• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권9호
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• pp.900-905
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• 1996

We have investigated dielectric properties of low fired ceramics BiNbO$_{4}$ containing 0.05[wt%] V$_{2}$O$_{5}$ and x[wt%l Cr$_{2}$O$_{3}$ (x=0, 0.2, 0.4, 0.8, 1.2). By substituting Cr for Bi, dielectric constant .epsilon.$_{r}$ and quality factor Q.f increased and temperature coefficient of resonant frecquency .tau.$_{f}$ changed to positive value. In the composition of BiNbO$_{4}$+0.05 [Wt%] V$_{2}$O$_{5}$+0.8[wt%]Cr$_{2}$O$_{3}$ sintered at 960[.deg. C], we could obtain microwave dielectric properties of .epsilon.$_{r}$=49, Q.f.simeq.3000[GHz](at 4.8[GHz]), .tau.$_{f}$.simeq.0[ppm/.deg. C]. As the above ceramics can be sintered near 960[.deg. C], it is applicable to multilayer microwave device with Ag conductor.tor.tor.tor.

• 한국재료학회지
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• 제16권2호
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• pp.129-136
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• 2006

In order to get basic information on the reference electrode material for the long life Al concentration sensor in zinc galvanizing melt, the workability and stability of fluorine potential cell with $CaF_2$ single crystal electrolyte were examined carefully at constant temperature for six kinds of reference materials (Zn, Sn, Cd, Bi, Pb, Al-Sn alloy + fluorides). Good workability and stability of the sensor were found in sensor with $Bi+BiF_3$ reference electrode. The Al sensor with $Bi+BiF_3$ reference electrode was assembled and was tested in Zn-Al melt with different Al concentration. The EMF was changed rapidly with the change of Al concentration and was stabilized in a short time. Thus the response of EMF was satisfactory for $CaF_2$ sensor. The correlationship between EMF from the sensor and logarithm of Al concentration has been derived from the least square regression method. E/mV=57.515log[wt% Al]+1883.3 R=0.9717 ($0.013{\leq}[wt% Al]{\leq}0.984$) The EMF from Al sensor was increased linearly against logarithm of [wt% Al]. The fluorine potential of Zn-Al melt was also calculated to be in the range of $10^{-60}{\sim}10^{-61}$ Pa for the present experiemental condition.

• 한국자기학회지
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• 제5권5호
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• pp.720-725
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• 1995

Bi-substituted gadolinium iron garnet films were deposited on GGG(111) and NGG (111) substrates by irradiating KrF excimer laser onto targets having compositions of $Bi_{x}Gd_{3-x}Fe_{5}O_{12}$ ($2.0{\leq}x{\leq}3.0$) under substrate temperature of $580~620^{\circ}C$. Analysis on structure, composition and angle of Faraday rotation, ${\theta}_{F}$, were carried out. The composition, the structure and the magneto-optical properties of the obtained films were found to be strongly dependent both on the compositions of the targets and on the pressure of oxygen. Before annealing in air, all films showed ${\theta}_{F}{\geq}0$ at ${\lambda}=6328{\AA}$, while several films showed ${\theta}_{F}{\leq}0$ after the annealing. The highest value of Bi-substitution up to x = 1.76 with uniform composition was obtained.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.313-314
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• 2006

$BiNbO_4$ ceramics were sintered under the presence of zinc-borosilicate(ZBS) glass and resultant microwave dielectric properties were investigated with a view to applying the composition to LTCC technology. The addition of 5~20 wt% ZBS glass ensured successful sintering below $900^{\circ}C$. In general, increased addition of ZBS glass increased sinterability and temperature coefficient of resonant frequency(${\tau}_f$), but it decreased the dielectric constant(${\varepsilon}_r$) and quality factor($Q{\times}f_0$) significantly due to the formation of an excessive liquid. The sintered $BiNbO_4$ ceramics at $900^{\circ}C$ with 15 wt% ZBS glass demonstrated 25 in dielectric constant(${\varepsilon}_r$), 3,700 in quality factor($Q{\times}f_0$), and -32 $ppm/{\circ}C$ in temperature coefficient of resonant frequency(${\tau}_f$).

