• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.10
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• pp.845-850
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• 1997

수직형 FHD증착법을 사용하여 SiO$_{2}$, SiO$_{2}$-P$_{2}$O$_{5}$, SiO$_{2}$P$_{2}$O$_{5}$-B$_{2}$O$_{3}$-GeO$_{2}$계 실리카 유리미립자를 형성하였으며, SEM, ICP-AES, XRD, TGA-DSC을 사용하여 그 특성을 분석하였다. XRD측정을 통해, 미립자 형성시 사용된 화염온도(130$0^{\circ}C$-150$0^{\circ}C$)와 기판온도(-20$0^{\circ}C$)가 SiO$_{2}$-P$_{2}$O$_{5}$계 미립자를 비정질상태로 형성하였으며, SiO$_{2}$P$_{2}$O$_{5}$-B$_{2}$O$_{3}$와 SiO$_{2}$P$_{2}$O$_{5}$-B$_{2}$O$_{3}$-GeO$_{2}$계 미립자에서는 B$_{2}$O$_{3}$, BPO$_{4}$, GeO$_{2}$의 결정성피크들을 관찰하였다. TGA-DSC 열분석을 통해, SiO$_{2}$와 SiO$_{2}$-P$_{2}$O$_{5}$는 온도변화에 따른 질량변화가 없었으며, SiO$_{2}$P$_{2}$O$_{5}$-B$_{2}$O$_{3}$-GeO$_{2}$계의 경우 질량감소를 동반한 유리전이에 따른 분자이완현상 및 결정화나 회복반응을 나타내고 있다. 질량감소는 미립자가 결정상태일때 가속되는 경향을 나타냈으며, DSC열분석을 통해 SiO$_{2}$, SiO$_{2}$-P$_{2}$O$_{5}$, SiO$_{2}$P$_{2}$O$_{5}$-B$_{2}$O$_{3}$-GeO$_{2}$계 유리미립자들의 고밀화가 시작되는 온도를 각각 1224$^{\circ}C$, 1151$^{\circ}C$, 953$^{\circ}C$, 113$0^{\circ}C$에서 관찰하였다.

• Food Science and Preservation
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• v.16 no.5
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• pp.675-679
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• 2009

We investigated how Germanium (Ge) application, and the application method, affected 'Niitaka' (Pyrus pyrifolia) fruit quality in a conventional orchard. Ge-treated pears weredark yellow in color, indicating appropriate maturation. Other fruit characteristics, and weight, did not significantly differ between tests and controls. Compared to controls, fruit from Ge-treated trees had more soluble solids, a lower acid content, and fewer stone cells, which reduced fruit chewiness. Ge-treated trees showed a higher Ge concentration in fruit but a lower calcium (Ca) concentration. Other fruit mineral nutrients, includingP, K, and Mg, did not differ in level between Ge-treated fruit and controls. Ge-treated fruit showed greater firmness and a heavier specific weight during 6 months of storage, compared to control fruit. Therefore, Ge treatment reduced fruit pithiness, which can be a problem in 'Niitaka' pears. Overall, there was no significant difference between Ge-treated and control fruit qualities, but a combined Ge treatment (fertilization plus foliar application plus trunk injection) slightly improved fruit quality.

• Journal of Powder Materials
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• v.14 no.4
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• pp.272-276
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• 2007

P-type thermoelectric material $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ was sintered by Hot Press process (HP) and the effect of boron ($0.25{\sim}2$ at%) addition on the thermoelectric properties were reported. To enhance the thermoelectric performances, the $Si_{0.8}Ge_{0.2}$, alloys were fabricated by mechanical alloying (MA) and HP. The carrier of p-type SiGe alloy was controlled by B-doping. The effect of sintering condition and thermoelectric properties were investigated. B-doped SiGe alloys exhibited positive seebeck coefficient. The electrical conductivity and thermal conductivity were increased at the small amount of boron content ($0.25{\sim}0.5$ at%). However, they were decreased over 0.5 at% boron content. As a result, the small addition of boron improved the Z value. The Z value of 0.5 at% B doped $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ B alloy was $0.9{\times}10{-4}/K$, the highest value among the prepared alloys.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.533-533
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• 2007

