침지노즐(SEN)의 재료로 사용되는 지르코니아/흑연 재질에서 용강 및 슬래그에 의한 침식의 형태를 살펴본 결과, 침식의 첫번째 기구는 부분안정화 지르코니아 내 안정화제인 CaO가 용강 및 슬래그에 의해 용해되면서 입방정 안정화 지르코니아가 단사정상으로 상전이하여 일어났는데, 상전이 시 부피팽창에 의한 균열이 발생하고 파괴가 진행되었고, 이로 인하여 미세 $ZrO_2$입자의 용해 및 탈락이 촉진되었다. 침식의 두 번째 기구는 슬래그가 큰 c-$ZrO_2$입자의 입계를 따라 침투하여 작은 입자들로 분리시키고, 작은 입자들이 용강과 슬래그에 탈락되어 진행되었다. 마지막 기구로는 입방정 지르코니아와 흑연이 반응하여 다공질의 미세한 ZrC 상을 형성하고, 이들이 slag에 용해되면서 침식이 진행되었다.
극청정 가스필터용 다공성 멤브레인을 제조하기 위해 금속산화물 분말의 in-situ한 환원/소결 공정을 이용하였다. 또한 기공도의 향상을 위해 solid pore forming agent로써 구형의 폴리머 입자를 첨가하여 금속 섬유를 사용한 멤브레인과 비슷한 52%의 기공도를 가지는 니켈 멤브레인을 제조하였다. 제조된 니켈 멤브레인은 폴리머의 첨가에 따라 평균기공크기와 기공도가 증가하였다. 한편 환원/소결 온도가 $800^{\circ}C$에서 $1000^{\circ}C$로 상승함에 따라 평균기공크기와 기공도는 감소하였다. 이는 환원/소결 온도가 상승함에 따라 격자확산 및 입계확산이 진행되어 멤브레인의 수축률 증가를 일으켰기 때문이다.
수직보자력이 크고 CoCrPt에 비하여 noise 저감 효과가 큰 것으로 알려진 CoCrPtTa계 합금박막의 수직이방성을 더욱 개선하기 위해 Ti를 우선 증착하였다. 본 연구에서는 Ti 두께 변화에 따른 비교적 높은 수직보자력치를 보였던 $CoCr_{16.2}Pt_{10.8}Ta_4$Ti/glass 시편에서 자기적 특성과 자구형상의 변화를 살펴보았다. 또한 VSM(Vibrating Sample Magnetometer)을 이용하여 M-H loop를 측정하였으며 자구형상은 MFM(Magnetic Force Microscopy)로 관찰하였다. 육방정 Ti가 하지층으로서 우선증착되면 bare glass 직접 증착되는 경우보다 CoCrPtTa 자성층의 수직이방성에 현저한 향상을 가져왔으며 Ti의 두께가 두꺼울수록 c-축 배향성도 개선되었다. MFM 결과에 의하면 Ti두레가 20 nm에서 90 nm로 증가함에 따라 자구형상이 연속적인 stripe type에서 mass type으로 분절된 형태로 변하였다. 이는 Ti의 증착이 비자성 Cr 편석 거동에 영향을 미쳐 자화반전시 인접 columnar grain의 자화벡터들간의 상호교환작용을 억제하는 자기적 분리 효과에 기여했음을 의미한다. 아울러 이와 같은 거동은 Ti가 CoCr계 자성층의 수직이방성을 개선하는데 있어서 형상자기이방성적인 측면에서의 기여가 현저함을 의미하기도 한다.
