Over the recent years, surface enhanced Raman spectroscopy (SERS) has dramatically grown as a label-free detecting technique with the high level of selectivity and sensitivity. Conventional SERS-active nanostructured layers have been deposited or patterned on rigid substrates such as silicon wafers and glass slides. Such devices fabricated on a flexible platform may offer additional functionalities and potential applications. For example, flexible SERS-active substrates can be integrated into microfluidic diagnostic devices with round-shaped micro-channel, which has large surface area compared to the area of flat SERS-active substrates so that we may anticipate high sensitivity in a conformable device form. We demonstrate fabrication of flexible SERS-active nanostructured substrates based on soft-lithography for simple, low-cost processing. The SERS-active nanostructured substrates are fabricated using conventional Si fabrication process and inkjet printing methods. A Si mold is patterned by photolithography with an average height of 700 nm and an average pitch of 200 nm. Polydimethylsiloxane (PDMS), a mixture of Sylgard 184 elastomer and curing agnet (wt/wt = 10:1), is poured onto the mold that is coated with trichlorosilane for separating the PDMS easily from the mold. Then, the nano-pattern is transferred to the thin PDMS substrates. The soft lithographic methods enable the SERS-active nanostructured substrates to be repeatedly replicated. Silver layer is physically deposited on the PDMS. Then, gold nanoparticle (AuNP) inks are applied on the nanostructured PDMS using inkjet printer (Dimatix DMP 2831) to deposit AuNPs on the substrates. The characteristics of SERS-active substrates are measured; topology is provided by atomic force microscope (AFM, Park Systems XE-100) and Raman spectra are collected by Raman spectroscopy (Horiba LabRAM ARAMIS Spectrometer). We anticipate that the results may open up various possibilities of applying flexible platform to highly sensitive Raman detection.
Park, Chan-Rok;Yeop, Moon-Su;Lee, Bo-Ram;Kim, Ji-Soo;Hwang, Jin-Ha
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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pp.360-360
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2012
Zn-Sn-O (Zinc-Tin-Oxide; ZTO) thin films have been gaining extensive academic and industrial attentions owing to a semiconducting channel materials applicable to large-sized flat-panel displays. Due to the constituent oxides i.e., ZnO and SnO2, the resultant Zn-Sn-O thin films possess artificially controllable bandgaps and transmittances especially effective in the visible regime. The current approach employed RF sputtering in depositing the Zn-Sn-O thin films onto glass substrates at ambient conditions. This work places its main emphases on the electrical/optical features which are closely related to the combinations of processing variables. The electrical characterizations are performed using dc-based current-voltage characteristics and ac-based impedance spectroscopy. The optical constants, i.e., refractive index and extinction coefficient, are calculated through spectroscopic ellipsometry along with the estimation of bandgaps. The charge transport of the deposited ZTO thin films is based on electrons characteristic of n-type conduction. In addition to the basic electrical/optical information, the delicate manipulation of n-type conduction is indispensible in diversifying the industrial applications of the ZTO thin films as active devices in information and energy products. Ultimately, the electrical properties are correlated to the processing variables along with the underlying mechanism which largely determines the electrical and optical properties.
Park, Jae-joon;Park, Hongsik;Kim, Kyu-Yong;Jeon, Jong-Up
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제1권1호
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pp.84-93
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2001
An electromagnetic micro x-y stage for probe-based data storage (PDS) has been fabricated. The x-y stage consists of a silicon body inside which planar copper coils are embedded, a glass substrate bonded to the silicon body, and eight permanent magnets. The dimensions of flexures and copper coils were determined to yield $100{\;}\mu\textrm{m}$ in x and y directions under 50 mA of supplied current and to have 440 Hz of natural frequency. For the application to PDS devices, electromagnetic stage should have flat top surface for the prevention of its interference with multi-probe array, and have coils with low resistance for low power consumption. In order to satisfy these design criteria, conducting planar copper coils have been electroplated within silicon trenches which have high aspect ratio ($5{\;}\mu\textrm{m}$in width and $30{\;}\mu\textrm{m}$in depth). Silicon flexures with a height of $250{\;}\mu\textrm{m}$ were fabricated by using inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE). The characteristics of a fabricated electromagnetic stage were measured by using laser doppler vibrometer (LDV) and dynamic signal analyzer (DSA). The DC gain was $0.16{\;}\mu\textrm{m}/mA$ and the maximum displacement was $42{\;}\mu\textrm{m}$ at a current of 180 mA. The measured natural frequency of the lowest mode was 325 Hz. Compared with the designed values, the lower natural frequency and DC gain of the fabricated device are due to the reverse-tapered ICP-RIE process and the incomplete assembly of the upper-sided permanent magnets for LDV measurements.
