• 대한토목학회논문집
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• 제28권2D호
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• pp.227-234
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• 2008

국내의 경우 도로포장설계시 외국의 설계법을 단순히 도입하여 사용하고 있지만 건설재료, 기후 및 교통조건 등이 외국과 상이하기 때문에 근본적인 제한성이 있다. 특히, 국내 포장구조해석에서 아스팔트층 거동특성만을 중요시하는 해석은 포장구조체가 각 층의 영향을 받는 종합적인 거동특성을 보인다는 포장구조체 시스템적인 특성을 고려한다면 많은 문제점을 내포하고 있다. 따라서, 도로포장 설계시 합리적이고 경제적인 설계를 할 수 있도록 포장구조체의 해석시스템을 구축하여야 한다. 본 연구에서는 포장하부의 다층구조로서의 역학적 거동을 정확히 해석하기 위하여 비파괴 시험장비인 FWD(Falling Weight Deflectometer) 를 이용하여 층 재료 자체의 성질을 대변하는 모델 중 포장하부를 구성하는 재료에 대한 비선형 탄성모델의 적용성을 검토하고, 복잡한 실험을 통해 얻게되는 비선형탄성모델의 구성인자인 재료상수를 FWD 시험자료로부터 직접 추정하는 체계를 제안하였다. 먼저, FWD 시험의 비선형성을 고찰하고, 실내 $M_R$ 시험을 통해 결정되는 재료상수를 현장에서 수집된 FWD 자료로부터 추정하는 체계를 제안하였다. 제안된 체계로부터 추정된 재료상수는 실내시험을 통해 제안된 국내 보조기층의 재료상수 범위 내에 있음을 알 수 있었다. FWD 를 이용한 비선형모델 적용의 신뢰성을 검증하기 위하여 깊이별 처짐 측정장비인 MDD(Multi-Depth Deflectometer) 현장시험자료를 이용하였다. 검증결과, 본 연구에서 제안한 비선형탄성모델을 적용한 방법이 기존의 선형탄성모델보다 실제 MDD 실측값에 더 가까운 결과를 나타냄을 알 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제30권3호
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• pp.111-118
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• 2023

높은 전기전도도와 우수한 기계적 강도, 열안정성을 가진 2차원 전이금속탄화물 또는 질화물인 MXene은 최근 가볍고 유연한 전자파 차폐 소재로 많은 주목을 받고 있다. 특히, Ti 기반의 Ti₃C₂T_x와 Ti₂CT_x는 방대한 MXene 계열 시스템에서 전기 전도성과 전자파 차폐 특성이 가장 우수한 것으로 보고되고 있다. 따라서, 본 연구에서는 Ti₃AlC₂와 Ti₂AlC의 층간 금속 에칭과 원심 분리법을 통하여 합성된 Ti₃C₂T_x와 Ti₂CT_x 분산용액을 진공 여과법을 이용하여 수 마이크로 두께의 필름을 제작하였으며, 고온 열처리 후에 필름의 전기전도도 및 전자파 차폐 효율을 측정하였다. 그리고, X선 회절법과 광전자 분광법을 이용하여 열처리 후의 Ti₃C₂T_x와 Ti₂CT_x 필름의 구조적 변화와 전자파 차폐에 미치는 영향을 분석하였다. 본 연구의 결과를 바탕으로 향후 소형 및 웨어러블 전자기기에 적용하기 위한 매우 얇고 가벼운 우수한 성능의 MXene 기반 전자파 차폐 필름을 위한 최적 구조를 제안하고자 한다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제23권5호
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• pp.159-167
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• 2023