The stress effect of SiGe p-type metal oxide semiconductors field effect transistors(MOSFETs) has been investigated to compare device properties using Si bulk and partially depleted silicon on insulator(PD SOI). The electrical properties in SiGe PD SOI presented enhancements in subthreshold slope and drain induced barrier lowering in comparison to SiGe bulk. The reliability of gate oxides on bulk Si and PD SOI has been evaluated using constant voltage stressing to investigate their breakdown (~ 8.5 V) characteristics. Gate leakage was monitored as a function of voltage stressing time to understand the breakdown phenomena for both structures. Stress induced leakage currents are obtained from I-V measurements at specified stress intervals. The 1/f noise was observed to follow the typical $1/f^{\gamma}$ (${\gamma}\;=\;1$) in SiGe bulk devices, but the abnormal behavior ${\gamma}\;=\;2$ in SiGe PD SOI. The difference of noise frequency exponent is mainly attributed to traps at silicon oxide interfaces. We will discuss stress induced instability in conjunction with the 1/f noise characteristics in detail.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.66-66
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• 1999

최근 들어 다결정 SiGe은 MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)에서 기존에 사용되던 다결정 Si 공정과의 호환성 및 여러 장점으로 인하여 다결정 Si 대안으로 많은 연구가 진행되고 있다. 고농도로 도핑된 P type의 다결정 SiGe은 Ge의 함량에 따른 일함수의 조절과 낮은 비저항으로 submicrometer CMOS 공정에서 게이트 전극으로 이용하려는 연구가 진행되고 있으며, 55$0^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서도 증착이 가능하고, 도펀트의 활성화도가 높아서 TFT(Thin Film Transistor)에서도 유용한 재료로 검토되고 있다. 현재까지 다결정 SiGe의 증착은 MBE, APCVD, RECVD. HV/LPCVD 등 다양한 방법으로 이루어지고 있다. 이중 HV/LPCVD 방법을 이용한 증착은 반도체 공정에서 게이트 전극, 유전체, 금속화 공정 등 다양한 공정에서 사용되고 있는 방법으로 현재 사용되고 있는 반도체 공정과의 호환성의 장점으로 다결정 SiGe 게이트 전극의 증착 공정에 적합하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 HV/LPCVD 방법을 이용하여 게이트 전극으로의 활용을 위한 다결정 SiGe의 증착 메카니즘을 분석하고 Ex-situ implantation 후 열처리에 따라 나타나는 활성화 정도를 분석하였다. 도펀트를 첨가하지 않은 다결정 SiGe을 주성엔지니어링의 EUREKA 2000 장비를 이용하여, 1000$\AA$의 열산화막이 덮혀있는 8 in 웨이퍼에 증착하였다. 증착 온도는 55$0^{\circ}C$에서 6$25^{\circ}C$까지 변화를 주었으며, 증착압력은 1mtorr-4mtorr로 유지하였다. 낮은 증착압력으로 인한 증착속도의 감소를 방지하기 위하여 Si source로서 Si2H6를 사용하였으며, Ge의 Source는 수소로 희석된 10% GeH4와 100% GeH4를 사용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 Ge 함량은 RBS, XPS로 분석하였으며, 증착된 박막의 두께는 Nanospec과 SEM으로 관찰하였다. 또한 Ge 함량 변화에 따른 morphology 관찰과 변화 관찰을 위하여 AFM, SEM, XRD를 이용하였으며, 이온주입후 열처리 온도에 따른 활성화 정도의 관찰을 위하여 4-point probe와 Hall measurement를 이용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 두게를 nanospec과 SEM으로 분석한 결과 Gem이 함량이 적을 때는 높은 온도에서의 증착이 더 빠른 증착속도를 나타내었지만, Ge의 함량이 30% 되었을 때는 온도에 관계없이 일정한 것으로 나타났다. XRD 분석을 한 결과 Peak의 위치가 순수한 Si과 순수한 Ge 사이에 존재하는 것으로 나타났으며, ge 함량이 많아짐에 따라 순수한 Ge쪽으로 옮겨가는 경향을 보였다. SEM, ASFM으로 증착한 다결정 SiGe의 morphology 관찰결과 Ge 함량이 높은 박막의 입계가 다결정 Si의 입계에 비해 훨씬 큰 것으로 나타났으며 근 값도 증가하는 것으로 나타났다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.13 no.8
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• pp.643-650
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• 2000

