility를 얻올 수 있었다 .. PL 관측 결과로부터 Si 도핑으로 인 하여 GaN bandedge emission이 강화됨을 알 수 있었다 .. InGaN 박막의 경우 성 장온도를 낮춤에 따라서 m의 양을 증가시킬 수 있었다. 또한 유량비(TMIn I T TMGa)가 1에 가까운 경 우에서도 온도를 635 "C 정도로 낮훈 경우 410 nm정도에 서 PL bandedge peak올 얻을 수 있었으며, 이 때의 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다. 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다.

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혼합금속산화물에 담지된 Pd-Rh의 허니컴 촉매에서 NO와 N2O의 동시 환원 - H2 또는 CO 환원제의 사용 (Simultaneous Catalytic Reduction of NO and N2O over Pd-Rh Supported Mixed Metal Oxide Honeycomb Catalysts - Use of H2 or CO as a Reductant)

  • 이승재;문승현
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제47권1호
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    • pp.96-104
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    • 2009
  • 혼합금속산화물에 담지된 Pd-Rh 허니컴 촉매 상에서 NO와 $N_2O$를 동시에 저감하기 위한 반응 온도를 낮추면서 각각의 반응물에 대한 전환율을 높이기 위하여, 환원제로 수소 또는 일산화탄소 사용에 대해 조사하였다. 각각의 환원제 사용 시, NO와 $N_2O$의 전환율에 대한 반응 조건의 영향을 조사하기 위해 반응온도, 각 환원제와 산소의 농도, NO와 $N_2O$ 간의 농도 비율 등을 변화시켰다. 먼저 수소를 환원제로 사용하는 경우, 산소의 부재시 $200^{\circ}C$ 미만의 저온에서 50% 이상의 NO와 $N_2O$ 전환율을 얻을 수 있었다. 한편, 일산화탄소를 환원제로 사용하는 경우에는 NO와 $N_2O$ 전환율이 각각 $200^{\circ}C$$300^{\circ}C$ 이상에서 증가하기 시작하였다. 그러나, 두 가지 환원제 모두의 경우에서, 반응 가스내에 산소 농도가 증가함에 따라 $N_2O$와 NO 전환율에 감소하였다. 결과적으로 일산화탄소 환원제에 비해, 수소 환원제가 상대적으로 저온에서 NO와 $N_2O$를 동시에 저감할 수 있으며, 산소 농도에 의한 영향을 덜 받는 것으로 나타났다. 반면, 반응물내 $N_2O$와 NO 농도비에 의한 NO와 $N_2O$ 전환율의 영향은 환원제의 종류에 크게 영향을 받지 않는 것으로 관찰되었다. 저온에서 NO와 $N_2O$를 동시에 저감시키기 위해서는 산소 분위기보다는 수소 분위기에서 촉매를 전처리하는 것이 보다 효과적인 것으로 나타났다.

상압소결에 의하여 제조된 SiC-AlN 세라믹스의 상 및 미세구조 (Phase and Microstructure of SiC-AlN Ceramics Prepared by Pressureless Sintering)

  • 최웅;이종국;조덕호;김환
    • 한국세라믹학회지
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    • 제32권11호
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    • pp.1308-1314
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    • 1995
  • Changes in phase and microstructure were investigated in the SiC-AlN ceramics prepared by pressureless sintering using yttrium aluminum garnet (YAG) as a sintering aid at 200$0^{\circ}C$ and 210$0^{\circ}C$. The SiC/AlN ratio made a remarkable difference in densification, phase relations and the morphology of grains. In the AlN-rich composition, major phase was 2H and microstructure was composed of the densified equiaxed grains irrespective of the sintering temperatures. While those sintered at 200$0^{\circ}C$ were porous with major phase being 3C, the rod-like and the equiaxed grains were coexisted when sintered at 210$0^{\circ}C$ in the SiC-rich composition.

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화학기상증착으로 Si(111) 위에 성장된 N-SiC(3C) 에피층의 특성 (Characterization of N-doped SiC(3C) epilayer by CVD on Si(111))

  • 박국상;김광철;남기석;나훈균
    • 한국결정성장학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.39-42
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    • 1999
  • N-도핑된 3C-SiC (N-SiC(3C))을 화학기상증착(CVD)으로 $1250^{\circ}C$에서 Si(111) 기판 위에 tetramethylsilane(TMS)를 열분해하여 성장하였다. 수송가스는 $H_{2}$이었고, N-SiC(3C) 에피층은 CVD로 성장되는 동안 $NH_{3}$에 의하여 n-형으로 도핑되었다. N-SiC(3C)의 물리적 특성은 적외선 분광(FTIR), X-선 회절(XRD), 라만 스펙트럼(Raman spectrum), 단면 투과전자영상(XTEM), Hall 측정 및 p/n 다이오드의 전압-진압(I-V) 특성에 의하여 조사되었다. N-도핑된 SiC(3C) 에피층의 전도형은 n-형이었고, 전도형은 $NH_{3}$를 사용한 N-dopant에 의하여 저온에서 잘 조절될 수 있다.