디지털 기술의 융·복합화와 급변하는 디지털 산업의 특성으로 인해, 그간 진행해온 기술 분야별 육성사업은 그 사업의 경계가 모호해져 사업효과가 분산되고, 기술발전을 수용하는 유연한 산업육성에 한계가 도달한 것으로 보인다. 따라서 향후 미래의 디지털콘텐츠 산업의 변화 방향에 효과적으로 대응하기 위한 디지털콘텐츠 산업육성사업 구조개편 및 관리체계 개선 방안을 제시하여 디지털콘텐츠 육성사업의 정책을 지원하는 것을 목표로 한다. 정부지원 사업의 구조분석과 진단을 통하여 기존 19개 내역사업과 49개 내내역사업을 7개 내역사업과 17개 내내역사업으로 개편하는 것을 제안하였다. 사업관리 체계 개선 방안으로 사업수행기관이 과다하고 세부사업지원 관리 총괄기관이 부재하여 사업간 유기적 연계 및 시장창출을 위한 규모 있는 사업 추진에 한계가 있으므로 이를 개선하기 위해 사업 관리기능을 총괄하는 총괄기관을 선정하고, 사업관리를 총괄기관으로 일원화하여 사업을 효율적으로 관리하게 할 필요가 있음을 제시하였다.

• 지능정보연구
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• 제27권1호
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• pp.191-207
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• 2021

오늘날 이동통신은 급증하는 데이터 수요에 대응하기 위해서 주로 속도 향상에 초점을 맞추어 발전해 왔다. 그리고 5G 시대가 시작되면서 IoT, V2X, 로봇, 인공지능, 증강 가상현실, 스마트시티 등을 비롯하여 다양한 서비스를 고객들에게 제공하기위한 노력들이 진행되고 있고 이는 우리의 삶의 터전과 산업 전반에 대한 환경을 바꿀 것으로 예상되고 되고 있다. 이러한 서비스를 제공하기위해서 고속 데이터 속도 외에도, 실시간 서비스를 위한 지연 감소 그리고 신뢰도 등이 매우 중요한데 5G에서는 최대 속도 20Gbps, 지연 1ms, 연결 기기 106/㎢를 제공함으로써 서비스 제공할 수 있는 기반을 마련하였다. 하지만 5G는 고주파 대역인 3.5Ghz, 28Ghz의 높은 주파수를 사용함으로써 높은 직진성의 빠른 속도를 제공할 수 있으나, 짧은 파장을 가지고 있어 도달할 수 있는 거리가 짧고, 회절 각도가 작아서 건물 등을 투과하지 못해 실내 이용에서 제약이 따른다. 따라서 기존의 통신망으로 이러한 제약을 벗어나기가 어렵고, 기반 구조인 중앙 집중식 SDN 또한 많은 노드와의 통신으로 인해 처리 능력에 과도한 부하가 발생하기 때문에 지연에 민감한 서비스 제공에 어려움이 있다. 그래서 자율 주행 중 긴급 상황이 발생할 경우 사용 가능한 지연 관련 트리 구조의 제어 기능이 필요하다. 이러한 시나리오에서 차량 내 정보를 처리하는 네트워크 아키텍처는 지연의 주요 변수이다. 일반적인 중앙 집중 구조의 SDN에서는 원하는 지연 수준을 충족하기가 어렵기 때문에 정보 처리를 위한 SDN의 최적 크기에 대한 연구가 이루어져야 한다. 그러므로 SDN이 일정 규모로 분리하여 새로운 형태의 망을 구성 해야하며 이러한 새로운 형태의 망 구조는 동적으로 변하는 트래픽에 효율적으로 대응하고 높은 품질의 유연성 있는 서비스를 제공할 수 있다. 이러한 SDN 구조 망에서 정보의 변경 주기, RTD(Round Trip Delay), SDN의 데이터 처리 시간은 지연과 매우 밀접한 상관관계를 가진다. 이 중 RDT는 속도는 충분하고 지연은 1ms 이하이기에 유의미한 영향을 주는 요인은 아니지만 정보 변경 주기와 SDN의 데이터 처리 시간은 지연에 크게 영향을 주는 요인이다. 특히, 5G의 다양한 응용분야 중에서 지연과 신뢰도가 가장 중요한 분야인 지능형 교통 시스템과 연계된 자율주행 환경의 응급상황에서는 정보 전송은 매우 짧은 시간 안에 전송 및 처리돼야 하는 상황이기때문에 지연이라는 요인이 매우 민감하게 작용하는 조건의 대표적인 사례라고 볼 수 있다. 본 논문에서는 자율 주행 시 응급상황에서 SDN 아키텍처를 연구하고, 정보 흐름(셀 반경, 차량의 속도 및 SDN의 데이터 처리 시간의 변화)에 따라 차량이 관련정보를 요청해야 할 셀 계층과의 상관관계에 대하여 시뮬레이션을 통하여 분석을 진행하였다.

