Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.29
no.5
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pp.399-406
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1996
The orientational cross-over phenomena in an RF sputtering growth of TiN films were studied in an in-situ, real-time synchrotron x-ray scattering experiment. For the films grown with pure Ar sputtering gas, the cross-over from the more strained (002)-oriented grains to the less strained (111)-oriented grains occurred as the film thickness was increased. As the sputtering power was increased, the cross-over thickness, at which the growth orientation changes from the <002> to the <111> direction, was decreased. The addition of $N_2$ besides Ar as sputtering gas suppressed the cross-over, and consequently resulted in the (002) preferred orientation without exhibiting the cross-over. We attribute the observed cross-over phenomena to the competition between the surface and the strain energy. The x-ray powder diffraction, the x-ray reflectivity, and the ex-situ AFM surface topology study consistently suggest that the microscopic growth front was in fact always the (002) planes. In the initial stage of growth, the (002) planes were aligned to the substrate surface to minimize the surface energy. At later stages, however, the (002) growth front tilted away from the surface by about $60^{\circ}$ to relax the strain, which caused the cross-over of the preferred growth direction to the <111> direction.
Journal of the Society of Naval Architects of Korea
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v.57
no.1
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pp.15-22
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2020
Understanding the strength characteristics of model ice is an important issue for model testing in an ice model basin to estimate the ship performance in ice. In particular, the mechanical properties of the model ice including elastic modulus, flexural strength and compressive strength are key consideration factors. In order to understand the characteristics of the model ice during warm-up phase at KRISO's ice model basin, the strength properties are tested in this study. The infinite plate-bending method, in-situ cantilever beam test and ex-situ uniaxial compressive test are conducted to determine the strength properties of model ice. The strength characteristics of the model ice are then analyzed in terms of the warm-up phase and seasonality. These results could be valuable to quality control of the model ice characteristics in KRISO's ice model basin and to better understand the variations in strength properties during the ice model tests.
Studying the effects of gamma radiation on the instrumentation and control (I&C) system of a nuclear power plant is critical to the successful and reliable operation of the plant. In the accidental scenario, the adverse environment of ionizing radiation affects the performance of the I&C system and it leads to inaccurate and incomprehensible results. This paper reports the effects of gamma radiation on the AT89C51RD2, a commercial-off-the-shelf 8-bit high-performance flash microcontroller. The microcontroller, selected for the device under test for this study is used in the remote terminal unit for a nuclear power plant. The custom circuits were made to test the microcontroller under different gamma doses using a 60Co gamma source in both ex-situ and in-situ modes. The device was exposed to a maximum dose of 1.5 kGy. Under this hostile environment, the performance of the microcontroller was studied in terms of device current and voltage changes. It was observed that the microcontroller device can operate up to a total absorbed dose of approximately 0.6 kGy without any failure or degradation in its performance.
Using an in-situ ellipsometer, we monitored the growth curve of optical recording media in real time. For confirmation of the thickness control using in-situ ellipsometry, we analyzed the deposited multi-layer sample made of Ge-Sb-Te alloy film and ZnS-Si0$_2$ dielectric films using an exsitu spectroscopic ellipsometer. The target material in the first sputtering gun is ZnS-SiO$_2$ as the protecting dielectric layer and that in the second gun is Ge$_2$sb$_2$Te$_{5}$ as the receding layer. While depositing ZnS-SiO$_2$, Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$ and ZnS-SiO$_2$ films on c-Si substrate in sequence, we measured Ψ $\Delta$ in real time. Utilizing the complex refractive indices of Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$ and ZnS-SiO$_2$ obtained from the analysis of spectroscopic ellipsometry data, the evolution of ellipsometric constants Ψ, $\Delta$ with thickness is calculated. By comparing the calculated evolution curve of ellipsometric constants with the measured one, and by analyzing the effect of density variation of the Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$ recording layer on ellipsometric constants with thickness, we precisely monitored the growth rate of the Ge-Sb-Te multilayer and controlled the growth process. The deviation of the real thicknesses of Ge-Sb-Te multilayer obtained under the strict monitoring is post confirmed to be less than 1.5% from the target structure of ZnS-SiO$_2$(1400 $\AA$)IGST(200 $\AA$)$\mid$ZnS-SiO$_2$(200$\AA$).(200$\AA$).
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.402.1-402.1
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2016
The performance of solid oxide fuel cells (SOFCs) is directly related to the electrocatalytic activity of composite electrodes in which triple phase boundaries (TPBs) of metallic catalyst, oxygen ion conducting support, and gas should be three-dimensionally maximized. The distribution morphology of catalytic nanoparticle dispersed on external surfaces is of key importance for maximized TPBs. Herein in situ grown nickel nanoparticle onto the surface of fluorite oxide is demonstrated employing gadolium-nickel co-doped ceria ($Gd0.2-xNixCe0.8O2-{\delta}$, GNDC) by reductive annealing. GNDC powders were synthesized via a Pechini-type sol-gel process while maximum doping ratio of Ni into the cerium oxide was defined by X-ray diffraction. Subsequently, NiO-GNDC composite were screen printed on the both sides of yttrium-stabilized zirconia (YSZ) pellet to fabricate the symmetrical half cells. Electrochemical impedance spectroscopy (EIS) showed that the polarization resistance was decreased when it was compared to conventional Ni-GDC anode and this effect became greater at lower temperature. Ex situ microstructural analysis using scanning electron microscopy after the reductive annealing exhibited the exsolution of Ni nanoparticles on the fluorite phases. The influence of Ni contents in GNDC on polarization characteristics of anodes were examined by EIS under H2/H2O atmosphere. Finally, the addition of optimized GNDC into the anode functional layer (AFL) dramatically enhanced cell performance of anode-supported coin cells.