우리나라의 벼안전재배는 기상환경에 의해서 크게 좌우된다. 그러므로 기상재해를 경감시키기 위한 신품종의 육성 및 재배법 연구는 매우 중요하다. 그중에서도 벼의 냉해는 그동안 여러번에 걸쳐 심한 피해를 가져다 주어 그 중요성이 확인되어 많은 연구가 실시되었다. 본 논문에서는 이와 같은 냉해의 발생원인과 기작을 살펴보고 그 경감대책을 종합하여 보다 더 효율적인 연구와 실질적인 재배의 기초자료로 활용하고저 한다. 1. 우리나라 벼 냉해 상습지는 전국적으로 1,709개소에 약 15,522ha에 분포하고 있다. 2. 벼유묘기 냉해는 발아불량, 적고현상, 고사 및 뜸묘의 발생 등으로 나타난다. 3. 영양생장기의 냉해는 활착불량으로 분얼수가 감소하여 단위면적당 수수가 적고, 생육지연 및 유수형성 지연으로 출수가 지연된다. 4. 생식생장 초기의 냉해는 지경 및 영화의 퇴화, 발육정지가 되고, 감수분열기에는 화분발육의 조해로 불념이 증가되고 수장이 단축되며 출수지연으로 수량감소에 큰 영향을 준다. 5. 출수 및 등숙기 냉해는 개화, 출수 지연으로 수분, 수정이 불량하며 이삭목의 추출불량, 등숙불량 및 쌀의 미질이 불량하게 된다. 이상과 같은 냉해를 경감시키기 위한 기술시책으로는 6. 중산간지 및 산간고냉지에 적용되며, 내냉성이 높은 품종육성 7. 밭못리 육묘와 ABA, 후치왕, 다찌에스 등의 생장조정제를 이용한 건묘육성 8. 냉수답이나 냉해상습지에는 토양개량 및 육기작 시용으로 보비로 튼튼한 벼생육을 가져 온다. 9. 냉해시에는 깊게 물대기와 냉수관개시에는 우회수로, 비닐튜브 등을 이용한 물온도 높여 주기 등 합리적인 물관리가 필요하다. 10. 각 지역의 최고, 평균, 최저온도를 기본으로 한 안전작기를 책정하여 적기에 적품종을 재배하여야 한다.
본 연구에서는 플렉시블 염료감응 태양전지(F-DSC)의 투명전도막으로서의 적용 가능성을 평가하기 위하여 PET 기판위에 AZO 박막을 증착하였다. 또한 ITO와 AZO 박막을 이용하여 동일한 조건하에서 F-DSC를 제작하여 광변환효율을 조사하였다. AZO의 경우 체적저항율 및 증착율은 220[W]의 전력조건하에서 각각 $1.8{\times}10^{-3}[{\Omega}{\cdot}cm]$와 25.5[nm/min] 정도였으며, 광투과율은 약 87[%]였다. AZO 박막의 전기전도 메카니즘의 방전전력 의존성은 XPS 분석결과 방전전력이 증가함에 따라 O1s/Zn2p의 성분비가 증가하여 산소성분에 의한 도너 제공에 크게 영향을 받는 것으로 나타났다. 한편, AZO 투명전도막으로 제작된 F-DSC의 변환효율은 약 2.79[%] 정도였으며, 이는 상용 ITO의 2.94[%]에 거의 필적되는 값으로 AZO의 F-DSC에의 응용 가능성이 충분함을 알 수 있었다.
한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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pp.363-368
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1999
Multiseeding 방법을 사용하여 Y-Ba-Cu-0 초전도_ 시료를 제조하였다. Multiseeding은 여러개의 종자를 동시에 사용함으로써 단시간에 큰 size의 시료를 제조하고자 하는 의도에서 시도되었다. 또한 field-cooled 상태에서 포획 자기장의 크기를 측정함으로써 입자간 결합 상태와 시료의 품질을 평가하였다. 일반적인 방법으로 제조할 경우 포획 자기장 값은 입계를 지나면서 크게 감소하였는데, 이는 입계에 존재하는 잔류액상 및 미반응 211 입자 등에 기인한 결과이다. 입계를 따라 미반응상들이 잔류하는 현상을 억제하기 위해 본. 연구에서는 종자들간의 간격을 조절하였다. 그 결과 종자결정들간의 간격을 최대한 좁게 배열하였을 때 포획자기장의 크기가 입계에서 감소하지 않는 결과를 얻었다. 이와 같이 종자간의간격이 충분히 가까울 경우에는, 결정성장 초기에 두 입자가 하나로 결합될 수 있으므로 입계에 미반응 액상이 잔류하는 현상을 억제할수 있었던 것으로 생각된다.