• 산업클러스터
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• 제1권1호
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• pp.67-86
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• 2007

원주의료기기 산업은 업력, 매출, 인력 등의 열악한 초기조건에도 불구하고 단기간에 괄목할만한 성과를 나타냈다. 2007년 말 기준 기업 수 79개로 전국대비 4.6%가 원주에 입주하고 있으며, 매출액은 국내 총생산의 10%, 국내 총수출의 15%를 차지하고 지난 3년간 평균성장률 66.7%로 국내 의료기기산업 활성화에 기여하고 있다. 또한 우리나라 의료기기산업의 각 분야별 대표업체가 이미 원주로 이전하였거나, 이전계획을 가지고 있어 앞으로 원주의료기기 클러스터 형성이 가속화될 것이다. 현재 원주의료기기 클러스터는 초기 창업단계를 벗어나 성장단계로 진입하고 있다. 특히, 중앙정부의 클러스터 사업유치로 공통부품개발, 기업 ${\infty}{\pounds}$ 협력모델 구축, 공동마케팅 추진 등 네트워크 기능이 활성화되고 있으며 이를 통해 빠르게 성장하고 있다. 비록 선진국의 의료산업 관련 클러스터와 비교할 때 투자금액이나 인프라 측면에서 크게 미약하지만 지금까지 국내 의료기기 업체들의 독자적 성장모델 추구로 인해 국제경쟁력 확보에 실패하였다는 과거의 문화를 바꾸고 있다는 측면에서는 긍정적 성과를 이루었다고 판단된다. 원주의료기기 산업이 단기간에 급속히 발전했지만 국제적인 경쟁력을 갖춘 선진 산업클러스터와 비교하면 산업규모나 기업지원 인프라가 아직은 대단히 취약하다. 요약하면, 적은 R&D투자와 그에 따른 기술력 취약, 의료기기 연구개발 인력확보의 어려움, 국내외 마케팅 역량취약, 금융 인프라와 제도적 지원정책의 부족, 혁신주체들 간 네트워킹의 미성숙으로 요약될 수 있다. 이러한 문제점을 해결하고 원주의료기기 산업을 세계적 경쟁력이 있는 의료기기산업 클러스터로 육성하기 위해서는 부족한 관련 인프라를 보완하고 기술혁신과 공동마케팅, 기업지원 네트워크 확대가 더욱 필요하다. 지금까지 원주에서 추진해 온 경험을 바탕으로 판단하면 결론적으로 지역에 따라 차별화되고 산업구조 및 성숙도에 적$\ll$朗(낭)-유연한 형태의 우리만의 클러스터 모델발굴과 체계적인 산업육성전략 수립에 필요한 지자체 및 중앙정부의 구체적인 역할모색이 있어야만 원주의료기기 산업이 세계적인 클러스터로 발전할 수 있을 것으로 생각된다.

• 대한지리학회지
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• 제29권2호
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• pp.137-165
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• 1994

1980년대 한국의 산업구조조정과 지역불균등발전은 70년대말 직면한 위기를 극복하 고 총량적 경제성장을 지속시키기 위해 외연적 팽창과 내포적 발전을 동시에 추구했으뎌, 그 결과 한국 경제는 포드주의적 축적체제에서 주변성을 탈각하고 성숙되었다. 산업구조의 외연적 팽창과정에서 자본의 공간적 이동과 분업체계의 확충은 기존의 수도권-동남권의 양 극체제를 일정하게 유지하면서 한편으로 수도권지역에 산업의 재집중과 또 다른 한편으로 새롭게 조성된 호남, 충청권으로의 분산을 촉진시켰다. 산업구조의 내포적 발전과정에서 포 드주의적 분업체계의 심화는 경영관리 및 연구개발의 구상기능을 강화시키고 생산자서비스 를 일정하게 포섭한 독점자본의 본사, 생산공정의 자동화와 제품의 표준화, 규격화로 대량생 산체제를 달성한 대기업의 분공장, 이들 주변에서 값싼 노동력으로 부품생산을 담당하는 영 세하청공장들 간의 사회공간적 위계화를 촉진시키면서, 독점자본에 의한 공간지배를 보다 확대시키고 또한 치밀하게 함으로써 지역불균등발전을 심화시켰다.

