Growth and Characteristics of NO/$N_2$ O Oxynitrided and Reoxidized Gate Dielectrics for Charge Trapping NVSMs
(산화막의 NO/$N_2$ O 질화와 재산화 공정을 이용한 전하트랩형 NVSM용 게이트 유전막의 성장과 특성)
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- Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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- 1998.11a
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- pp.9-12
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- 1998