In this work, we experimentally investigated the solar absorption performance of Cu-based scalable nanostructured surfaces and compared their performance with the conventional TiNOX. We fabricated Cu-based nanostructured surfaces with a controlled chemical oxidation process applicable to a large area or complex geometry. We optimized the process parameters including the chemical compounds, dipping time and process temperature. We conducted both lab-scale and outdoor experiments to characterize the conversion efficiency of each absorber surfaces with single and double glazing setup. Lab-scale experiment was conducted with $50mm{\times}50mm$ absorber sample with 1-sun condition (1kW/m2) using a solar simulator (PEC-L01) with measuring the temperature at the absorber plate, cover glass, air gap and ambient. From the lab-scale experiment, we obtained ${\sim}91^{\circ}C$ and $94^{\circ}C$ for CuO and TiNOX surfaces after 1 hr of solar illumination at single glazing, respectively. To measure the absorber performance at actual operating condition, outdoor experiment was also conducted using $110mm{\times}110mm$ absorber sample. We measured the solar flux with thermopile detector (919P-040-50). From outdoor experiment, we observed ${\sim}123^{\circ}C$ and $131^{\circ}C$ for CuO and TiNOX with 0.6 kW/m2 insolation at double glazing, respectively. We showed that the suggested nanostructured CuO solar absorber has near-equivalent collection efficiency compared with the state-of-the-art TiNOX surfaces even with much simpler manufacturing process that does not require an expensive equipment.
Fabrications of antireflection structures on solar cell were investigated to trap the light and to improve quantum efficiency. Introductions of patterned substrate or textured layer for Si solar cell were performed to prevent reflectance and to increase the path length of incoming light. However, it is difficult to deposit conformally flat electrode on perpendicular plane. ZnO is II-VI compound semiconductor and well-known wide band-gap material. It has similar electrical and optical properties as ITO, but it is nontoxic and stable. In this study, Al-doped ZnO thin films are deposited as transparent electrode by atomic layer deposition method to coat on Si substrate with micro-scale structures. The deposited AZO layer is flatted on horizontal plane as well as perpendicular one with conformal 200 nm thickness. The carrier concentration, mobility and resistivity of deposited AZO thin film on glass substrate were measured $1.4\times10^{20}cm^{-3}$, $93.3cm^2/Vs$, $4.732\times10^{-4}{\Omega}cm$ with high transmittance over 80%. The AZO films were coated with polyimide and performed selective polyimide stripping on head of column by reactive ion etching to measure resistance along columns surface. Current between the micro-columns flows onto the perpendicular plane of deposited AZO film with low resistance.
As the digital TV markets rapidly growing, many manufacturers introduce large size flat screen TV units. There are two different display types available to large size models which are plasma and TFT-LCD. Since both are constructed with thin large panels that are mostly fragile to even moderate mechanical shock inputs. Some large size panels are severely resonated by the acoustic sound generated TV which deteriorates video quality. Recognizing the potential problems of large displays, accurate measurement of the panels is to be an essential task for the reliable design. Measurement of mechanical properties of a thin large crystallized panel such as TFT-LCD display with traditional material testing equipments is challenging. Since TFT-LCDs are constructed with combination of brittle glass panels, polymer sheets, and liquid crystal, their properties are not only anisotropic but also usually non-linear. Accurate measurement of the properties often requires very expensive facilities. Especially when the size of the test sample is as large as 40-inch or wider, direct measurement cost is prohibitive. Even worse, machining of the large TFT-LCD to make a smaller size specimen that could be fit into a material tester is not possible because of liquid crystal leakage. A new method fer the measurement of elastic modulus of large TFT-LCD panel is presented in this article. The suggested method provides a simple, economic, and user-friendly way fer measuring the elastic modulus of large panels with considerable level of accuracy.
