• 한국표면공학회지
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• 제37권4호
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• pp.191-195
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• 2004

Gallium or sulphur additions in $CuInSe_2$ were prepared using RF magnetron sputtering and pulsed laser deposition respectively. All of the observed thin films shows a chalcopyrite structure with the S and Ga addition increases the favourable (112) peak. The optical absorption coefficients were slightly decreased. The energy band gap of films could be shifted from 1.04 to 1.68 eV by adjusting the mole ratio of S/(S+Se) and Ga/(In+Ga). It is possible to obtain the optimum energy band gap by adding S or Ga solute at a certain ratio in favour of Se and In respectively. It is also necessary to control the ratio of Ga and S additions and to retain a certain portion of In and Se to provide better properties of thin films.

• Nuclear Medicine and Molecular Imaging
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• 제43권4호
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• pp.330-336
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• 2009

목적: $^{68}$Ge/$^{68}$Ga-제너레이터에서 생산되는 PET용 방사성동위원소인 $^{68}$Ga을 NOTA와 DOTA에 표지하는 조건을 확립하고 이의 안정성 및 단백질 결합 특성을 연구하였고, 여러 가지의 금속이온 공존시 표지효율에 미치는 영향도 관찰하였다. 대상 및 방법: 여러 가지 농도의 NOTA 3HCl과 DOTA 4HCl에 $^{68}$Ge/$^{68}$Ga-제너레이터에서 0.1 M HCl로 용출한 $^{68}$GaCl$_3$ 6.66$\sim$272.8 MBq 1.0 mL와 합치고 초산나트륨 또는 탄산나트륨 완충액을 사용하여 다양한 pH 조건에서 반응하였다. 다양한 금속이온(CuCl$_2$, FeCl$_2$, InCl$_3$, FeCl$_3$), GaCl$_3$, MgCl$_2$, CaCl$_2$)과 0.373 mM NOTA를 $^{68}$Ga(6.77$\sim$8.58 MBq)으로 표지할 때 표지효율을 관찰하였다. $^{68}$Ga의 표지효율은 ITLC-SG고정상으로 하고 아세톤과 생리식염수를 이동상으로 하여 측정하였다. 최적의 pH 조건에서 $^{68}$Ga-NOTA와 $^{68}$Ga-DOTA를 표지한 후 4 시간 동안 안정성을 확인하고, 사람 혈청에서의 단백질 결합능을 평가하였으며, 지용성 정도를 측정하기 위하여 octhanol distribulion 실험을 실시하여 log P값을 구하였다. 결과: $^{68}$Ga-NOTA와 $^{68}$Ga-DOTA의 치적 표지 pH 조건은 각각 pH 6.5와 3.5였고, NOTA는 실온에서 표지가 잘 되었으나 DOTA는 가열이 필요하였다. MgCl$_2$와 CaCl$_2$의 존재는 $^{68}$Ga-NOTA의 표지 효율에 영향을 미치지 않았으나 CuCl$_2$, FeCl$_2$, InCl$_3$, FeCl$_3$, GaCl$_3$이 존재할 경우에는 표지효율이 감소하였다. $^{68}$Ga-NOTA와 $^{68}$Ga-DOTA는 실온에 그대로 두거나 사람혈청과 37$^{\circ}C$에 두었을 때 4 시간 이상 안정하였고, 사람 혈청 단백질 결합능은 2.04$\sim$3.32%로 낮았으며, log P 값은 -3.07로 수용성을 보였다. 결론: $^{68}$Ga의 표지에는 NOTA가 DOTA에 비하여 이상적인 양기능성 킬레이트제로 쓰일 수 있음을 알았다. 또한 $^{68}$Ga-NOTA는 금속이온 존재시 표지효율이 떨어질 수 있지만 안정하고 낮은 단백질 결합을 보였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권2호
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• pp.66-68
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• 2014

Most commercial white LED lamps use blue chip coated with yellow emitting phosphor. The use of blue excitable red and green phosphors is expected to improve the CRI. Several phosphors, such as $SrGa_2S_4:Eu^{2+}$ and $(Sr,Ba)SiO_4:Eu^{2+}$, have been suggested in the past as green components. However, there are issues of the sensitivity and stability of such phosphors. Here, we describe gallium substituted $YAG:Ce^{3+}$ phosphor, as a green emitter. YAG structures are already accepted by the industry, for their stability and efficiency. LEDs with improved CRI could be fabricated by choosing $Y_3Al_4GaO_{12}:Ce^{3+}$ (green and yellow), and $SrS:Eu^{2+}$ (red) phosphors, along with blue chip. Also, the effect of a slight change in chip wavelength is studied, for two phosphor-coated w-LEDs. The reduction in particle size of the coated phosphors also gives improved w-LED characteristics.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.29-32
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• 1999

$GaF_3$ films were directly grown on p' and p-type GaAs(100) substrates using a $SF_6$ plasma discharge system. GaAs MIS(Meta1-Insulator-Semiconductor) capacitor was successfully fabricated for about 1 hour at temperature $290^{\circ}C$ using the as-grown $GaF_3$ films. The as-grown films on p'-GaAs exhibited a current density of less than 6.68 $\times$ $1O^{-9}$ A/$cm^2$ at a breakdown field of 500kV/cm and a refractive index of 2.0 ~ 2.3 at a wavelength of 632.8 nm. The dielectric constant was about 5 derived from 1 MHz capacitance-voltage (C-V) measurements. Dielectric dispersion of the fluoridated films on p'-GaAs measured ranged from 100 Hz to 10 MHz was not observed.