• 전기화학회지
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• 제24권3호
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• pp.65-75
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• 2021

코인형 전지는 리튬 이차 전지 연구의 주요 평가 플랫폼으로써 새로운 소재 및 개념을 발굴하고 차세대 전지의 기초 연구에도 큰 기여를 하고 있다. 리튬 금속 전지는 500 Wh kg^-1 이상의 에너지 밀도를 구현할 수 있어 유망한 차세대 리튬 이차 전지 후보군으로 고려되고 있으나, 덴드라이트 형태의 리튬 전착과 함께 극심한 부피 변화 및 표면적 증가라는 성능 열화에 매우 취약하다. 특히, 리튬 금속 전지의 수명은 전해질 양, 리튬 두께, 내부 압력 등과 같은 전지 설계 및 구조에 매우 의존하기 때문에 코인셀 수준에서의 성능 평가 및 신뢰성에 치명적이다. 따라서, 기존 코인셀 구조를 개선한 리튬 금속 음극 특화 전지 설계 및 규격화가 요구된다. 본 연구에서는 상용수준에서의 주요 전지 설계 인자인 극소량의 전해질과 높은 양극 로딩 레벨, 박막 리튬 사용 등의 환경에서 성능 및 재현성을 확보한 코인셀 구조를 제안한다. 양극과 음극의 면적비를 1에 근접하게 제어하여 비활성 공간을 최소화하고 용량 저하현상을 완화시켰다. 또한, 코인셀 내 압력을 정량화하여 압력의 균일성이 중요한 인자임을 규명하고 유연성 고분자 (PDMS) 필름 도입과 내부 부품의 변화를 통해 기존보다 높고 (0.6 MPa → 2.13 MPa) 균일한 압력(표준편차: 0.43 → 0.16)이 가하도록 개조하였다. 이를 통해 최적의 설계를 정립을 통해 기존보다 향상된 재현성을 확인하였다.

• 대한지리학회지
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• 제47권4호
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• pp.522-540
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• 2012

본 연구는 1950년대 중반 이후 나타난 한국 경제지리학의 연구 성과와 과제를 검토하여 한국 경제지리학의 지향점과 연구 과제를 제시하는데 주안점을 두었다. 20세기 후반 이후 경제지리학은 새로운 이슈, 이론, 방법론 등의 도입과 함께 크게 발전하였다. 이에 따라 한국 경제지리학도 지난 반세기 동안 연구의 양적인 면과 질적인 면에서 크게 발전하였다. 본 논문은 1950년대 중반 이후 한국의 농업지리학, 공업지리학, 상업지리학 등의 문헌을 검토함으로써 한국 경제지리학의 동향을 분석하고자 하였다. 한국 경제지리학은 연구의 주제와 접근방법을 기반으로 네 개 시기- 요람기(1950년대), 정립기(1960~1970년대), 도약기(1980~1990년대 중반), 전환기(1990년대 후기 이후) -로 구분할 수 있다. 1980년대 한국 경제지리학의 연구 관심이 공업지리학으로 옮겨지면서 농업지리학은 크게 쇠퇴하였다. 특히, 1990년대 후반 이후 가치사슬, 혁신 클러스터, 협력과 경쟁 네트워크, 해외직접투자, 유연적 전문화, 벤처 생태계 등과 같은 주요 이슈를 중심으로 새로운 제도적 관점의 이론이 도입되면서 공업지리학은 크게 성장하였다. 상업지리학에서는 1980년대까지 정기시장, 상품 유통, 상가 구조 등에 관한 연구가 주로 이루어졌으나, 1990년대 이후에는 생산자 서비스를 중심으로 한 서비스 산업과 새로운 양식의 출현에 따른 소비 입지 형태와 상권에 관한 연구들이 많이 이루어졌다. 이와 더불어 1990년대 후반 이후 신경제지리학과 관련된 많은 연구와 담론들이 출현하기 시작하였다. 특히, 제도적 관점, 지식과 혁신, 생산 사슬과 혁신 네트워크, 산업 클러스터와 지역혁신체제 등을 중심으로 다양한 경제공간의 변화에 대한 연구가 활발히 이루어졌다. 한국 경제지리학은 1990년대 이후 급격한 양적 질적 성장을 이루었지만, 여전히 대부분의 연구가 몇몇 특정 공간과 이슈에 집중되어 있는 한계를 가지고 있다. 따라서 경제지리학 전반에서 볼 때, 새로운 이론적 및 방법론적 관점과 접근 방식을 보다 적극적으로 도입하여 연구 주제를 다양화 시켜야 할 뿐만 아니라 연구의 공간 범위도 다층화하는 것이 앞으로 중점으로 지향해야 할 주요 연구 과제이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.154-155
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• 2012

