• 제목/요약/키워드: Equiaxed grain

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ECAP으로 제조된 초미세립 순동의 동적 변형거동 (Dynamic Deformation Behavior of Ultra-Fine-Grained Pure Coppers Fabricated by Equal Channel Angular Pressing)

  • 김양곤;황병철;이성학;이철원;신동혁
    • 대한금속재료학회지
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    • 제46권9호
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    • pp.545-553
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    • 2008
  • Dynamic deformation behavior of ultra-fine-grained pure coppers fabricated by equal channel angular pressing (ECAP) was investigated in this study. Dynamic torsional tests were conducted on four copper specimens using a torsional Kolsky bar, and then the test data were analyzed by their microstructures and tensile properties. The 1-pass ECAP'ed specimen consisted of fine dislocation cell structures elongated along the ECAP direction, which were changed to very fine, equiaxed subgrains of 300~400 nm in size as the pass number increased. The dynamic torsional test results indicated that maximum shear stress increased with increasing ECAP pass number. Adiabatic shear bands were not found at the gage center of the dynamically deformed torsional specimen of the 1- or 4-pass ECAP'ed specimen, while some weak bands were observed in the 8-pass ECAP'ed specimen. These findings suggested that the grain refinement according to the ECAP was very effective in strengthening of pure coppers, and that ECAP'ed coppers could be used without serious reduction in fracture resistance under dynamic torsional loading as adiabatic shear bands were hardly formed.

Alloy 625의 특성과 조직에 미치는 원심주조품 두께의 영향 (Effect of Centrifugal Casting Thickness on the Mechanical Properties and the Microstructure of Alloy 625)

  • 이유정;김병훈;주윤곤;조창용;이재현
    • 한국주조공학회지
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    • 제42권3호
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    • pp.153-160
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    • 2022
  • 초내열합금 625 튜브의 제조에 필요한 원심주조품의 두께에 따라 응고조직과 기계적 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 10, 17, 50 mm 두께로 원심주조한 625합금에서 두께의 증가에 따라 주상정 부분의 길이와 2차 수지상 간격이 약간 증가하였으나 상온 인장특성은 큰 차이를 보이지 않았다. 주상정 부분의 응고는 일방향응고의 형태로 응고가 진행되기 때문에 일방향응고 조건을 변화시켜 2차 수지상의 간격을 비교하여 각 두께의 주조품에서 응고속도를 계산하였다. 두꺼운 주조품일수록 내부 다결정 조직의 비율이 증가하였다. 다결정 부분의 인장특성은 주상정 부분의 평균값과 유사한 값을 보였으며 이는 2차 수지상의 간격보다 결정립 형태의 영향인 것으로 사료된다.

고온단조에 의한 액상소결 탄화규소의 미세구조 및 기계적 특성 (Microstructure and mechanical properties in hot-forged liquid-phase-sintered silicon carbide)

  • 노명훈;김원중
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제11권6호
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    • pp.1943-1948
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    • 2010
  • 평균 입도의 크기가 ${\sim}1.7\;{\mu}m$${\sim}30\;nm$인 두 종류의 탄화규소 분말을 7 wt% $Y_2O_3$, 2 wt% $Al_2O_3$, 1 wt% MgO를 소결 첨가제로 사용하여 $1800^{\circ}C$에서 1 시간동안 Ar 분위기에서 압력을 가하여 고온가압소결을 하였다. 고온 가압소결한 시편은 $1950^{\circ}C$에서 6 시간동안 Ar 분위기에서 40 MPa의 압력을 가하여 고온 단조 하였다. 두 시편 모두 고온가압소결 후의 미세구조는 등방형 모양의 결정립을 나타내었으며, 고온 단조 후에 결정립 성장이 나타났다. 평균 입도의 크기가 작은 탄화규소 분말로 소결한 시편의 결정립의 크기가 고온 단조 후에도 더 작은 결정립을 나타내었다. 고온 단조 후의 압력축과 평행한 방향과 수직한 방향의 미세구조는 비슷하였다. 탄화규소의 $\beta$에서 $\alpha$로의 상변태가 활발하게 발생하지 않아 집합조직의 발달은 발견되지 않았다. 평균 입도의 크기가 큰 탄화규소 분말로 제작된 시편의 파괴인성 (${\sim}3.9\;MPa{\cdot}m^{1/2}$), 경도 (~ 25.2 GPa), 굽힘강도가 (480 MPa) 평균 입도의 크기가 작은 탄화규소로 제작된 시편보다 높게 나타났다.

