A directional coupler which on the X-cut $LiNbO_3$ substrate is fabricated by using proton exchange method and self-aligned method. After proton exchange process, the waveguide is formed by annealing process. The relation ship between refractive index change of waveguide and maximum output was studied along with the annealing time. A self-aligned method was used to simplify the fabrication process of the waveguide and to maximize the efficiency of electric field. The on-off state of modulator has been observered with the switching of the directional coupler by the electric field effect and also the switching voltage of the directional coupler has been measured with 8.0 [V].
We have studied the magnetoresistance phenomena on spin valve thin films of antiferromagnetic NiO/CoO. Interlayer coupling oscillates between the antiferrocoupling and ferrocoupling with the variation of Cu thickness. The exchange coupling strength between NiO (antiferromagnetic) and NiFe(ferromagnetic) as a function of NiO texture and interface roughness is investigated by CoO insertion. CoO has significantly higher anisotropy in the (111) plane and interface roughness. It seems that the MR-ratio is increased by CoO inserted films. From the AFM and XRD data, the increase of MR-ratio and exchange field is influenced by the roughness of CoO.
A series of NiO/NiFe bilayer films are deposited with the variation of Ar sputtering pressure for the NiO layers only. As the pressure for the NiO layers increases, the exchange anisotropy field (HEX) decreases gradually and becomes extinct at 2.5 mTorr, at which the maximum coercive force (HC) in the NiO/NiFe films is obtained. Randomly oriented columnar structures with HEX a few tens of Oe and oriented columnar structures with zero HEX are observed in the NiP layers by highvoltage hihg-resolution transmission electron microscopy. The vanishing of the HEX in the oriented structures is attributed to the lack of exchange anisotropy energy (EEX) between NiO and NiFe layers, which results in little contribution of interfacial unidirectional pinning anisotropy to the interface of NiO/NiFe bilayer.
The resilience of the exchange bias ($H_{EX}$) in ferromagnet / antiferromagnet bilayers is generally studied in terms of repeated hysteresis loop cycling or by protracted annealing under reversed field (training and long-term relaxation respectively). The stability of $H_{EX}$ is fundamental for practical application of exchange bias systems. In this paper we report measurements of training and relaxation in FeNi films coupled with the antiferromagnet FeMn. We show that $H_{EX}$ suppressed both by training and relaxation was partially recovered as soon as a field cycling for consecutive hysteresis loop measurement was stopped or the magnetization of the ferromagnet was switched back to the biased direction.
본 연구에서는 CoFe/MnIr 이중층 구조의 계면에 존재하는 비상보성 반강자성(AF) 스핀들에 의한 교환 결합 에너지 특성을 강자성 공명(FMR) 측정법을 이용하여 분석하였다. MnIr의 두께가 $t_{AF}$= 0, 3 및 10 nm 재료를 열처리한 한 후 이들 재료의 FMR 신호를 측정하였으며, $t_{AF}$= 0 nm 재료를 기준으로 하여 $t_{AF}$= 3 및 10 nm 재료의 교환 바이어스 자기장($H_{ex}$)과 회전 이방성 자기장($H_{ra}$)을 도출하였다. $300^{\circ}C$에서 열처리한 재료의 경우, $H_{ex}$과 $H_{ra}$의 합은 MnIr의 임계 두께에 무관하게 동일한 값을 보이는데, 이는 비상보성 AF 스핀들이 모두 한 방향으로 정열 되었음을 의미한다. 이들 결과로부터 비상보성 AF 스핀들 중에서 일부분은 CoFe/MnIr의 계면에 고정되어 $H_{ex}$로 발현되어 나타나고, 나머지 부분은 자기장의 방향에 따라서 회전하므로 $H_{ra}$로 발현되고 있음을 알 수 있었다. 따라서 교환 결합 에너지는 교환 바이어스 에너지 및 회전 이방성 에너지의 합으로 표현될 수 있음을 보였다.
