산화막의 NO/$N_2$ O 질화와 재산화 공정을 이용한 전하트랩형 NVSM용 게이트 유전막의 성장과 특성
(Growth and Characteristics of NO/$N_2$ O Oxynitrided and Reoxidized Gate Dielectrics for Charge Trapping NVSMs)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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- pp.9-12
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- 1998