This research is to aim at the study of sintering mechanism through the observation of microstructure by scanning electron microscopy, after the mixture of 30wt% $Al_2O_3$ (White Alundum) powder is fired in air at the temperature range of 1350~150$0^{\circ}C$ in order to sinter $Al_2O_3$-Al through the oxidation of Al powder. The results obtained in this experiment are as follows: 1. While the compressive strength of $Al_2O_3$(WA) body fired at $1450^{\circ}C$ for 5hrs in air is 150kg/$\textrm{cm}^2$, that of Al-$Al_2O_3$ body fired at 135$0^{\circ}C$, $1400^{\circ}C$ for 5hrs in air is 1100kg/$\textrm{cm}^2$, 1600kg/$\textrm{cm}^2$ respectively, and the higher the firing temperature, the more the compressive strength increases. These results from the sintering effect between $Al_2O_3$(WA) grains and surrounding Al-oxidation layer. 2. While the compressive strength of Al2O3(WA) body fired at 150$0^{\circ}C$ for 5hrs in air is 250kg/$\textrm{cm}^2$, the compressive strength of Al-$Al_2O_3$body fired under the same condition is 2050kg/$\textrm{cm}^2$ and water absorption 9.0%, porosity 23.3%, bulk density 2.60gr/$cm^3$. It is assumed that these results come from not only the grain growth of oxidized Al grains but also the increase of bonding strength between $Al_2O_3$(WA) grains.
Composite ceramics of alumina-TZP(3Y) have good mechanical and electrical properties. So, They have been used as high strength refractory materials and thick film substrates, etc. In this study, Composite ceramics of alumina-TZP(3Y) were fabricated by uniaxial pressing and sintering at 1,400, 1,500, and $1,600^{\circ}C$, and their microstructures and mechanical properties were investigated. As the TZP(3Y) content in composite ceramics increases from 20 wt.% to 80 wt.%, the fracture toughness increases monotonically, which seems to be related to the higher relative density and/or toughening mechanism by means of stabilized tetragonal zirconia phase at room temperature. In contrast to the fracture toughness, Vickers hardness of the composite ceramics shows maximum value (1,938 Hv) at a 40 wt.% of TZP(3Y). The result of Vickers hardness is likely to be due to more dense sintered microstructure of composite ceramics than pure alumina and reinforcement of composite ceramics with TZP(3Y), considering that Vickers hardness of pure $Al_2O_3$ is greater than that of TZP(3Y). It is also shown that the $ZrO_2$ particles are $l^{\circ}Cated$ between $Al_2O_3$ grains and suppress grain growth each other.
Morphological evolution and growth mechanism at the solid/liquid interface during solidification were investigated in the Ni-base superalloy GTD111M by directional soldification and quenching(DSQ) technique. The experiments were conducted by changing solidification rate(V) and thermal gradient(G) which are major solidification process variables. High thermal gradient condition could be obtained by increasing the furnace temperature and closely attaching the heating and cooling zones in the Bridgeman type furnace. The dendritic/equiaxed transition was found in the G/V value lower than $0.05$\times$10{^3}^{\circ}C$s/$\textrm{mm}^2$, and the planar interface of the MC-${\gamma}$ eutectic was found under $17 $\times$ 10{^3}^{\circ}C$ s/$\textrm{mm}^2$. It was confirmed that the dendrite spacing depended on the cooling rate(GV), and the primary spacing was affected by the thermal gradient more than solidification rate. The dendrite lengths were decreased as increasing the thermal graditne, and the dendrite tip temperature was close to the liquidus temperature at $50 \mu\textrm{m}$/s.
Chalcopyrite $CuInSe_2$(CIS) is considered to be an effective light-absorbing material for thin film photovoltaic solar cells. CIS thin films have been electrodeposited onto Mo coated and ITO glass substrates in potentiostatic mode at room temperature. The deposition mechanism of CIS thin films has been studied using the cyclic voltammetry (CV) technique. A cyclic voltammetric study was performed in unitary Cu, In, and Se systems, binary Cu-Se and In-Se systems, and a ternary Cu-In-Se system. The reduction peaks of the ITO substrate were examined in separate $Cu^{2+}$, $In^{3+}$, and $Se^{4+}$ solutions. Electrodeposition experiments were conducted with varying deposition potentials and electrolyte bath conditions. The morphological and compositional properties of the CIS thin films were examined by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and energy dispersive spectroscopy (EDS). The surface morphology of as-deposited CIS films exhibits spherical and large-sized clusters. The deposition potential has a significant effect on the film morphology and/or grain size, such that the structure tended to grow according to the increase of the deposition potential. A CIS layer deposited at -0.6 V nearly approached the stoichiometric ratio of $CuIn_{0.8}Se_{1.8}$. The growth potential plays an important role in controlling the stoichiometry of CIS films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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