• 한국세라믹학회지
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• 제35권12호
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• pp.1329-1336
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• 1998

A twt -step carbothermal reduction scheme has been employed for the synthesis of SiC whiskers in an Ar or a H2 atmosphere via vapor-solid two-stage and vapor-liquid-solid growth mechanism respectively. It has been shown that the whisker growth proceed through the following reaction mechanism in an Ar at-mosphere : SiO2(S)+C(s)-SiO(v)+CO(v) SiO(v)3CO(v)=SiC(s)whisker+2CO2(v) 2C(s)+2CO2(v)=4CO(v) the third reaction appears to be the rate-controlling reaction since the overall reaction rates are dominated by the carbon which is participated in this reaction. The whisker growth proceeded through the following reaction mechaism in a H2 atmosphere : SiO2(s)+C(s)=SiO(v)+CO(v) 2C(s)+4H2(v)=2CH4(v) SiO(v)+2CH4(v)=SiC(s)whisker+CO(v)+4H2(v) The first reaction appears to be the rate-controlling reaction since the overall reaction rates are enhanced byincreasing the SiO vapor generation rate.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제22권1호
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• pp.28-32
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• 2023

Recently, the use of stable lithium nanostructures as substrates and electrodes for secondary batteries can be a fundamental alternative to the development of next-generation system semiconductor devices. However, lithium structures pose safety concerns by severely limiting battery life due to the growth of Li dendrites during rapid charge/discharge cycles. Also, enabling long cyclability of high-voltage oxide cathodes is a persistent challenge for all-solid-state batteries, largely because of their poor interfacial stabilities against oxide solid electrolytes. For the development of next-generation system semiconductor devices, solid electrolyte nanostructures, which are used in high-density micro-energy storage devices and avoid the instability of liquid electrolytes, can be promising alternatives for next-generation batteries. Nevertheless, poor lithium ion conductivity and structural defects at room temperature have been pointed out as limitations. In this study, a low-dimensional Graphene Oxide (GO) structure was applied to demonstrate stable operation characteristics based on Li+ ion conductivity and excellent electrochemical performance. The low-dimensional structure of GO-based solid electrolytes can provide an important strategy for stable scalable solid-state power system semiconductor applications at room temperature. The device using uncoated bare NCA delivers a low capacity of 89 mA h g-1, while the cell using GO-coated NCA delivers a high capacity of 158 mA h g−1 and a low polarization. A full Li GO-based device was fabricated to demonstrate the practicality of the modified Li structure using the Li-GO heterointerface. This study promises that the lowdimensional structure of Li-GO can be an effective approach for the stabilization of solid-state power system semiconductor architectures.

• 한국식품영양과학회지
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• 제33권1호
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• pp.59-65
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• 2004

본 연구에서는 누에번데기 또는 누에애벌레를 기주로 하여 인공 재배된 밀리타리스동충하초의 고형암 성장억제 및 면역조절 기능을 평가하였다. 이를 위해 sarcoma-180 세포주를 겨드랑이에 피하 이식받은 ICR 마우스를 대상으로 밀리타리스동충하초 또는 유효성 분으로 알려진 cordycepin을 10일간 복강투여한 후 고형암 성 장저지능, 면역관련 장기의 무게변화, 비장 내 면역세포수의 변화, 그리고 비장세포에 의한 interleukin-2(IL-2) 생성능을 측정하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 겨드랑이에 고형암을 이식받은 마우스에게 50 mg/kg(CMP50) 또는 100 mg/kg(CMP100)의 누에번데기 밀리타리스동충하초 추출물을 10일간 투여한 결과 생리식염수를 투여한 대조군에 비해 3주 후 고형암 성장이 47.3% 및 57.6% 유의하게 억제되었다(p<0.05). 50 mg/kg(CML50) 및 100 mg/kg(CML100)의 누에애벌레 밀리타리스동충하초를 투여받은 경우 35.5% 및 37.1%, 그리고 1 mg/kg 및 2 mg/kg의 cordycepin을 투여받은 군의 경우 26.1%와 29.8%의 고형암 성장 억제효과가 관찰되었다(p<0.05). 고형암을 이식받은 후 누에번데기 또는 누에애벌레 밀리타리스동충하초를 투여받은 마우스는 대조군에 비해 흉선무게가 38∼44% 유의하게 증가하였고(p<0.05), 비장내 CD4+ 및 CD8+ T-세포수, NK-세포수(63∼110% 증가), 그리고 비장세포에 의한 IL-2 생성능(33∼51%증가)이 모두 유의하게 증가하였다(p<0.05). 이상의 결과를 종합해 볼 때, 밀리타리스동충하초 열수추출물은 고형암의 성장을 억제하는 효과가 있으며, 이와 같은 밀리타리스동충하초 추출물의 항암활성은 면역기능 증강효과와 연관이 있을 것으로 생각된다. 아울러 밀리타리스동충하초의 고형암 성장억제 및 면역조절 기능은 cordycepin 단일물질에 비해 더 우수하였다.

