• Korean Chemical Engineering Research
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• 제47권6호
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• pp.715-719
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• 2009

본 연구에서는 DNA 정보를 상변화 물질의 전기저항 변화특성으로 검출할 수 있는 상변화 전극 기판을 개발하였다. 이를 위해 반도체 공정에서 사용하는 Al을 사용하여 전극 기판을 제작하였다. 하지만 주사전자현미경을 이용하여 Al 전극의 단면 상태를 확인해 본 결과 PETEOS(plasma enhanced tetraethyoxysilane) 내에서 보이드(void)가 발생하여 후속공정인 에치백과 세정공정 분위기에 과도하게 노출되어 심하게 손상되어 전극과 PETEOS 사이에 홀(hole)로 변형된다. 이 문제점을 해결하기 위하여 에치백 및 세정 공정을 진행하지 않으면서 $Ge_2Sb_2Te_5$(GST) 박막의 단차피복성(stepcoverage)을 좋게 할 수 있고, 열역학적으로 GST 박막과의 반응성을 고려했을 때 안정적이면서 비저항이 낮은 TiN 재료를 사용하여 상변화 전극 기판을 제작하였다. 주사전자현미경을 통하여 전극의 단면의 상태를 관찰하였으며 TiN 전극과 GST 박막이 정상적으로 연결되어 있는 것을 확인하였다. 또한 저항측정 장비를 사용하여 TiN 상변화 전극 기판 위에 증착된 GST의 비정질과 결정질의 저항을 측정하였고, GST의 비정질과 결정질저항의 차이는 약 1,000배 정도로 신호를 검출하는데 충분함을 확인하였다.

• 정보저장시스템학회논문집
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• 제4권1호
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• pp.1-5
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• 2008

Super-resolution near-field structure (super-RENS) technology and solid immersion lens (SIL) based near-field (NF) technology have been expected as promising approaches to increase data capacity or areal density of optical disc. Super-RENS technology has been studied until now using mainly numerical aperture (NA) of 0.85 far-field optical system and possibility of tangential data density increment have been presented. NF technology has been studied with NA over 1 and presented demonstration of removable performance. To achieve much higher density, approach to increase NA of super-RENS by NF technology (Near-Field Super-Resolution, NFSR) can be a candidate and we think this technology would be advantageous compared to wavelength reduction or much higher NA increment of NF technology or much smaller effective optical spot size reduction of far-field super-resolution technology. In this paper we present readout result of ROM media having monotone pits using NF optical system with wavelength of 405nm and NA of 1.84 surface type SIL. GeSbTe material was used for super resolution active layer and pit length is 37.5nm which is shorter than resolution limit 55nm. We present the feasibility of NFSR technology by confirming the CNR threshold according to readout power (Pr) and CNR 33dB over threshold Pr.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.421-421
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• 2009

Since carbon nanotubes (CNTs) are discovered, tremendous attentions have been paid to these materials due to their unique mechanical, electrical and chemical properties. Thereupon, many methods to produce a large scale of CNTs have been contrived by many scientists and engineers. Thus the examination of growth mechanisms of CNTs, which is essential to produce CNTs in large scale, has been an attractive issue. Though many scientists have been strived to investigate and understand the growth mechanisms of CNTs, many of them still remain controversial or unclear. Here we introduce representative growth mechanisms of CNTs, based on broadly employed fabrication methods of CNTs. We applied Thermo-electrical Pulse Induced Evaporation (TPIE) method based on field and thermal evaporation to synthesis of CNTs. However TPIE method was originally devised to fabricate graphene sheets and $Ge_2Sb_2Te_5$ nanostructures. While performing TPIE experiments to synthesize graphene, we eventually found experimental results widely supporting the growth model of CNTs proposed already. We observed the procedure of growth of CNTs obtained by TPIE method through Transmission Electron Microscopy (TEM). We believe this study provides an experimental basis on understanding and investigating carbon-based nanomaterials.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권2호
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• pp.128-133
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• 2008

Phase-change random access memory (PRAM) chip cell phase of amorphous state is rapidly changed to crystal state above 160 Celsius degree within several seconds during Infrared (IR) reflow. Thus, on-board programming method is considered for PRAM chip programming. We demonstrated the functional 512Mb PRAM with 90nm technology using several novel core circuits, such as metal-2 line based global row decoding scheme, PN-diode cells based BL discharge (BLDIS) scheme, and PMOS switch based column decoding scheme. The reverse-state standby current of each PRAM cell is near 10 pA range. The total leak current of 512Mb PRAM chip in standby mode on discharging state can be more than 5 mA. Thus in the proposed BLDIS control, all bitlines (BLs) are in floating state in standby mode, then in active mode, the activated BLs are discharged to low level in the early timing of the active period by the short pulse BLDIS control timing operation. In the conventional sense amplifier, the simultaneous switching activation timing operation invokes the large coupling noise between the VSAREF node and the inner amplification nodes of the sense amplifiers. The coupling noise at VSAREF degrades the sensing voltage margin of the conventional sense amplifier. The merit of the proposed sense amplifier is almost removing the coupling noise at VSAREF from sharing with other sense amplifiers.

• 한국광학회지
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• 제18권5호
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• pp.351-361
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• 2007

마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 광기록 매체인 GST 박막과 보호층인 $ZnS-SiO_2$ 박막 또는 $Al_2O_3$ 박막을 c-Si 기판위에 증착한 뒤 in-situ 타원계를 사용하여 상변화 광기록층인 GST 시료의 타원상수 온도의존성을 실시간으로 측정한 결과 $300^{\circ}C$ 이상의 온도에서 GST의 고온 타원상수는 가열 환경 및 보호층의 종류에 따라 큰 차이를 보여주었다. 가열 환경 및 보호층의 종류에 따라 GST의 고온 타원상수가 달라지는 원인인 $1{\sim}2$시간의 긴 승온시간을 줄이기 위해 Phase-change Random Access Memory(PRAM) 기록기를 사용하였고 수십 ns 이내의 짧은 시간 내에 순간적으로 GST 시료를 가열 및 냉각하였다. GST층이 손상되지 않고 결정화 및 고온 열처리가 되는 PRAM 기록기의 기록모드와 레이저출력 최적조건을 찾았으며 다층박막 구조에서 조사되는 레이저 에너지가 광기록층인 GST에 흡수되는 양과 이웃하는 층으로 전파되는 양을 열확산방정식으로 나타내고 이를 수치해석적으로 풀어 레이저출력과 GST 박막의 최고 온도와의 관계를 구하였다. 지름이 1um 정도인 레이저스폿을 대략 $0.7{\times}1.0mm^2$의 면적내에 촘촘히 기록한 다음 고온 열처리된 GST 시료의 분광타원데이터를 500 um의 빔 크기를 가지는 마이크로스폿 분광타원계를 사용하여 구하고 그 복소굴절률을 결정하였다. In-site 타원계를 사용할 때에 가열 환경 보호층 물질의 영향을 크게 받은 GST의 고온 복소굴절률은 PRAM 기록기를 사용하였을 때에는 가열환경이나 보호층의 종류에 무관하게 안정된 값을 보여주었다 Atomic Force Microscope(AFM)과 Scanning Electron Microscopy(SEM)을 통해 관찰한 GST 다층박막시료의 고온 열처리 전후 표면미시거칠기 변화도 PRAM 기록기를 사용할 때에는 in-situ 타원계를 사용할 때보다 1/10 정도의 크기를 보여주어 PRAM 기록기와 분광타원계를 사용하여 결정한 GST의 고온광학물성의 신뢰성을 확인하여 주었다.