Density-of-states effective mass(m*$_{d}$) and conductivity mass(m*$_{c}$)for Ge and Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$ are obtained by using 8$\times$8 k.p and strain Hamiltonians. It is shown that m*$_{d}$ and m*$_{c}$ for electrons in Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) and Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$/Ge(001) are much smaller than those for electrons in relaxed Ge mainly due to the increase of interaction caused by the strain between the conduction band and valence bands at the $\Gamma$ point. The lift of degeneracy in Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) and Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) makes m*$_{d}$ and m*$_{c}$ for holes smaller than those in relaxed Ge and results in the decrease of the interband scattering as well as interband scattering. The decrease of the interband scattering is more obvious in Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) because of its large splitting energy between the heavy hole and light hole band. Therefore, Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) is expected to be good candidate for the development of ultra high-speed CMOS device.CMOS device.eed CMOS device.CMOS device.

• YAKHAK HOEJI
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• v.41 no.3
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• pp.359-364
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• 1997

Resistance gene mphK was cloned from Escherichia coli 209K strain which is highly resistant to erythromycin (EM). By using the cloned plasmid pGE64, E. coli NM522 was transformed. The comparison of macrolide-phosphotransferase K [MPH(K)] activity between E. coli 209K and E. coli NM522(pGE64) showed that the total enzyme activity of MN522(pGE64) was fifty-fole higher than that of 209K. To identify characteristics of MPH(K) more precisely. MPH(K) was isolated and purified from the NM522 (pGE64). The final purification f MPH(K) through several stages of purification process was 89 fole and the overall recovery was 11%. This enzyme was monomer with the molecular weight of 34 kDa and its isoelectric point (pI) was 5.0. The optimal pH and temperature for activity were 8.0 and $40^{\circ}C$, respectively.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.210-210
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• 2012

