• 한국전자파학회논문지
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• 제15권9호
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• pp.826-834
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• 2004

본 논문에서는 소형이며 광대역 특성을 가지는 안테나를 위해 Bi$_2$O$_3$가 첨가된 BaTi$_4$$O_{9}$ 세라믹스를 이용하여 후막 모노폴 안테나를 제작하였다. 그 결과 첨가된 Bi가 치환되어 이차상인 Bi$_4$Ti$_3$O$_{12}$를 형성되었고 이에따라 높은 비유전율은 일정하였고 품질계수(Q$_{f}$${\times}$f)는 급격히 감소하였다. 안테나 특성에 있어서 비유전율보다는 품질 계수의 영향을 직접적으로 받았다. 대역폭을 측정한 결과 Bi$_2$O$_3$ 첨가량이 증가할수록 급격한 품질계수 감소와 함께, 대역폭은 16 %에서 33 %로 증가하였다. 이에 반하여 이득은 -0.8 dBi에서 -4.3 dBi로 감소하였다. 이로인해 방사 패턴은 Bi$_2$O$_3$ 미(未)첨가시 보다 낮은 dBi 값을 보여 주었다. 특히 방사 패턴을 측정 한 결과 무 지향성을 보여야 될 x-y면 방사 패턴의 경우 격자구조의 왜곡으로 인한 파장의 산란과 공기와 유전체의 경계면에서 높은 비유전율의 차이로 굴절이 일어나 심하게 왜곡되어 있었다. 그러나 낮은 품질계수로 인하여 모든 조성 범위에서 우수한 -10 dB 대역폭 특성을 보여주었다.주었다..

• 한국자기학회지
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• 제3권2호
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• pp.143-148
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• 1993

열 분해법으로 $Bi_{x}Dy_{3-x}Al_{1}Fe_{4}O_{12}$(x=1, 1.2, 1.5) 자기 가넷 박막을 유리기판 위에 제조하였다. Bi 치환량을 증가시켰을 때 $M_{s}$ 값은 5 emu/cc에서 12 emu/cc로 증가하였고, 제조된 모든 박막이 수직 자기 이방성을 나타내었다. Bi 양의 증가에 따라 파장 780 nm의 광원을 사용했을 때 패러디 회전각이 $0.11^{\circ}/\mu\textrm{m}$에서 $0.20^{\circ}/\mu\textrm{m}$로 증가 하였으며 가넷 결정화 온도는 $660^{\circ}C$에서 $630^{\circ}C$로 감소하였다. 또한 보자력은 1200 Oe에서 600 Oe로 감소하였으며 결정립의 크기가 증가하였다. 박막의 두께를 $2000\;{\AA}$에서 $4000\;{\AA}$으로 증가시킴에 따라 $H_{c}$가 1750 Oe에서 1200 Oe로 감소했으며 ${\theta}_F$는 반사광의 간섭 효과에 의해 증가하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.39-45
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• 2008

본 논문에서는 듀얼 대역을 갖는 브랜치타입 인버티드 F구조 안테나를 제안했다. 제안된 안테나의 크기는 이동 단말기의 PCB크기$(70mm{\times}35mm{\times}0.8mm)$에 패치 크기$(12mm{\times}8mm{\times}0.8mm)$를 갖도록 설계하였다 제안한 안테나의 공지주파수는 2.45GHz와 5.8GHz이고, 각각의 중심주파수에서 대역폭이 255MHz, 410MHz으로 $83MHz{\sim}100MHz$의 동작주파수를 만족하도록 하였다. 또한, 동작주파수 2.45GHz, 5.8GHz에 대하여 측정된 방사패턴 E면과 H면은 모든 대역에서 0.0dBi, 2.0dBi의 이득을 갖는다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권10호
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• pp.1040-1048
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• 1998

Ferroelectric properties of{{{{ { { { {SrBi }_{2 }Ta }_{2-x }Nb }_{x }O }_{9 } }} (SBIN) thin films were affected by the amount of Bi content in SBTN. The addition of Bi into the SBTN films could be accomplished by heat treating SBTN/Bi2O3/SBTN het-erostructures fabricated by r.f. magnetron sputtering method. The variation of Bi content was controlled by changing the thickness of the sandwiched Bi2O3 in SBTN/Bi2O3/SBTN heterostructure from 50 to 400$\AA$. As changing the thickness of the sandwiched Bi2O3 in Bi2O3 films was increased from 0 to 100$\AA$ the grain grew faster and the ferroelectric pro-perties were improved. On the other hand when the thickness of Bi2O3 films was thicker than 150$\AA$ the fer-roelectric properties were deteriorated Especially for SBTN thin films inserted by 400$\AA$ Bi2O3 layer a Bi2Phase appeared as a second phase resulting in poor ferroelectric properties. The maximum remanent po-larization (2Pr) and coercive field(Ec) were obtained for the SBTN/Bi2O3/(100$\AA$)/SBTN thin films. In this case 2Pr and Ec were 14.75 $\mu$C/cm2 and 53.4kV/cm at an applied voltage of 3V respectively.

• 대한수학회보
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• 제55권5호
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• pp.1419-1431
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• 2018

Let $f=h+{\bar{g}}$ be a harmonic mapping of the unit disk ${\mathbb{D}}$ with the holomorphic part h satisfying that h is injective and $h({\mathbb{D}})$ is an M-linearly connected domain. In this paper, we obtain the sufficient and necessary conditions for f to be bi-Lipschitz, which is in particular, quasiconformal. Moreover, some distortion theorems are also obtained.