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새로운 Tetrazole유도체의 합성과 항균활성 (Synthesis and Antibacterial Activity of New Tetrazole Derivatives)

  • Mulwad, V.V.;Pawar, Rupesh B;Chaskar, Atul C
    • 대한화학회지
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    • 제52권3호
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    • pp.249-256
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    • 2008
  • 3-Acetyl/Formyl 4-hydroxy-2H(1)-benzopyran-2-one를 malonitrile와 ethyl cyanoacetate로 처리하여 각각 1,1-dicyano-2-[4/-hydroxy-2/H(1)-benzopyran-2/-one-3/-yl] ethene/propene 2a-h와 ethyl-2-cyano-3-[4/-hydroxy-2/H (1)-benzopyran-2/-one-3/-yl] propenoate/butenoate 3a-h를 얻었다. NaN3와 2a-h의 1.3 dipolar 반응에서 4a-h인 tetrazole유도체를 얻었다. 3a-h는 PPA를 이용한 고리화 반응으로 3-cyano-2H,5H-pyrano [3, 2-c] benzopyran-2,5-diones 5a-h를 얻었다. 5a-h는 NaN3와1.3 dipolar 반응으로 -(1/H-tetrazol-5/-yl)-2H,5H-pyrano[3, 2-c] benzopyran-2,5-diones 6a-h얻었다. 화합물의 구조는 스펙트럼과 자료 분석을 기초로 입증했다.모든 화합물은 항균 활성을 검사하였고 의미있는 항균성을 가짐을 밝혔다. 2h화합물과 4h 화합물은 50 킽/mL에서 활성을 보였다

COHOMOLOGY GROUPS OF CIRCULAR UNITS

  • Kim, Jae-Moon;Oh, Seung-Ik
    • 대한수학회지
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    • 제38권3호
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    • pp.623-631
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    • 2001
  • Let $\kappa$ be a real abelian field of conductor f and $\kappa$(sub)$\infty$ = ∪(sub)n$\geq$0$\kappa$(sub)n be its Z(sub)p-extension for an odd prime p such that płf$\phi$(f). he aim of this paper is ot compute the cohomology groups of circular units. For m>n$\geq$0, let G(sub)m,n be the Galois group Gal($\kappa$(sub)m/$\kappa$(sub)n) and C(sub)m be the group of circular units of $\kappa$(sub)m. Let l be the number of prime ideals of $\kappa$ above p. Then, for mm>n$\geq$0, we have (1) C(sub)m(sup)G(sub)m,n = C(sub)n, (2) H(sup)i(G(sub)m,n, C(sub)m) = (Z/p(sup)m-n Z)(sup)l-1 if i is even, (3) H(sup)i(G(sub)m,n, C(sub)m) = (Z/P(sup)m-n Z)(sup l) if i is odd (※Equations, See Full-text).

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Synthesis, Molecular and Microstructural Study of Poly-N-Vinylpyrrolidone Oximo-L-Valyl-Siliconate with IR, 1H-NMR and SEM

  • Singh, Man;Padmaja, G. Vani
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제31권7호
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    • pp.1869-1874
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    • 2010
  • By reducing PVP with $H_2NOH$.HCl and NaOH 2:2:1 mass ratios in aqueous ethanol, poly-N-vinyl pyrrolidone oxime [PVPO] was prepared with 92% yield. Applying the sol-gel concept, orthosilicic acid [OSA] was made by hydrolyzing TEOS with ethanol in 1:0.5 molar ratios using 1 N KOH aqueous solution as a catalyst. The OSA + PVPO + $_L$-Valine ($\alpha$-amino acid) were mixed with pure ethanolic medium in 1:2:2 mass ratios and refluxed at $78^{\circ}C$ and 6 pH for 6.5 h. A white residue of poly-N-vinyl pyrrolidone oximo-L-valyl-siliconate [POVS] appeared after 5 h. The heating of reaction mixture was stopped and the contents were brought to NTP. The residue formation of POVS was intensified with lowering a temperature and completely solidified within 5 h, was filtered using a vacuum pump with Whatmann filter paper no. 42. The residue of POVS was washed several times with 20% aqueous cold ethanolic solution and dried in vacuum chamber at $25^{\circ}C$ for 24 h. The MP was noted above $350^{\circ}C$. Structural and internal morphology were analyzed with IR and $^1H$-NMR, and SEM respectively. A drug loading and transporting ability of the POVS in water and at pH = 5 and 8 was determined chromatographically.

Effect of C/N ratio on polyhydroxyalkanoates (PHA) accumulation by Cupriavidus necator and its implication on the use of rice straw hydrolysates

  • Ahn, Junmo;Jho, Eun Hea;Nam, Kyoungphile
    • Environmental Engineering Research
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    • 제20권3호
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    • pp.246-253
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    • 2015
  • The effects of carbon-to-nitrogen (C/N) ratio in simulated rice straw hydrolysates using glucose and ammonium chloride on polyhydroxyalkanoates (PHA) accumulation by Cupriavidus necator was investigated. In general, PHA accumulation rate was higher under higher degrees of N-deficient conditions (e.g., C/N ratio of 360:1) than lower degrees of N-deficient conditions (e.g., C/N ratio of 3.6:1 and 36:1). Also, the most PHA accumulation was observed during the first 12 h after the PHA accumulation initiation. This study showed that the similar PHA accumulation could be achieved by using different accumulation periods depending on C/N ratios. N source presence was important for new cell production, supported by approximately ten times greater PHA accumulation under the N-deficient condition ($NH_4Cl$ 0.01 g/L) than the N-free (without $NH_4Cl$) condition after 96 h. C/N ratio of the rice straw hydrolysate was approximately 160:1, based on the glucose content, and this accumulated $0.36{\pm}0.0033g/L$ PHA with PHA content of $21{\pm}3.1%$ after 12 h. Since external C or N source addition for C/N ratio adjustment increases production cost, an appropriate accumulation period may be used for PHA accumulation from organic wastes, based on the PHA accumulation patterns observed at various C/N ratios and C and N concentrations.