The promise of nano-crystalites (nc) as a technological material, for applications including display backplane, and solar cells, may ultimately depend on tailoring their behavior through doping and crystallinity. Impurities can strongly modify electronic and optical properties of bulk and nc semiconductors. Highly doped dopant also effect structural properties (both grain size, crystal fraction) of nc-Si thin film. As discussed in several literatures, P atoms or radicals have the tendency to reside on the surface of nc. The P-radical segregation on the nano-grain surfaces that called self-purification may reduce the possibility of new nucleation because of the five-coordination of P. In addition, the P doping levels of ${\sim}2{\times}10^{21}\;at/cm^3$ is the solubility limitation of P in Si; the solubility of nc thin film should be smaller. Therefore, the non-activated P tends to segregate on the grain boundaries and the surface of nc. These mechanisms could prevent new nucleation on the existing grain surface. Therefore, most researches shown that highly doped nc-thin film by using conventional PECVD deposition system tended to have low crystallinity, where the formation energy of nucleation should be higher than the nc surface in the intrinsic materials. If the deposition technology that can make highly doped and simultaneously highly crystallized nc at low temperature, it can lead processes of next generation flexible devices. Recently, we are developing a novel CVD technology with a neutral particle beam (NPB) source, named as neutral beam assisted CVD (NBaCVD), which controls the energy of incident neutral particles in the range of 1~300eV in order to enhance the atomic activation and crystalline of thin films at low temperatures. During the formation of the nc-/pm-Si thin films by the NBaCVD with various process conditions, NPB energy directly controlled by the reflector bias and effectively increased crystal fraction (~80%) by uniformly distributed nc grains with 3~10 nm size. In the case of phosphorous doped Si thin films, the doping efficiency also increased as increasing the reflector bias (i.e. increasing NPB energy). At 330V of reflector bias, activation energy of the doped nc-Si thin film reduced as low as 0.001 eV. This means dopants are fully occupied as substitutional site, even though the Si thin film has nano-sized grain structure. And activated dopant concentration is recorded as high as up to 1020 #/$cm^3$ at very low process temperature (＜ $80^{\circ}C$) process without any post annealing. Theoretical solubility for the higher dopant concentration in Si thin film for order of 1020 #/$cm^3$ can be done only high temperature process or post annealing over $650^{\circ}C$. In general, as decreasing the grain size, the dopant binding energy increases as ratio of 1 of diameter of grain and the dopant hardly be activated. The highly doped nc-Si thin film by low-temperature NBaCVD process had smaller average grain size under 10 nm (measured by GIWAXS, GISAXS and TEM analysis), but achieved very higher activation of phosphorous dopant; NB energy sufficiently transports its energy to doping and crystallization even though without supplying additional thermal energy. TEM image shows that incubation layer does not formed between nc-Si film and SiO2 under later and highly crystallized nc-Si film is constructed with uniformly distributed nano-grains in polymorphous tissues. The nucleation should be start at the first layer on the SiO2 later, but it hardly growth to be cone-shaped micro-size grains. The nc-grain evenly embedded pm-Si thin film can be formatted by competition of the nucleation and the crystal growing, which depend on the NPB energies. In the evaluation of the light soaking degradation of photoconductivity, while conventional intrinsic and n-type doped a-Si thin films appeared typical degradation of photoconductivity, all of the nc-Si thin films processed by the NBaCVD show only a few % of degradation of it. From FTIR and RAMAN spectra, the energetic hydrogen NB atoms passivate nano-grain boundaries during the NBaCVD process because of the high diffusivity and chemical potential of hydrogen atoms.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.292-292
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• 2016