Surfaces found in nature, including biological surfaces have been providing inspiration to modify/fabricate artificial surfaces as solutions for tribological applications. As an example, the concept of 'lotus-effect' has motivated tribologists world wide to modify/fabricate surfaces for enhanced tribological performance. These was done by creating nano/micro-scale asperities on various surfaces using ion beam milling and ion-beam assisted roughening. In order to understand the attributes of natural surfaces, which are inspirational to tribologists, we characterized the surface of two natural surfaces-Nelumbo nucifera (lotus) and Colocasia esculenta leaves. Further, we evaluated their micro-scale friction property, both in their fresh and dried conditions. The characterization of surfaces was conducted using a confocal microscope and SEM, which involved the evaluation of size and distribution of protuberances. The micro-scale friction property was evaluated using a ball-on-flat type micro-tribo tester, under reciprocating motion. A soda lime glass ball (2 mm diameter) was used in these tests. Tests were conducted at the applied normal load of $3000{\mu}N$, at a sliding speed of 1 mm/sec for a scan length of 3 mm. All experiments were conducted at ambient temperature ($24{\pm}1^{\circ}C}$) and relative humidity ($45{\pm}5%$). It was observed that the friction behaviour of the natural surfaces was influenced by their surface characteristics (morphology and distribution of protuberances) and also by the condition (fresh or dried) in which they were tested.
We investigated the detection properties of nitrogen monoxide (NO) gas using transparent p-type $CuAlO_2$ thin film gas sensors. The $CuAlO_2$ film was fabricated on an indium tin oxide (ITO)/glass substrate by pulsed laser deposition (PLD), and then the transparent p-type $CuAlO_2$ active layer was formed by annealing. Structural and optical characterizations revealed that the transparent p-type $CuAlO_2$ layer with a thickness of around 200 nm had a non-crystalline structure, showing a quite flat surface and a high transparency above 65 % in the range of visible light. From the NO gas sensing measurements, it was found that the transparent p-type $CuAlO_2$ thin film gas sensors exhibited the maximum sensitivity to NO gas in dry air at an operating temperature of $180^{\circ}C$. We also found that these $CuAlO_2$ thin film gas sensors showed reversible and reliable electrical resistance-response to NO gas in the operating temperature range. These results indicate that the transparent p-type semiconductor $CuAlO_2$ thin films are very promising for application as sensing materials for gas sensors, in particular, various types of transparent p-n junction gas sensors. Also, these transparent p-type semiconductor $CuAlO_2$ thin films could be combined with an n-type oxide semiconductor to fabricate p-n heterojunction oxide semiconductor gas sensors.
A self-diagnostic, air-damped, piezoresitive, cantilever-beam microaccelerometer has been designed, fabricated and tested for applications to automotive electronic airbag systems. A skew-symmetric proof-mass has been designed for self-diagnostic capability and zero transverse sensitivity. Two kinds of multi-step anisotropic etching processes are developed for beam thickness control and fillet-rounding formation, UV-curing paste has been used for sillicon-to-glass bounding. The resonant frequency of 2.07kHz has been measured from the fabricated devices. The sensitivity of 195 $\mu{V}$/g is obtained with a nonlinearity of 4% over $\pm$50g ranges. Flat amplitude response and frequency-proportional phase response have been obserbed, It is shown that the design and fabricaiton methods developed in the present study yield a simple, practical and effective mean for improving the performance, reliability as well as the reproducibility of the accelerometers.
Electroluminescent(EL) devices based on organic materials have been of great interest due to their possible applications for large-area flat-panel displays. They are attractive because of their capability of multicolor emission, and low operation voltage. In this study, glass substrate/ITO/TPD/$Eu(TTA)_3(phen)/Alq_3/Al$ structures were fabricated by evaporation method, where aromatic diamine(TPD) were used as a hole transporting material, $Eu(TTA)_3(phen)$ as an emitting material, and tris(8-hydroxyquinoline)Aluminum ($Alq_3$) as an electron transporting layer. Electroluminescent(EL) and I-V characteristics of $Eu(TTA)_3(phen)$ with a variety thickness was investigated. This structure shows the red EL spectrum, which is almost the same as the PL spectrum of $Eu(TTA)_3(phen)$. I-V characteristics of this structure show that turn-on voltage was 9V and current density of $0.01A/cm^2$ at a dc drive voltage of 9V. Details on the explanation of electrical transport phenomena of these structures with I-V characteristics using the trapped-charge-limited current model will be discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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