• Current Photovoltaic Research
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• 제3권3호
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• pp.80-84
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• 2015

We suggest new emitter formation method using solid-phase epitaxy (SPE); solid-phase epitaxy emitter (SEE). This method expect simplification and cost reduction of process compared with furnace process (POCl3 or BBr3). The solid-phase epitaxy emitter (SEE) deposited a-Si:H layer by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) on substrate (c-Si), then thin layer growth solid-phase epitaxy (SPE) using rapid thermal process (RTP). This is possible in various emitter profile formation through dopant gas ($PH_3$) control at deposited a-Si:H layer. We fabricated solar cell to apply solid-phase epitaxy emitter (SEE). Its performance have an effect on crystallinity of phase transition layer (a-Si to c-Si). We confirmed crystallinity of this with a-Si:H layer thickness and annealing temperature by using raman spectroscopy, spectroscopic ellipsometry and transmission electron microscope. The crystallinity is excellent as the thickness of a-Si layer is thin (~50 nm) and annealing temperature is high (<$900^{\circ}C$). We fabricated a 16.7% solid-phase epitaxy emitter (SEE) cell. We anticipate its performance improvement applying thin tunnel oxide (<2nm).

• 한국결정성장학회지
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• 제25권4호
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• pp.160-165
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• 2015

Lead-free piezoelectric materials have been actively studied to substitute for conventional PZT based solid solution, $Pb(Zr_xTi_{1-x}O_3)$, which occurs unavoidable PbO during the sintering process. Among them, Bismuth Sodium Titanate, $Na_{0.5}Bi_{0.5}TiO_3$ (abbreviated as NBT) based solid solution is attracted for the one of excellent candidates which shows the strong ferroelectricity, Curie temperature (Tc), remnant polarization (Pr) and coercive field (Ec). Especially, the solid solution of rhombohedral phase NBT with tetragonal perovskite phase has a rhombohedral - tetragonal morphotropic phase boundary. Modified NBT with tetragonal perovskite at the region of MPB can be applied for high frequency ultrasonic application because of not only its low permittivity, high electrocoupling factor and high mechanical strength, but also effective piezoelectric activity by poling. In this study, solid state ceramic processing of NBT and modified NBT, $(Na_{0.5}Bi_{0.5})_{0.93}Ba_{0.7}TiO_3$ (abbreviated as NBT-7BT), at the region of MPB using 7 % $BaTiO_3$ as a tetragonal perovskite was introduced and the structure between NBT and NBT-7BT were analyzed using rietveld refinement. Also, the ferroelectric and piezoelectric properties of NBT-7BT such as permittivity, piezoelectric constant, polarization hysteresis and strain hysteresis loop were compared with those of pure NBT.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1996년도 The 9th KACG Technical Annual Meeting and the 3rd Korea-Japan EMGS (Electronic Materials Growth Symposium)
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• pp.5-18
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• 1996

The solid state cesium ion source os alumino-silicate based zeolite which contains cerium. The material is an ionic conductor. Cesiums are stably stored in the material and one can extract the cesiums by applying electric field across the electrolyte. Cesium ion bombardment has the unique property of producing high negative ion yield. This ion source is used as the primary source for the production of a negative ion without any gas discharge or the need for a carrier gas. The deposition of materials as an ionic species in the energy range of 1.0 to 300eV is recently recognized as a very promising new thin film technique. This energetic non-thermal equilibrium deposition process produces films by “Kinetic Bonding / Energetic Condensation" mechansim not governed by the common place thermo-mechanical reaction. Under these highly non-equilibrium conditions meta-stable materials are realized and the negative ion is considered to be an optimum paeticle or tool for the purpose. This process differs fundamentally from the conventional ion beam assisted deposition (IBAD) technique such that the ion beam energy transfer to the deposition process is directly coupled the process. Since cesium ion beam sputter deposition process is forming materials with high kinetic energy of metal ion beams, the process provider following unique advantages:(1) to synthesize non thermal-equilibrium materials, (2) to form materials at lower processing temperature than used for conventional chemical of physical vapor deposition, (3) to deposit very uniform, dense, and good adhesive films (4) to make higher doposition rate, (5) to control the ion flux and ion energy independently. Solid state cesium ion beam sputter deposition system has been developed. This source is capable of producing variety of metal ion beams such as C, Si, W, Ta, Mo, Al, Au, Ag, Cr etc. Using this deposition system, several researches have been performed. (1) To produce superior quality amorphous diamond films (2) to produce carbon nitirde hard coatings(Carbon nitride is a new material whose hardness is comparable to the diamond and also has a very high thermal stability.) (3) to produce cesiated amorphous diamond thin film coated Si surface exhibiting negative electron affinity characteristics. In this presentation, the principles of solid state cesium ion beam sputter deposition and several applications of negative metal ion source will be introduced.