열간가압소결에 의한 SiC-AIN 고용체의 상 및 미세구조 (Phase and microstructure of hot-pressed SiC-AlN solid solutions)

  • Chang-Sung Lim;Chang-Sam Kim;Deock-Soo Cheong
    • 한국결정성장학회지
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    • 제6권2호
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    • pp.238-246
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    • 1996
  • $\beta$-SiC와 AIN의 혼합분말로부터 열간가압소결에 의하여 고밀도의 SiC-AIN 고용체가 $1870^{\circ}C$에서 $2030^{\circ}C$ 사이의 온도범위에서 제조되어졌다. 온도와 SiC/AIN의 비 및 seed의 존재에 따라 AIN과 $\beta$-SiC(3C) 분말의 반응은 2 H (wurzite) 구조로의 전이를 나타내었다. 결정상들은 SiC-rich 및 AIN-rich 고용체로 구성되었다. $2030^{\circ}C$, 1시간에서 5 wt%의 $\alpha$-SiC seed를 첨가한 50 % AIN/50% SiC의 조성에 대하여 완전한 고용체가 얻어졌으며, 미세구조가 비교적 균일한 2 H상의 결정립 크기를 가지고균일한 성장경향을 나타내었다. SiC-AIN 고용체에 있어서 $\alpha$-SiC seed의 변수가 전이기구 및 결정립의 크기와 모양을 비롯한 결정립 크기의 분포, 조성의 불균일성과 구조적 결함 등에 영향을 미칠 수 있었다.

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$SiO_2$위에 MBE(Moleculat Beam Epitaxy)로 증착한 비정질 ${Si_{1-x}}{Ge_x)$박막의 결정화거동 (Crytallization Behavior of Amorphous ${Si_{1-x}}{Ge_x)$ Films Deposited on $SiO_2$ by Molecular Beam Epitaxy(MBE))

  • 황장원;황장원;김진원;김기범;이승창;김창수
    • 한국재료학회지
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    • 제4권8호
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    • pp.895-905
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    • 1994
  • 비정질 $Si_{1-x}Ge_{x}$(X=0, 0.14, 0.34, 0.53)합금박막의 결정화거동을 X-ray diffractometry(XRD)와 투과전자현미경(transmission electron microscopy, TEM)을 이용하여 조사하였다. 비정질 박막은 열산화막(thermal oxide, $SiO_{2}$)이 입혀진 Si기판위에 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 $300^{\circ}C$에서 증착하였으며 각 Ge조성에 해당하는 기편들을 $500^{\circ}C$ ~ $625^{\circ}C$에서 열처리한 다음 XRD를 이용하여 결정화분율과 결정화후 박막의 우선순방위(texture)경향ㅇ르 조사하였다. 또한 TEM을 사용하여 열처리한 박막의 미세구조를 분석하였다. XRD분석결과 박막내의 Ge함량의 증가는 결정화에 대한 열처리시간을 크게 감소시키는 것으로 밝혀졌다. 또한 결정화후 강한(111) 우선방위를 나타내는 Si박막과는 달리 $Si_{1-x}Ge_{x}$합금은 (311)우선방위를 가지는 것을 알았으며 이는 비정질 Si박막과 $Si_{1-x}Ge_{x}$박막의 결정화기구에 현저한 차이가 있음을 암시한다. TEM관찰에서, 순수한 Si박막은 결정화후 결정립이 타원형이나 수지상(dendrite)형태를 취하고 있었으며 결정립내부에 미페쌍정이나 적층결함들의 많은 결정결함들이 존재하고, 결정립의 성장이 이들 결함을 따라 우선적으로 성장함을 알 수 있었다. 반면에 $Si_{0.47}Ge_{0.53}$의 경우에서는 결정립모양이 원형에 가까운 동축정(dquiaxed)형상을 하며 결정립내부의 결함밀도도 매우 낮았다. 특히 Si에서 보았던 결정립성장의 방향성은 관찰되지 않았다. 이상의 결과에서 비정질 $Si_{1-x}Ge_{x}$(합금박막의 결정화는 Ge이 포함되지 않은 순수한 Si의 twin assisted growth mode에서 Ge 함량의 증가에 따라 \ulcorner향성이 없는 random growth mode로 전개되어간다고 결론지을수 있다.

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