HVPE(Hydride vapor phase epitaxy) 공법은 기체상의 원료를 사용하여 박막 또는 단결정을 제조하는 공법이다. 화학적 기상증착법의 원리를 적용하여 난용융성 또는 고융점의 물질의 단결정을 성장할 수 있는 공법으로서, 질화갈륨(GaN) 단결정을 얻을 수 있는 공법 중 하나이다. 최근 동 공법을 이용하여 질화알루미늄(AlN) 단결정을 성장하고자 하는 연구가 많이 수행되어져 왔으나, 아직은 좋은 결과를 얻지 못하고 있다. 본 연구에서는 AlN 단결정을 HVPE 공법으로 성장하고자 하였다. 성장 공정에서 질소를 운송가스(Carrior gas)로 사용하였으며, 질소(N2)의 양의 변화에 따른 성장 결과를 고찰하여 보았다. 질소의 양이 증가함에 따른 성장 결정의 변화 양상을 확인할 수 있었다. 성장된 AlN 단결정의 형상을 광학 현미경을 사용하여 관찰하였고, 이중결정 X선 회절 분석(DCXRD, Double crystal X-ray diffractometry)을 이용하여, AlN 결정의 생성을 확인함과 동시에 성장된 단결정의 결정성도 알아보았다.
본 연구에서는 $SF_6$ 가스 포접 하이드레이트 결정이 생성되고 성장하는 메커니즘의 특성을 기술하였다. 실험은 일정한 압력과 온도에서 2상 실험($SF_6$ 기상/수용액상)과 3상 실험($SF_6$ 기상/수용액상/$SF_6$ 액상)의 서로 다른 두 가지 상 조건에서 이루어졌다. 두 조건 모두 기체 영역과 수용액 영역 사이의 경계면에서 하이드레이트 결정의 수지상이 섬유상 형태로 상향 성장하는 거동을 보였다. 3상 실험의 경우 하이드레이트 생성이 진행됨에 따라, 반응기 내부압의 감소로$SF_6$ 액상에서 생성된 기포가 기체와 수용액 계면의 막에 도달하여 기포의 표면이 하이드레이트로 전환되었다. 본 논문에서는 결정의 핵생성과 이동, 성장, 간섭을 중심으로 $SF_6$ 가스하이드레이트 결정의 성장 특성을 기술하였다.
Retes, Pamela Lacombe;Neves, Danusa Gebin das;Bernardes, Laryssa Fernanda;Alves, Victoria Veiga;Goncalves, Natalia de Castro;Lima, Diego de Rezende;Alvarenga, Renata Ribeiro;Pereira, Barbara Azevedo;Seidavi, Alireza;Zangeronimo, Marcio Gilberto
Animal Bioscience
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제35권3호
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pp.385-398
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2022
Objective: The objective was to evaluate the influence of different dietary crude protein (CP) levels during the growth phase on reproductive characteristics and reproductive efficiency as well as the body development of adult male Japanese quail. Methods: Three hundred one-day-old male quails were distributed into five treatments with diets containing different CP levels (18%, 20%, 22%, 24%, and 26%) in a completely randomized design, with six replicates of ten birds each. The CP diets were applied only during the growth phase (1 to 35 days). At 36 days of age, the birds were transferred to 30 laying cages with three males and nine females each, and all birds received the same diet formulated to meet production-phase requirements until 96 days of age. Results: The growth rate of the birds increased linearly (p<0.01) with increasing dietary CP, but the age of maximum growth decreased (p<0.05). At growth maturity, all birds had the same body weight (p>0.05). At 35 days of age, higher weight gain was obtained (p<0.05) with diets containing 22% CP or higher. No effects on feed conversion were observed in this phase. The increase in dietary CP enhanced (p<0.01) nitrogen intake and nitrogen excretion but did not affect (p>0.05) nitrogen retention. Testis size, seminiferous tubular area, number of spermatogonia, and germinal epithelial height at 35 days of age increased linearly (p<0.05) with dietary CP, while the number of Leydig cells decreased (p<0.01). The Sertoli cell number at 60 days of age increased linearly (p<0.01) with dietary CP. Dietary CP levels did not affect cloacal gland size, foam weight, foam protein concentration, semen volume, or flock fertility at 90 days of age. Conclusion: Dietary CP concentration affected body and testicular development in male Japanese quails but did not affect reproductive efficiency.
본 연구에서는 기상화학 증착법으로 성장되는 GaN 후막에 대한 열역학적 전사모사를 수행하고 이를 실험결과와 비교, 검토하였다. 열역학적계산은 화학양론적 연산방식을 이용하여 수치 해석하였으며, 모사의 변수로써 온도범위는 400~1500K, 기상비율은 $(GaCl_3)/[GaCl_3+NH_3],(N_2)/(GaCl_3+NH_3)$를 취하였다. GaN의 성장온도 범위는 이론적인 계산이 실험결과보다 훨씬 낮은 450~750K으로 예측되었다. 성장온도에서 모사결과와 실험결과와의 차이는 GaN의 기상 에픽텍시 성장이 박막성장의 높은 활성화 에너지 때문에 반응속도론적으로 국한된 영역 내에서 발생한다는 것을 나타낸다.
