Nitrogen source로 암모니아, $DMH_y$ (dimethylhydrazine)을 사용해 Gas-Source MBE로 성장된 InGaN 박막특성
(Growth of InGaN on sapphire by GSMBE(gas source molecular beam epitaxy) using $DMH_y$ (dimethylhydrazine) as nitrogen source at low temperature)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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- pp.1010-1014
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- 2004