• 한국재료학회지
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• 제4권1호
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• pp.97-106
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• 1994

전형적인 f-f 및 nf-f 공정합금계로 분류되는 Sb-InSb 및 Sn-Bi 합금계를 일방향 응고시켜서 성장속도에 따른 전기비저항값의 변화를 조사함으로써 미세조직의 이방성을 전기비저항의 특성으로 분석하고자 하였다. Sb-InSb 계의 경우 26-34wt.% In, Sn-Bi 계의 경우 53-65wt.% Bi의 조성을 갖는 공정합금을 진공봉합시켜 Bridgman형의수직관상로에서 일방향응고시켰다. 일방향응고 시편을 횡단면 및 종단면으로 절단 채취하여 미세조직을 관찰한 후 전기비저항을 측정하였다. Sb-InSb , Sn-Bi공정복합조직의 경우 모두 성장속도의 증가에 따라 성장방향에 수평한 방향의 비저항값($\rho$┴)은 감소하였으며, Sb InSb 공정복합조직의 경우 특히 성장 속도의 증가에 따르는 미세조직상의 두가지 변화 즉, 상경계면적(phase boundary area)의 증가와 fiber방향성의 감소는 공히 $\rho$ ll 값을 증가시키는 반면 $\rho$┴ 값에는 서로 상반된 영향을 끼쳤다. 또한 성장속도의 증가에 따라 점차 조직의 이방성이 상실되었다. 이와 같이 측정된 전기비저항은 미세조직특성과 잘 일치하는 바 전기비저항 측정은 조직 특성분석의 유효한 도구가 될 수 있다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제27권8호
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• pp.1-7
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• 2022

인공지능 기술이 발달하면서 뉴로사이언스 마이닝(NSM: NeuroScience Mining)과 AI를 접목하려는 시도가 증가하고 있다. 나아가 NSM은 뉴로사이언스와 비즈니스 애널리틱스의 결합으로 인해 연구범위가 확장되고 있다. 본 연구에서는 fNIRS 실험을 통해 확보한 뉴로 데이터를 분석하여 비즈니스 문제 해결 창의성(BPSC: business problem-solving creativity)을 예측하고 이를 통해 NSM의 잠재력을 조사한다. BPSC는 비즈니스에서 차별성을 가지게 하는 중요한 요소이지만, 인지적 자원의 하나인 BPSC의 측정 및 예측에는 한계가 존재한다. 본 논문에서는 BPSC 예측 성능을 높이는 방안으로 CNN, BiLSTM 그리고 어텐션 네트워크를 결합한 새로운 NSM 기법을 제안한다. 제안된 NSM 기법을 15만 개 이상의 fNIRS 데이터를 활용하여 유효성을 입증하였다. 연구 결과, 본 논문에서 제안하는 NSM 방법이 벤치마킹한 알고리즘(CNN, BiLSTM)에 비하여 우수한 성능을 가지는 것으로 나타났다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제8권5호
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• pp.201-205
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• 2007

Low temperature sintering behavior and microwave dielectric properties of the $BiNbO_{4^-}$ and the $ZnNb_2O_{6^-}zinc$ borosilicate glass(ZBS) systems were investigated with a view to applying the composition to LTCC technology. The addition of $10{\sim}30$ wt% ZBS in both systems ensured successful sintering below $900^{\circ}C$. For the $BiNbO_{4^-}ZBS$ system, the sintering was completed when 15 wt% ZBS was added whereas 25 wt% ZBS was necessary for the $ZnNb_2O_{6^-}zinc$ system. Secondary phase was not observed in the $BiNbO_{4^-}ZBS$ system but a small amount of $ZnNb_2O_6$ with the willemite structure as the secondary phase was observed in the $ZnNb_2O_{6^-}ZBS$ system. In terms of dielectric properties, the application of the $BiNbO_{4^-}$ and the $ZnNb_2O_{6^-}ZBS$ systems sintered at $900^{\circ}C$ to LTCC were shown to be appropriate; $BiNbO_{4^-}15$ wt% ZBS($\varepsilon_r=25,\;Q{\times}f\;value=3,700GHz,\;\tau_f=-32ppm/^{\circ}C$) and $ZnNb_2O_{6^-}25$ wt% ZBS($\varepsilon_r=15.8,\;Q{\times}f\;value=5,400GHz,\;\tau_f=-98ppm/^{\circ}C$).