본 논문에서는 Thalictrum rugosum 식물세포의 회분식 배양에 있어서 동역학적 특성들을 연구하였다. 본 실험에서 alkaloid의 생성은 일반적인 2차대사 산물의 생성 특성과 달리 세포성장에 비례함이 확인되었다. 세포 성장기의 비증식속도는 $0.20~0.25\;day\;^{-1}이었으며 FW / DCW 비가 배양상태를 나타내는 중요한 인자임을 알수 있었다. Cell yield는 0.36g cells/g sugar이었으며 berberine은 139mg/L까지 생성되었고 그중 120mg/L는 세포내에 존재하였다. 이를 specific content로 계산하면 dry cell weight의 1.10%가 된다. 세포 성장기에서 비증식속도와 당농도간의 관계는 Monod kinetics로 잘 기술될 수 있었다.
국내 중소기업 대부분이 요소기술 확보 및 운영 혁신의 어려움에 처해있다. 글로벌 시장진출 역량부족 등으로 인해 성장정체를 겪고 있으며, 이는 경기 침체, 고용불황, 성장동력 상실 등 악순환 반복을 유발하고 있다. 본 연구는 중소 중견기업의 통계 데이터분석과 중견기업의 사례분석을 통하여, 이를 극복하기 위해 기업의 성장단계별 중소기업 기술혁신 변곡점을 확인하고 중소기업이 중견기업으로, 중견기업이 대기업으로 성장하기 위한 성장단계별 기술혁신관점의 핵심성공요인을 제시하고 지속가능성장을 위한 기술전략을 제시하고자 한다.
High quality $VO_2$ thin films were successfully grown on GaN substrate by optimizing oxygen partial pressure during the growth using RF sputtering technique. The $VO_2$ thin film grown on GaN substrate exhibited an unusual metal insulator transition behavior, which was known to be observed only either in doped sample or under uniaxial stress. Raman spectra also confirmed that metal insulator transition occurred from monoclinic M1 to rutile R phase via monoclinic M2 phase with increasing temperature. We believe that large lattice mismatch between $VO_2$ and GaN substrate may cause M2 phase to be thermodynamically stable. Optical transmittance and its electrical switching behavior were carefully investigated to elucidate the underlying physics of its metal insulator transition behavior. This study may lead to a unique opportunity to better understand the growth mechanism of M2 phase dominant $VO_2$ thin films.
A fine $\alpha$-Al2O3 powder was prepared by sol-gel process for membrane application. And it was carried out by adding 1.5wt% $\alpha$-Al2O3 powders(mean size : 87 nm) as seeds to the prepared sols and by controlling the heating schedule (the heating rate and the soaking time) to prevent the microstructural change, which occured during $\theta$-to $\alpha$Al2O3 phase transformation. The seeded $\alpha$-Al2O3 particles acted as the heterogeneous nucleation sites for the $\alpha$-Al2O3 nucleation during the transformation of $\theta$- to $\alpha$-Al2O3 and resulted in increasing the driving force of phase transformation to activate the formation of $\alpha$-Al2O3 phase at 82$0^{\circ}C$. By $\alpha$-Al2O3 seeding and controlling of heating condition the phase transformation of $\theta$- to $\alpha$-Al2O3 was accomplished at low temperature and the grain growth process was depressed. Therefore, the unsupported membrane could be fabricated in $\alpha$-Al2O3 . The average diameter of pores in the fabricated membrane was 7 nm and the porosity was 47%.
Over the last decade, some Korean enterprises have emerged to become global players in their specialized products. How have they achieved such tremendous technological progress in a short period of time? This paper explores that question by examining the characteristics of technological innovation activities at major Korean enterprises. The paper begins with a brief review of the stages of economic growth and science and technology development in Korea. Then, the existing literature, explaining the Korean innovation model, is analyzed in order to establish a new framework for the Korean innovation model. Specifically, Korean firms have experienced three sequential phases, and thus, the Korean model, at the firm level, can be coined as "path-following," "path-revealing," and "path-creating." Then, the stylized facts in the first phase (path-following) and the second phase (path-revealing) are discussed, in the context of empirical evidence from the areas of memory chips, automobiles, shipbuilding, and steel. In terms of technology development, the Korean model has evolved as "collective learning" in the first phase, "collective recombination" of existing knowledge and technology in the second phase, and is assumed as "collective creativity" in the third phase. Ultimately, all three can be classified as "collective creation". Korean firms now face a transition in the modes of technological innovation in order to efficiently implement the third phase. To achieve remarkable progress again, as they did in the past, and to sustain the growth momentum, Korean firms should challenge new dimensions such as creative technological ideas, distinctive technological capabilities, and unique innovation systems -- all of which connote 'uniqueness'. Finally, some lessons from the Korean technological innovation experience are addressed.
Sintering behavior and microstructure development in the system ZnO-Bi2O3-CoO-Zn7Sb2O12 with Zn7Sb2O12 content(0.1mol%~2mol%) were studied. The pyrochlore phase was formed by the reaction of the Zn7Sb2O12 with Bi2O3 phase during heating (below 90$0^{\circ}C$). The formation temperature of the liquid phase (Bi2O3) was dependent on the Zn7Sb2O12 contents (about 74$0^{\circ}C$ for Bi2O3/Zn7Sb2O12>1 by the eutectic melting in the ZnOBi2O3 system, and about 110$0^{\circ}C$ for Bi2O3/Zn7Sb2O12 1 by the decomposition of pyrochlore phase). Hence, sintering behavior and microstructure development were determined virtually by the Bi2O3/Zn7Sb2O12 ratio, which were promoted by liquid (Bi2O3) phase and retarded by the pyrochlore (or spinel) phase. The grain growth of ZnO during sintering was sluggish with increasing Zn7Sb2O12 contents.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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