Transition metal dichalcogenides (TMDs) with a two-dimensional layered structure have been considered highly promising materials for next-generation flexible, wearable, stretchable and transparent devices due to their unique physical, electrical and optical properties. Recent studies on TMD devices have focused on developing a suitable doping technique because precise control of the threshold voltage ($V_{TH}$) and the number of tightly-bound trions are required to achieve high performance electronic and optoelectronic devices, respectively. In particular, it is critical to develop an ultra-low level doping technique for the proper design and optimization of TMD-based devices because high level doping (about $10^{12}cm^{-2}$) causes TMD to act as a near-metallic layer. However, it is difficult to apply an ion implantation technique to TMD materials due to crystal damage that occurs during the implantation process. Although safe doping techniques have recently been developed, most of the previous TMD doping techniques presented very high doping levels of ${\sim}10^{12}cm^{-2}$. Recently, low-level n- and p-doping of TMD materials was achieved using cesium carbonate ($Cs_2CO_3$), octadecyltrichlorosilane (OTS), and M-DNA, but further studies are needed to reduce the doping level down to an intrinsic level. Here, we propose a novel DNA-based doping method on $MoS_2$ and $WSe_2$ films, which enables ultra-low n- and p-doping control and allows for proper adjustments in device performance. This is achieved by selecting and/or combining different types of divalent metal and trivalent lanthanide (Ln) ions on DNA nanostructures. The available n-doping range (${\Delta}n$) on the $MoS_2$ by Ln-DNA (DNA functionalized by trivalent Ln ions) is between $6{\times}10^9cm^{-2}$ and $2.6{\times}10^{10}cm^{-2}$, which is even lower than that provided by pristine DNA (${\sim}6.4{\times}10^{10}cm^{-2}$). The p-doping change (${\Delta}p$) on $WSe_2$ by Ln-DNA is adjusted between $-1.0{\times}10^{10}cm^{-2}$ and $-2.4{\times}10^{10}cm^{-2}$. In the case of Co-DNA (DNA functionalized by both divalent metal and trivalent Ln ions) doping where $Eu^{3+}$ or $Gd^{3+}$ ions were incorporated, a light p-doping phenomenon is observed on $MoS_2$ and $WSe_2$ (respectively, negative ${\Delta}n$ below $-9{\times}10^9cm^{-2}$ and positive ${\Delta}p$ above $1.4{\times}10^{10}cm^{-2}$) because the added $Cu^{2+}$ ions probably reduce the strength of negative charges in Ln-DNA. However, a light n-doping phenomenon (positive ${\Delta}n$ above $10^{10}cm^{-2}$ and negative ${\Delta}p$ below $-1.1{\times}10^{10}cm^{-2}$) occurs in the TMD devices doped by Co-DNA with $Tb^{3+}$ or $Er^{3+}$ ions. A significant (factor of ~5) increase in field-effect mobility is also observed on the $MoS_2$ and $WSe_2$ devices, which are, respectively, doped by $Tb^{3+}$-based Co-DNA (n-doping) and $Gd^{3+}$-based Co-DNA (p-doping), due to the reduction of effective electron and hole barrier heights after the doping. In terms of optoelectronic device performance (photoresponsivity and detectivity), the $Tb^{3+}$ or $Er^{3+}$-Co-DNA (n-doping) and the $Eu^{3+}$ or $Gd^{3+}$-Co-DNA (p-doping) improve the $MoS_2$ and $WSe_2$ photodetectors, respectively.