• 한국자기학회지
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• 제13권1호
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• pp.36-40
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• 2003

D $y_{x}$B $i_{3-x}$F $e_{5}$ $O_{12}$(x=0.5,1.0,1.5,2.0) 가네트 박막을 sol-gel법의 일종인 Pechini법의 이용하여 $Al_2$ $O_3$, G $d_3$G $a_{5}$ $O_{12}$ (111) 평면에 성장시켰다. 단일 조성의 D $y_{x}$B $i_{3-x}$F $e_{5}$ $O_{12}$ 박막을 얻기 위한 열처리 온도는 기판의 종류에 의존하며, 박막과 같은 구조의 G $d_3$G $a_{5}$ $O_{12}$ (111) 기판의 경우 A1$_2$ $O_3$ 기판을 사용한 경우에 비해 단일 조성을 얻기 위한 열처리 온도가 약 5$0^{\circ}C$ 감소함을 알 수 있었다. G $d_3$G $a_{5}$ $O_{12}$ (111) 기판 위에 성장된 가네트 박막의 낟알들은 대부분 기판과 같은 [111] 방향으로 정렬하며, 이 경우 박막의 자기 이력 곡선은 5000 Oe 이상에서도 포화 자기화에 도달하지 못하는 것으로 확인되었다. 이러한 현상의 원인으로 회전 자기화 과정 (rotation magnetization process)에 의한 것으로 추정하였다. Pechini 법으로 성장시킨 D $y_{x}$B $i_{3-x}$F $e_{5}$ $O_{12}$ 박막에서 단위 세포 당 최대 Bi 이온의 양은 2.0 이하임을 처음으로 확인하였고, 이는 LPE법에 의해 성장된 단결정 가네트의 경우에 알려진 최대 Bi이온의 양 2.3보다 작은 값이다.에 알려진 최대 Bi이온의 양 2.3보다 작은 값이다.은 값이다.

• 전기화학회지
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• 제3권4호
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• pp.204-210
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• 2000

용융아연 도금 강판 제조시 용융아연 도금 bath중의 알루미늄 농도를 조절하는 것은 매우 중요하다 본 연구의 목적은 용융아연 도금욕 중 알루미늄 농도를 신속하게 측정할 수 있는 센서 개발을 위한 기초 data를 제공하는 것이다. $CaF_2$고체전해질과 3가지 종류의 참조극을 사용하여 $460^{\circ}C\~500^{\circ}C$의 순수한 용융아연 bath에서 불소포텐샬을 측정하였다. 용융 아연 중 알루미늄의 농도를 측정하기 위하여 다음과 같은 불소 이온 농담전지 센서를 구성하였다. $$(-)W|Zn-Al,\;AlF_3|CaF_2|Bi,BiF_3|W(+)$$ 알루미늄의 농도가 $0.984wt\%$이하인 Zn-Al bath의 온도를 $460\pm10^{\circ}C$로 유지하고 상기의 알루미늄 농도 센서를 이용하여 기전력을 측정하였다. 측정된 기전력 값으로부터 최소 자승 회귀분석법을 이용하여, 다음과 같은 알루미늄 농도와 기전력과의 관계식을 얻었다. $$E/mV=56.795log[\%Al]+1881.7\;R=0.9704$$,$$0.026wt\%{\leq}[\%Al]{\leq}0.984wt\%$$

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2013년도 임시총회 및 하계학술연구발표회
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• pp.19-20
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• 2013

Thermoelectic properties of the typical thermoelectric host materials, the tellurides and selenides, are known to be noticeably changed by their volume change due to the strain [1]. In the bismuth telluride ($Bi_2Te_3$) crystal, a substitution of rare-earth element by replacing one of the Bi atoms may cause the change of the lattice parameters while remaining the rhombohedral structure of the host material. Using the first-principles approach by the precise full potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method [2], we investigated the Ce substitution effect on the thermoelectric transport coefficients for the bismuth telluride, employing Boltzmann's equation in a constant relaxation-time approach fed with the FLAPW wave-functions within the rigid band approximation. Depending on the real process of re-arrangement of atoms in the cell to reach the equilibrium state, $CeBiTe_3$ was found to manifest a metal or a narrow bandgap semiconductor. This feature along with the strong correlation effect originated by the 4f states of Ce affect significantly on the thermoelectric properties. We showed that the position of the strongly localized f-states in energy scale (Fig. 1, f-states are shaded) was found to alter critically the transport properties in this material suggesting an opportunity to improve the thermoelectric efficiency by tuning the external strain which may changing the location of the f-sates.