• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.287.1-287.1
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• 2016

Three-dimensional (3-D) semiconductor nanoarchitectures, including nano- and micro- rods, pyramids, and disks, are emerging as one of the most promising elements for future optoelectronic devices. Since these 3-D semiconductor nanoarchitectures have many interesting unconventional properties, including the use of large light-emitting surface area and semipolar/nonpolar nano- or micro-facets, numerous studies reported on novel device applications of these 3-D nanoarchitectures. In particular, 3-D nanoarchitecture devices can have noticeably different current spreading characteristics compared with conventional thin film devices, due to their elaborate 3-D geometry. Utilizing this feature in a highly controlled manner, color-tunable light-emitting diodes (LEDs) were demonstrated by controlling the spatial distribution of current density over the multifaceted GaN LEDs. Meanwhile, for the fabrication of high brightness, single color emitting LEDs or laser diodes, uniform and high density of electrical current must be injected into the entire active layers of the nanoarchitecture devices. Here, we report on a new device structure to inject uniform and high density of electrical current through the 3-D semiconductor nanoarchitecture LEDs using metal core inside microtube LEDs. In this work, we report the fabrications and characteristics of metal-cored coaxial $GaN/In_xGa_{1-x}N$ microtube LEDs. For the fabrication of metal-cored microtube LEDs, $GaN/In_xGa_{1-x}N/ZnO$ coaxial microtube LED arrays grown on an n-GaN/c-Al2O3 substrate were lifted-off from the substrate by wet chemical etching of sacrificial ZnO microtubes and $SiO_2$ layer. The chemically lifted-off layer of LEDs were then stamped upside down on another supporting substrates. Subsequently, Ti/Au and indium tin oxide were deposited on the inner shells of microtubes, forming n-type electrodes of the metal-cored LEDs. The device characteristics were investigated measuring electroluminescence and current-voltage characteristic curves and analyzed by computational modeling of current spreading characteristics.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권2호
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• pp.26-38
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• 1994

We demonstrate a repeatless transmission of 2.5 Gbps digital signal over 98 km opticla filbers using optical transmitter and optcial receiver which are designed and implemented using commercially available devices. The optical transmitter is realized by using a distributed feedback(DFB) laser. Temperature of the laser is thermoelectrically stabilized and the output optical power is also stabilized by using negative feedback. The output power of the transmitter is 0 dBm. The optical receiver consists of an InGaAs avalanche photodiode, a preamplifier. an automatic gain control amplifier, and a clock/data regenerator. We find an optimum decision threshold that gives the best receiver sensitivity form the measured V curve. The best sensitivity is -35.5dBm( BER-1*10S010T, PRBS=2S023T -1 ) and the overload power is -9 dBm. Finally, we achieve error free optical transmission with 98 km optical fibers. The exinction ration penalty of 2 dB. the chromatic dispersion penalty of 1 dB, and the total power penalty of 3.0 dB are measured. These results satisfy CCITT recommendation.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제16권3호
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• pp.313-317
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• 2012

We have evaluated a 1.3 ${\mu}m$ vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL), whose bottom mirror and central active layer were grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and whose top mirror was covered with a dielectric coating, for 10 Gb/s data transmission over single-mode fibers (SMFs). Successful demonstration of error-free transmission of the directly modulated VCSEL signals at data rate of 10 Gb/s over a 10 km-long SMF was achieved for operating temperatures from $20^{\circ}C$ to $60^{\circ}C$ up to bit-error-rate (BER) of $10^{-12}$. The DC bias current and modulation currents are only 7 mA and 6 mA, respectively. The results indicate that the VCSEL is a good low-power consuming optical signal source for 10 GBASE Ethernet applications under controlled environments.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.92-93
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• 2003

초고속 광전송 네트워크에 사용되는 광부품으로 단일 모드 광섬유와의 낮은 광 결합 손실을 가지는 레이저 다이오드 개발이 필수적이다. 이러한 레이저 다이오드의 요구되는 특성으로써 저가의 광부품 제작을 위해 thermoelectric cooler 없이 고온에서 안정된 동작을 하는 uncooled type에, 광 isolator 도움없이 광반사에 의한 광손실을 줄여야 한다. 이러한 요건을 충족시키기 위하여 선택적 영역 MOCVD성장을 이용한 InP／InGaAsP 계열의 SSC-LD(spot-size converter integrated LD)를 연구하여 왔다. (중략)

• The Korean Journal of Pain
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• 제3권2호
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• pp.139-143
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• 1990