• 한국통신학회논문지
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• 제38B권3호
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• pp.172-179
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• 2013

본 논문에서는 양방향 링크의 채널 상태와 트래픽 부하가 비대칭적인 채널에서 네트워크 코딩을 적용하는 기법과 그 방식에 따른 성능에 대해서 살펴본다. 이러한 양방향 링크의 비대칭성을 반영하기 위해 패딩후 네트워크 코딩(Network Coding after Padding: NaP) 방식과 분할 후 네트워크 코딩(Network Coding after Fragmentation: NaF) 방식을 고려한다. NaP 방식은 지금까지 트래픽 부하의 비대칭성만을 반영하기 위해 고려된 바 있으며, 본 논문에서는 실제로 채널의 상태를 동시에 고려할 경우에는 NaP 방식이 갖는 기존의 이득이 오히려 열화되는 것을 보인다. 또한, NaF 방식이 일반적인 양방향 링크 기법뿐만 아니라 NaP 방식보다 항상 성능이 좋다는 것을 보인다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.298-298
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• 2007

Influence of $TiO_2$ on the dielectric properties of the $Bi(Nb_{0.7}Ta_{0.3})O_4$ ceramic with 7 wt% zinc borosilicate(ZBS) glass was investigated as a function of the $TiO_2$ contents with a view to applying this system to LTCC technology. The $Bi(Nb_{0.7}Ta_{0.3})O_4$ ceramic addition of 7 wt% ZBS glass ensured successful sintering below $900^{\circ}C$. But, TCF of $Bi(Nb_{0.7}Ta_{0.3})O_4$ ceramic is large negative values, respectively, it is necessary to adjust to zero TCF for practical applications Therefore, the addition of materials having positive TCF, such as $TiO_2$, might be an effective method for the improvement. In general, increasing addition of $TiO_2$ increased dielectric constant and TCF but it decreased the sinterability and $Q{\tiems}f$ value significantly due to the dielectric property and high sintering temperature of $TiO_2$. $Bi(Nb_{0.7}Ta_{0.3})O_4$ ceramic with 7 wt% ZBS glass and then addition 0.5 wt% $TiO_2$ sintered at $900^{\circ}C$ demonstrated 42 in the dielectric constant(${\varepsilon}_r$), 1,000 GHz in the $Q{\times}f$ value, and $10{\pm}5\;ppm/^{\circ}C$ in the temperature coefficient of resonant frequency(${\tau}_f$).

• 한국진공학회지
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• 제14권1호
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• pp.29-34
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• 2005

실리콘-게르마늄 바이시모스(SiGe BiCMOS) 소자 제작시 발생하는 실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터(SiGe HBT) 열화 현상에 대하여 고찰하였다. 독립적으로 제작된 소자에 비해 SiGe BiCMOS 공정에서의 SiGe HBT소자는 얼리 전압(Early voltage), 콜렉터-에미터 항복전압 및 전류이득등의 DC특성이 열화되고 상당한 크기의 베이스 누설전류가 존재한다는 것을 알 수 있었다. 또한 AC 특성인 차단주파수(f/sub T/) 및 최대 진동주파수(f/sub max/)도 1/2이하로 현저하게 저하되는 것을 확인하였다. 이는 고온의 소오스-드레인 열처리에 의한 붕소의 농도분포 변화가 에미터-베이스 및 콜렉터-베이스 접합 위치에 변화를 주고, 결국 실리콘-게르마늄 내에서의 접합 형성이 이루어지지 않아 전류 이득이 감소하고 기생 장벽이 형성되어서 발생한 현상이다.

• 한국결정성장학회지
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• 제18권4호
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• pp.169-173
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• 2008

본 연구에서는 자외선 영역에서 우수한 발광강도를 가지는 적색 형광체를 얻기 위하여 microwave 급속 열처리법으로 합성하여 $Eu^{3+}$와 $Bi^{3+}$가 도핑된 $YVO_4$의 발광특성을 관찰하였다. Microwave 급속 열처리시 입자의 크기는 매우 미세하며, 응집이 매우 심하였으나 열처리 유지시간이 증가할수록 입자 크기는 증가하고 응집현상은 개선되는 경향을 나타내었다. $YVO_4$: $Eu^{3+}$, $Bi^{3+}$ 적색 형광체의 발광 peak는 $Eu^{3+}$ ion의 영향에 의해 594.9 nm와 602.3 nm에서 $^5D_0{\longrightarrow}^7F_1$ 전자 천이에 의한 약한 발광 peak와 616.7 nm와 620.0 nm에서 $^5D_0{\longrightarrow}^7F_2$ 전자 천이에 의한 강한 발광 peak이 관찰 되었다. Microwave 급속 열처리법을 형광체 합성시 장시간 열처리 시간이 필요하지 않으면서 균일한 activator의 확산으로 인하여 발광특성을 향상시키는 것을 확인 할 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제3권2호
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• pp.236-242
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• 1999

BiCMOS 공정으로 제조된 바이폴라 트랜지스터의 베이스 분산저항 ${\gamma}_{bb}$에서 발생되는 1/f 잡음을 실험 적으로 분석하였다. 공통컬렉터 잡음등가회로의 해석으로부터 $g_m^{-1}-{\gamma}_{bb}-R_B$값이 매우 작을 때는 출력측에서의 1/f 잡음은 순수하게 ${\gamma}_{bb}$에서 발생되는 잡음임을 실험을 통해서 확인할 수 있었다. $S^{1/f}_{Irbb}=K_fI_b{^{A_1}}/f$에서 $A_f=2,\;K_f{\simeq}5{\times}10^{-9}$를 얻었다. 그리고 Hooge상수 ${\alpha}$ 값은 ${\sim}10^{-3}$ 범위로 추출되었다.