• KSBB Journal
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• 제8권4호
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• pp.382-389
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• 1993

초산이온이 대장균 성장을 저해하는 현상을 규명 하기 위해서 M9 배지, LB 배지를 사용해서 플라스 크, 발효조 배양을 수행하였다. 대장균의 초산 생성 은 높은 포도당 초기 농도, LB 배지와 같은 복합 배 지에서 활발하였고, 플라스크 배양과 같은 pH 조절 이 되지 않는 배양방법에셔는 초산의 생성에 따른 pH 감소에 따라 세포성장이 많이 저해되었다. 초산 을 외부에서 첨가하여 세포성장에 마치는 영향을 조 사하여 보았는데 LB 배지를 사용한 플라스크 배양 에서는 첨가된 초산의 농도가 2g/l 이상, M9 배지 를 사용한 플라스크 배양에서는 초산의 농도가 4g/l 이상, 그리고 M9 배지를 사용한 발효조 배양에 셔는 8g/l 이상에서 초산의 성장 저해효과가 나타 다. LB 한천 배지를 볕에 깐 LB 액체 배지의 플라스 크 배양을 수행하였다. LB 한천의 양이 증가함에 따라서 한천에서 포도당의 방출이 일어나 최종 대장 균 세포 O.D.가 증가하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제16권5호
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• pp.210-215
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• 2006

본 연구에서는 순 Cu 및 Nb 혼합분말에 대하여 Ar 분위기 중 고에너지 볼밀처리를 실시하여 기계적 합금화(MA) 효과를 조사하였다. $Cu_xNb_{100-x}$(x=5-50) 조성의 혼합분말을 각각 120시간까지 MA 처리 한 결과, Cu의 bcc-Nb 과포화 고용체가 30 at% Cu까지 넓어짐을 X선 회절분석, DSC 열분석 및 저온비열 측정을 통한 초전도 천이온도 변화로부터 알수 있었다. 120시간 MA 처리한 $Cu_{30}Nb_{70}$ 조성합금의 열분석 결과 broad한 발열반응만이 관찰되었으며, 볼밀처리에 의하여 계에 축적되는 에너지는 볼밀시간에 따라 증가하여 7.5kJ/mol 에 포화됨을 알 수 있었다. Miedema et al.의 계산에 의하면 $Cu_{30}Nb_{70}$ 혼합분말과 과포화 고용체의 자유에너지 차가 7kJ/mol이며, 본 연구에서 MA에 의하여 계에 축적된 에너지 값과 거의 같은 사실로부터 이 계에서 열역학적으로 과포화 고용체가 충분히 얻어질 수 있음을 나타내는 것으로 판단된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권1호
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• pp.1-8
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• 2017

Metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) 방법을 이용하여 금속 촉매에 따른 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어의 제작과 특성에 대해 연구하였다. 본 연구의 성장 조건에서 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어의 성장이 가능한 금속 촉매는 Au, Cu 그리고 Ni이 있었으며 각 금속 촉매로 성장한 나노 와이어는 성장률과 형상에 많은 차이가 있었다. Ni 촉매 성장의 경우에는 Vapor-Solid(VS) 과정이 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어 성장의 주된 메커니즘이고 Au, Cu 촉매 성장의 경우에는 Vapor-Liquid-Solid(VLS) 과정이 주된 성장 메커니즘 임을 확인할 수 있었다. 또한, 촉매의 종류에 따라서 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어의 광학적 특성도 다르게 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 반면, 동일한 성장 조건에서 Ti, Ag 그리고 Sn 금속은 나노 와이어 성장을 위한 촉매로 작용하지 못하였다. 본 연구에서는 금속 촉매에 따른 나노 와이어의 성장 가능 여부와 성장한 나노 와이어의 특성 변화가 금속 촉매의 녹는 점, 금속- Ga의 공융 점과 관련이 있음을 상태도와 연관 지어 밝혀내었다.

• 한국환경복원기술학회지
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• 제21권6호
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• pp.15-25
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• 2018

본 연구는 빈도리나무를 대상으로 고형 계분의 시비 농도에 따른 빈도리나무 종자의 발아율, 묘목의 생장량, 건중량을 조사하였고, 재료 및 방법에 기술한 방법에 준하여 체내 무기양분 흡수량 및 토양의 화학적 변화 등을 분석하여 빈도리나무 유묘의 생장에 고형 계분의 적정 시용량에 대한 자료를 얻고자 실시하였다. 1. 고형 계분 처리 시 빈도리나무의 종자발아율은 대조구가 가장 높았으며, 고농도 계분 처리 시 발아율은 감소하는 경향을 나타냈다. 2. 묘의 생장량은 계분 처리구가 대조구 보다 모두 높은 생장량을 보였고, 유묘의 생장과 건중량에서도 1.0%처리구에서 가장 컸다. 3. 체내 무기양분 흡수량은 계분 처리 1.0%처리구에서 대부분 높았으며 2.0%에서 급격히 흡수량이 떨어졌다. 4. 빈도리나무 식재 토양의 경우 계분을 고농도로 처리할수록 pH는 낮아지고, 토양 중 잔류된 전질소, 유효인산, 치환성 K, Na 및 Mg 함량은 높아졌다.