The largehead hairtail (Trichiurus lepturus) is one of the most common fisheries stocks in the East China Sea and the Yellow Sea. The species is caught using a variety of fishing tools, such as a stow net or a long line, as well as jigging and trawling. Scientific investigations have been conducted throughout the world to enable evidence-based estimations for the management and protection of the main fisheries biomass. For example, inshore and offshore hydro acoustic surveys are performed annually using bottom- and mid-water trawls around the Korean Peninsula. However, to date, no acoustic survey has been conducted to estimate fish size distribution, which is necessary to construct a data bank of target strength (TS) relative to fish species, length (L), and frequency. This study describes the frequency and length dependence of TS among fishes in Korean waters for the purpose of constructing such a TS data bank. TS measurements of the largehead hairtail were carried out in a water tank (L 5 m$\times$width 6 m$\times$ height 5 m) at frequencies of 50, 75, 120, and 200 kHz, using a tethering method. The average TS patterns were measured as a function of tilt angle, ranging from $-45^{\circ}$ (head down) to $+45^{\circ}$ (head up) every $0.2^{\circ}$. The length conversion constant ($b_{20}$) was estimated under the assumption that TS is proportional to the square of the length. In addition, in situ TS measurements on live largehead hairtails were performed using a split beam echo sounder.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.170-173
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2001
Thin films of phase-pure perovskite (P $b_{0.72}$L $a_{0.28}$) $Ti_{0.93}$$O_3$(PLT) were deposited in-situ onto Pt/Ti/ $SiO_2$/Si substrates by pulsed laser deposition. We have systematically investigated the variation of grain sizes depending on the process condition. Both in-situ annealing and ex-situ annealing treatments have been compared depending on the annealing time. Two-step process to grow (P $b_{0.72}$L $a_{0.28}$) $Ti_{0.93}$$O_3$(PLT) films was adopted and verified to be useful to enlarge the grain size of the film and to enhance the leakage current characteristics. The grain sizes of PLT thin films were successfully controlled 260 to 350 nm by changing process parameters. Electrical properties including dielectric constant, ferroelectric characteristics, crystallization and leakage current of PLT thin films were shown to be strongly inf1uenced by grain size. Also PLT thin films on p-type(100) Si substrate will be fabricated by pulsed laser deposition technique using a Nd:YAG laser with different wavelengths of 355, 532 and 1064 nm. Effect of the variation of laser wavelength on dielectric properties will be discussed. Microstructural and electrical properties of the film were investigated by C-V measurement leakage current measurement and SEM.ent and SEM.
Park, Jong-Il;Kim, Jin-Gyu;Song, Ji-Ho;Kim, Youn-Joong
Applied Microscopy
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v.34
no.1
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pp.23-29
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2004
In this study, we introduce the structural analysis of amorphous silica nanoparticles by EF-TEM electron diffraction and in-situ heating experiments. Three diffused rings were observed on the electron diffraction patterns of initial silica nanoparticles, while crystalline spot patterns were gradually appeared during the insitu heating process at $900^{\circ}C$. These patterns indicate the basic unit of $SiO_4$ tetrahedra consisting amorphous silica and gradual crystallization into the ideal layer structure of tridymite by heating. Under high vacuum condition in TEM, SiO nanoparticles were redeposited on the carbon grid after evaporation of SiO gas from $SiO_2$ above $850^{\circ}C$ and the remaining $SiO_2$ were crystallized into orthorhombic tridymite, consistent with ex-situ heating results in furnace at $900^{\circ}C$.
Various silicon films were prepared by thermal- and UV photo-CVD processes. The reactants were SiH4, Si2H6, SiH2F2, SIF4, and H2. Silicon films grown at temperatures below $500 ^{\circ}C$ were either amorphous or crystalline depending on the process conditions, and the growth rates ranged between 5 and $80\AA$min. Crystallinity of the film was improved even at $250^{\circ}C$ when the film was grown by photo-CVD using fluoro-silanes as the reactants. Analysis of the film by RBS, SIMS, XRD, and ex-situ IR indicated that substrate surface was contaminated by oxygen and other impurities when the reactants contained neither hydrogen nor fluoro-silnanes, but when fluoro-silanes were used as reactants the silicon film was highly crystalline.
Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1998.06a
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pp.71-74
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1998
$Er^{3+}$ doped $NdF_{3}$ single crystalline thin films with smooth, microcrack-free, and high-crystalline quality were grown on $CaF_{2}(111)$ substrate at $500^{\circ}C$by molecular beem epitaxy(MBE). The relation-ship between subcell and supercell showing the reconstructed $3^{1/2} \times 3^{1/2}$ structure was studied by reflection high-energy electron diffraction(RHEED) investigation. The film surface and the growth mode were examined in studied by RHEED patterns and atomic force microscope(AFM) images ex situ. The crystallinity of film and the lattice mismatch between $NdF_{3}Er}^{3+}(0002)$ film and $CaF_{2}(111)$ substrate depending in the $Er^{3+}$ concentration were investigated by X-ray rocking curve analysis.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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