Ge 기판을 이용한 GaInP/GaAs/Ge 삼중접합 태양전지는 43.5%의 높은 광전효율을 기록하고 있으며, 이를 지상용 태양광 발전시스템에 이용하려는 연구가 진행 중이다[1]. 그러나, 이러한 다중접합 태양전지는 셀 제작 비용에 있어 Ge기판의 가격이 차지하는 비중이 높고 대면적 기판을 이용하기 힘든 단점이 있다. 한편, 무게, 기계적 강도와 열전도도 측면에서 Si 기판은 Ge 기판에 비해 장점이 있다. 아울러, 상대적으로 낮은 가격의 대면적 기판을 사용할 수 있기 때문에 Si 기판으로 Ge 기판을 대체할 경우 다중접합 태양전지의 높은 제작 비용을 낮추는 효과도 기대할 수 있다. Si 기판의 장점을 취하며 고효율 태양전지를 제작하기 위해, 이번 실험에서 우리는 Ge 에피층이 성장된 Si 기판 위에 GaAs 태양전지를 제작하였다. GaAs, GaInP와 비슷한 격자상수를 갖고 있는 Ge과 달리, Si은 이들 물질(GaAs, GaInP)과 4%의 격자상수 차이를 갖고 있으며 이로 인해 성장과정에서 관통전위가 발생하게 된다. 이러한 관통전위는 소자의 개방전압을 감소시키는 원인으로 작용한다. 실제로 Si 기판 위에 제작된 GaAs/Ge 이중접합 태양전지에서 관통전위 밀도에 따른 개방전압 감소를 확인할 수 있었다. 관통전위로 인한 영향 이외에, Si 기판위에 제작된 태양전지에서는Ge 기판 위에 제작된 태양전지에 비하여 낮은 fill factor가 관찰되었다. 이것은 Si 기판 위에 제작된 GaAs/Ge 이중접합 태양전지가 높은 직렬저항을 가지고 있기 때문이다. 따라서 이번 실험에서는 Si 기판 위에 제작한 GeAs/Ge 이중접합 태양전지의 직렬저항의 원인을 전산모사와 실험을 통하여 규명하였다. TCAD (APSYS-2010)를 이용한 전산모사 결과, Si 기판의 낮은 불순물 농도 ($1{\times}10^{15}/cm^3$)에 따른 직렬저항의 원인으로 파악되었으며, 전류-전압 특성을 측정하여 실험적으로 이를 확인하였다. 이러한 직렬저항 성분을 줄이기 위하여 Si 기판의 p형 불순물 농도가 전류 전압 특성 곡선에 미치는 영향을 전산모사를 통하여 알아보았으며, Si 기판의 불순물 농도가 $1{\times}10^{17}/cm^3$ 이상으로 증가할 경우, 직렬저항 성분이 크게 감소 하는 것을 전산모사 결과로 예상할 수 있었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.26 no.11
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• pp.1672-1678
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• 1989

Major problems preventing the device-quality GaAs/Si heterostructure are the lattice mismatch of about 4% and difference in thermal expansion coefficient by a factor of 2.64 between Si and GaAs. Ge is a good candidate for the buffer layer because its lattice parameter and thermal expansion coefficient are almost the same as those of GaAs. As a first step toward developing heterostructure such as GaAs/Ge/Si entirely by a home-built PAE (plasma-assisted epitaxy), Ge films have been deposited on p-type Si (100)substrate by the plasma assisted evaporation of solid Ge source. The characteristics of these Ge/Si heterostructure were determined by X-ray diffraction, SEM and Auge electron spectroscope. PAE system has been successfully applied to quality-good Ge layer on Si substrate at relatively low temperature. Furthermore, this system can remove the native oxide(SiO2) on Si substrate with in-situ cleaning procedure. Ge layer grown on Si substrate by PAE at substrate temperature of 450\ulcorner in hydrogen partial pressure of 10mTorr was expected with a good buffer layer for GaAs/Ge/Si heterostructure.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• v.26 no.10
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• pp.1543-1548
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• 2005

Two isostructural new alkaline earth germanium nitrides, $Sr_6Ge_5N_2\;and\;Ba_6Ge_5N_2$, were obtained as single crystals from constituent elements in molten Na. They both crystallize in space group $P_{mmn}$ (No. 59) with a = 4.0007(8), b = 17.954(3), c = 9.089(2) $\AA$, Z = 2, and a = 4.1620(2), b = 18.841(1), c = 9.6116(5) $\AA$, Z = 2, for $Sr_6Ge_5N_2\;and\;Ba_6Ge_5N_2$, respectively. Their crystal structure contains features for both Zintl and nitride phases: zigzag anionic chain of $_{\infty}Ge^{2-}$, and dumbbell-shaped bent anion of ${GeN_2}^{4-}$. Counter cations of Sr or Ba wrap these anionic units in a channel-like arrangement. Unlike in other germanium nitrides, bond lengths of both Ge-N arms of the ${GeN_2}^{4-}$, are same in $Sr_6Ge_5N_2\;and\;Ba_6Ge_5N_2$.