• Journal of IKEEE
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• v.22 no.4
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• pp.1226-1229
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• 2018

We investigated the improvement of surface roughness and states after high temperature annealing using reduced-graphene oxide (r-GO) capping layer on ion-implanted 4H-SiC epitaxial layer. The specification of the 4H-SiC wafer grown on n-type $4^{\circ}$ off-axis 4H-SiC was $10{\mu}m$-thick and n-type epitaxial layer with a dose of $1.73{\times}10^{15}cm^{-2}$. The $n^+$ region were formed by multiple nitrogen ion-implantations and r-GO capping layer was produced by spray coating method. AFM measurements revealed that RMS value of the sample capped with r-GO was tenfold decrease compared to the sample without r-GO capping. The improvement of surface states was also verified by the improvement of leakage current level.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.132.1-132.1
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• 2013

현재 고품위GaN 박막 성장은 사파이어 기판이 주로 사용되며, 사파이어 기판 상에 저온에서 질화물 완충층을 선성장한 후 고온에서 GaN 박막을 성장하는 2단계 공정법을 일반적으로 택하고 있다. 본 연구에서는 새롭게 주목받고 있는 신소재인 그래핀을 본 실험실에서 기개발한 확산이용형성법을 이용하여 사파이어 기판에 직접 코팅하여 이를 완충층으로 사용한 후, MOCVD를 이용하여 저온 완충 층의 성장없이 고온에서 직접 성장한 GaN 박막에 관한 연구를 진행하였다. 매우 얇은 두께인 ~0.6 nm의 그래핀을 완충층으로 도입함으로써 GaN의 성장모드가 3차원 모드에서 2차원 모드로 바뀜을 확인 할 수 있었고, 그래핀 완충층의 두께가 점점 두꺼워짐에 따라 고온 성장한 GaN 박막의 구조적, 광학적 특성이 향상되어 기존의 2단계 성장법으로 얻은GaN 박막의 특성에 비견할 만큼 향상됨을 확인할 수 있었다. 그래핀상에 성장한 GaN 박막과 2단계 성장법으로 성장한 GaN 박막 상에 동일한 InGaN/GaN 다중양자우물구조를 형성하여 유사한 내부양자효율을 얻을 수 있게 되어, 그래핀을 완충 층으로 한 GaN 박막의 광전 소자에의 응용가능성을 확인 할 수 있었다.