A numerical flow-field analysis is performed to investigate flow configurations in the anode, cathode and cooling channels on the bipolar plates of a proton exchange membrane fuel cell (PEMFC). Continuous open-faced flow channels are formed on the bipolar plate surface to supply hydrogen, air and water. In this analysis, two types of channel pattern are considered: serpentine and spiral. The averaged pressure distribution and velocity profiles of the hydrogen, air and water channels are calculated by two-dimensional flow-field analysis. The equations for the conservation of mass and momentum in the two-dimensional fluid flow analysis are slightly modified to include the characteristics of the PEMFC. The analysis results indicate that the serpentine flow-fields are locally unstable (because two channels are cross at right angles). The spiral flow-fields has more stable than the serpentine, due to rotational fluid-flow inertia forces. From this study, the spiral channel pattern is suggested for a channel pattern of the bipolar plate of the PEMFC to obtain better performance.
Magnetoresistance of NiFeCo/Cu/NiFeCo/FeMn uncoupled exchange biased sandwiches has been studied. The magnetoresistance change ratio, ${\Delta}R/R_{s}$ showed 4.1 % at a saturation field as low as 11 Oe in $Si/Ti(50\;{\AA})/NiFeCo(70\;{\AA})/Cu(23\;{\AA})/NiFeCo(70\;{\AA})/FeMn(150\;{\AA})/Cu(50\;{\AA})$ spin valve structure. In this system, the magnetoresistance was affected by interlayer material and thickness. When Ti and Cu were used as the interlayer material in this structure, maximum magnetoresistance change ratio were 0.32 % and 4.1 %, respectively. 6.1 % MR ratio was obtained in $Si/Ti(50\;{\AA})/NiFeCo(70\;{\AA})/Cu(15\;{\AA})/NiFeCo(70\;{\AA})/FeMn(150\;{\AA})/Cu(50\;{\AA})$ spin valve structure. The magnetoresistance change ratio decreased monotonically as the interlayer thickness increased. It was found that the exchange bias field exerted by FeMn layer to the adjacent NiFeCo layer was ~25 Oe, far smaller than that reported in NiFe/Cu/NiFe/FeMn spin valve structure(Dieny et. al., ~400 Oe). The relationship between the film texture and exchange anisotropy ha been examined for spin valve structures with Ti, Cu, or non-buffer layer.
NiO 스핀밸브의 자기저항 특성을 향상시키기 위해 바닥층으로 CoO를 삽입하였다. CoO/NiO 스핀밸브에서 삽입된 CoO의 두께에 따라서 자기저항비는 5.5 %까지 향상되었으며 동시에 교환결합력과 보자력도 증가하였다. XRD 측정결과, CoO 삽입에 따른 NiO의 결정성장에 특별한 변화는 없었음을 확인하였다. NiO 박막의 평균거칠기는 약 3.5 $\AA$이었으나, CoO 박막의 평균거칠기는 약 6.1 $\AA$으로 2배 이상 증가하였다. 따라서 본 실험에서는 CoO 삽입에 의한 계면 거칠기의 증가로 인해 교환결합력과 보자력이 증가했음을 알 수 있다. 한편 보자력의 감소를 위해 NiO/CoO/NiO/CoO/NiO 스핀밸브를 제작하여 보자력을 110 Oe에서 50 Oe로 50 % 감소시킬 수 있었으며, 교환결합력은 70 Oe 이상을 유지하였다.
본 연구에서는 교환 결합력을 갖는 CoFe/MnIr 박막 재료에서 강자성 공명 장치를 이용하여 자기장 방향에 따른 저자장 마이크로파 흡수(Low field microwave absorption, LFMA) 및 강자성 공명 신호를 측정하였다. 낮은 자기장 영역에서 나타나는 LFMA 신호는 자구의 회전 밀접하게 관계됨을 자화 곡선으로부터 알 수 있었다. 이러한 LFMA 신호 특성을 분석하기 위하여 강자성 공명 신호로부터 측정한 교환 바이어스($H_{ex}$ = 58.5 Oe) 및 일축 이방성 자기장($H_k$ = 30Oe)을 S-W model에 적용하여 자화과정의 횡방향 자화량(transverse magnetization, $M_{\tau}$) 및 투자율(transverse susceptibility, ${\mu}_{\tau}$)을 계산하였다. 자화 곤란축에서 측정된 LFMA 신호는 $M_{\tau}$ 비례하는 경향을 보였지만, 자화 곤란축과 수직 방향으로 접근하면 $M_{\tau}$ 및 ${\mu}_{\tau}$ 모두에 의존하는 특성을 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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