대상포진성 신경통 환자의 통증을 조정하기 위한 목적으로 본원 통증치료실을 내원한 환자 26명을 대상으로 저출력 레이저 치료를 시행한 결과는 아래와 같다. 1) 통증완화 효과에 대한 평가로서 LLLT는 통증환자에게 비침습적이고 안전하게 시행할 수 있었다. 2) 저출력 레이저 조사후 VAS의 변화는 치료전 $7.57{\pm}1.81$, 5회후 $4.01{\pm}2.01$ 10회후 $3.28{\pm}1.85$ 15회후 $2.82{\pm}1.95$이었다(p<0.01). 3) 15회의 LLLT후 VAS의 개선율은 63%였다. 4) 가장 현저한 VAS의 개선율은 1회 LLLT후의 24%였고 VAS의 개선율은 7회 LLLT후에 나타났다. 5) 대상포진후 신경통으로의 이환은 60세 이상군에서 나타난 1명(3.8%)이었다. 60세 이하 군에서 VAS의 변화는 치료전 $7.67{\pm}2.31$, 5회후 $3.42{\pm}1.77$, 10회후 $2.88{\pm}1.33$, 15회후 $2.22{\pm}1.63$이었으며 VAS의 개선율은 각각 55%, 62%, 71%였다. 60세 이상 군에서는 VAS의 변화는 치료전 $7.49{\pm}1.44$, 5회후 $4.51{\pm}2.20$, 10회후 $3.76{\pm}2.38$, 15회후 $3.47{\pm}2.32$이고 VAS의 개선율은 각각 40%, 50%, 54%로 유의한 차이가 없었다(p>0.05). 7) LLLT중이나 후에 특이한 합병증은 없었다. 이상에서 볼 때 대상포진성 신경통 환자에서 LLLT는 초기에 통증을 조절할 뿐만 아니라 대상포진후 신경통으로의 이환을 줄이며 환자의 전신상태와 비교적 무관하게 치료를 적용할 수 있는 방법으로 사료된다.

• 생명과학회지
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• 제16권1호
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• pp.114-119
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• 2006

저출력 적외선 레이저가 손상된 말초신경의 재생에 미치는 영향을 알아보기 위하여 흰쥐의 양측 좌골신경에 압궤손상을 준 뒤, 레이저 조사 기간에 따라 1, 3, 5 및 7주군으로 나누어 손상된 좌골신경의 신경전도속도와 진폭을 측정하여 신경재생의 정도를 관찰한 결과는 다음과 같았다. 좌골신경전도속도 검사에서 압궤손상 유발후에 손상전보다 유의하게 전도속도가 지연되었으나, 레이저를 조사한 실험측은 치료후 3주에 현저하게 신경전도 속도가 증가하였다. 좌골신경 진폭 검사에서 압궤손상 유발후에 손상전보다 유의하게 진폭이 감소하였으나, 레이저를 조사한 실험측은 치료후 3주에 복합근 활동전위의 진폭이 유의하게 증가하였다. 이상의 결과로 보아, 저출력 레이저 조사는 손상된 좌골신경의 기능회복에 있어, 주로 손상 초기의 회복속도에 영향을 주는 것으로 생각되는 바, 향후 말초신경 손상의 재활치료에 고려해야 할 것으로 생각된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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• pp.185-188
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• 2003

본 논문에서는 공진기 길이 변화에 따른 V-자형 알루미늄갈륨비소-갈륨비소(AIGaAs-GaAs) 양자선 레이저의 서브밴드 에너지 천이에 대한 스펙트럼과 시간적 스위칭 특성을 조사하였다. $300{\mu}m$ 이하의 짧은 공진기 길이를 갖는 V-자형 양자선 레이저는 공진기 손실의 증가로 인하여 n=1에서 n=2 서브밴드(subband)로의 양자화 천이(불연속적인 파장 스위칭)가 발생하였고, 초단 광펄스를 생성하는 이득 스위칭방식을 이용하여 초고속 레이징 특성을 관찰하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회
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• pp.38-39
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• 2003

The GaAs semiconductor whispering gallery modes, produced in the peripheral Rayleigh band region of W／sub Rayleigh／ ＝ (${\Phi}$／2)( 1-n／sub eff／n), exhibit novel properties of ultralow thresholds open to nano-ampere regime associated with photonic quantum ring (PQR) production (Fig 1 (a)). The PQR phenomena are associated with a photonic field-driven phase transition of quantum well(QW)-to-quantum wire (QWR) and hence the photonic (non-de Broglie) quantum corral effects, on the Rayleigh cavity confined carriers in dynamic steady state, occur as schematically shown in Fig 1. (omitted)

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
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• pp.2-3
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• 2001

Characteristics of two-dimensional slab photonic crystal lasers will be summarized. Room temperature c.w operation is demonstrated at 1.6 $\mu\textrm{m}$ by using InGaAsP slab-waveguide triangular photonic crystal on top of wet-oxidized aluminum oxide. Recently, 2-D PBG structures have attracted a great deal of attention due to their simplicity in fabrication and theoretical study as compared to the three-dimensional counterparts [1]. Air-guided 2-D slab PBG lasers were reported by Caltech group (2). However, this air-slab structure is mechanically fragile and thermally unforgiving. Therefore, a new structure that can remove this thermal limitation is dearly sought after for 2-D PBG laser to have practical meaning. In this talk, we report room-temperature continuous operation of 2-D photonic bandgap lasers that are thermally and mechanically stable.(omitted)

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.69-70
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• 2008

Micro resonators have been actively investigated for bio/chemical sensors and RF M/NEMS devices. Among various materials, SiC is a very promising material for micro/nano resonators since the ratio of its Young's modulus, E, to mass density, $\rho$, is significantly higher than other semiconductor materials, such as, Si and GaAs. Polycrystalline 3C-SiC cantilever with different lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and its fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in air and vacuum at room temperature, respectively. For the cantilever with $100{\mu}m$ length, $10{\mu}m$width and $1.3{\mu}m$ thickness, the fundamental frequency appeared at 147.2 kHz.