The effect of doping on the energy transfer and charge carrier trapping processes has been studied in organic light-emitting diodes (OLEDs) doped with a fluorescent laser dye. The devices consisted of N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) as a hole transporting layer, tris(8-hydroxyquinoline) aluminum ($Alq_3$) as the host, and a fluorescent dye, 4-dicyanomethylene-2-methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1 H,5H-benzo[i,j]quinolizin-8-yl) vinyl]-4H-pyran) (DCM2) as the dopant. Temperature dependence of the current-voltage-luminescence (I-V-L) characteristics, the electroluminescence (EL) and photoluminescence (PL) spectra are studied in the temperature ranging between 15 K and 300 K. The emission from DCM2 was seen to be much stronger compared with the emission from $Alq_3$, indicative of efficient energy transfer from $Alq_3$ to DCM2. In addition, the EL emission from DCM2 increasd with increasing temperature while the emission from the host $Alq_3$ decreased. The result indicates that direct charge carrier trapping becomes efficient with increasing temperature. The EL emission from DCM2 shows a slightly sublinear dependence on the current density, implying the enhanced quenching of excitons at high current densities due to the exciton-exciton annihilation.
이 연구의 목적은 진단방사선촬영에서 환자의 피부선량을 측정하는 나노도트선량계의 에너지의존성에 대한 보정인자들을 구하는 것이다. 보정인자들은 랜다우어사에서 제공한 팬텀 정에 관한 X-선에 상대적인 선량계의 에너지반응그래프와 로사도 등이 발표한 IEC의 RQR 표준방사선 품질들에 대한 평균에너지 값들을 사용하여 구하였다. 결과들은 관전압 40-150 kVp에서 1-1.33의 보정인자들을 나타냈다. 얻어진 보정인자들은 각 관전압에서 정확한 피부선량 측정을 위하여 임상에 사용하는데 유용할 것으로 생각된다.
Single crystal $CuAlSe_2$ layers were grown on thoroughly etched sem-insulating GaAs(l00) substrate at $410^{\circ}C$ with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating $CuAlSe_2$ source at $680^{\circ}C$. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of single crystal $CuAlSe_2$ thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $9.24{\times}l0^{16}\;cm^{-3}$ and $295\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuAlSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)\;=\;2.8382\;eV\;-\;(8.68\;{\times}\;10^{-4}\;eV/K)T^2/(T\;+\;155\;K)$.
A silver indium sulfide ($AgInS_2$) epilayer was grown by the hot wall epitaxy method, which has not been reported in the liteniture. The grown $AgInS_2$ epilayer has found to be a chalcopyrite structure and evaluated to be high quality crystal. From the photocurrent measurement in the temperature range from 30 K to 300 K, the two peaks of A and B were only observed, whereas the three peaks of A, B, and C were seen in the PC spectrum of 10 K. These peaks are ascribed to the band-to-band transition. The valence band splitting of $AgInS_2$ was investigated by means of the photocurrent measurement. The temperature dependence of the energy band gap of the $AgInS_2$ obtained from the photocurrent spectrum was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=\;E_g(0)\;eV-(7.78\;{\times}\;10^{-4}\;eV/K)T^2/(T\;+\;116\;K\;K)$. Also, Eg(0) is the energy band gap at 0 K, which is estimated to be 2.036 eV at the valence band state A and 2.186 eV at the valence band state B.
Kim, Minseak;Jo, Hyun Jun;Kim, Yeongho;Lee, Seung Hyun;Lee, Sang Jun;Honsberg, Christiana B.;Kim, Jong Su
Applied Science and Convergence Technology
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제27권5호
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pp.109-112
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2018
Optical properties of InAs/GaAs submonolayer-quantum dot (SML-QD) have been investigated using excitation intensity ($I_{ex}$)- and temperature-dependent photoluminescence (PL). At a low temperature (13 K) strong PL was observed at 1.420 eV with a very narrow full-width at half maximum, of 7.09 meV. The results of the $I_{ex}$ dependence show that the PL intensities increase with increasing $I_{ex}$. The enhancement factors (k) of PL increment as a function of $I_{ex}$ are 3.3 and 1.22 at low and high $I_{ex}$ regime, respectively. The high k value at low $I_{ex}$, implies that the activation energy of the SML-QDs is low. The calculated activation energy of the SML-QDs from temperature dependence is 30 meV.
The energetic steam explosion caused by contact between the high temperature molten core and water is one of the phenomena that may threaten the integrity of the containment vessel during severe accidents of light water reactors (LWRs). We examined the dependence of steam explosion loads in a typical reactor cavity geometry on selected model parameters and initial/boundary conditions by using a steam explosion simulation code, JASMINE, developed at Japan Atomic Energy Agency (JAEA). Among the parameters, we put an emphasis on the water pool depth that has significance in terms of accident mitigation strategies including cavity flooding. The results showed a strong correlation between the load and the premixed mass, defined as the mass of the molten material in low void zones (void fraction < 0.75). The jet diameter and velocity that comprise the flow rate were the primary factors to determine the premixed mass and the load. The water pool depth also showed a significant impact. The energy conversion ratio based on the enthalpy in the premixed mass was in a narrow range ~4%. Based on this observation, we proposed a simplified method for evaluation of the steam explosion load. The results showed fair agreement with JASMINE.
The extended slip-weakening model was investigated by using a compiled set of source-spectrum-related parameters, i.e. seismic moment Mo, S-wave velocity Vs, corner-frequency fc, and source-controlled high-cut frequency fmax, for 113 shallow crustal earthquakes (focal depth less than 25 km, MW 3.0~7.5) that occurred in Japan from 1987 to 2016. The investigation was focused on the characteristics of stress drop, radiation energy-to-seismic moment ratio, radiation efficiency, and fracture energy release rate, Gc. The scaling relationships of those source parameters were also investigated and compared with those in previous studies, which were based on generally used singular models with the dimensionless numbers corresponding to fc given by Brune and Madariaga. The results showed that the stress drop from the singular model with Madariaga's dimensionless number was equivalent to the breakdown stress drop, as well as Brune's effective stress, rather than to static stress drop as has been usually assumed. The scale dependence of stress drop showed a different tendency in accordance with the size category of the earthquakes, which may be divided into small-moderate earthquakes and moderate-large earthquakes by comparing to Mo = 1017~1018 Nm. The scale dependence was quite similar to that shown by Kanamori and Rivera. The scale dependence was not because of a poor dynamic range of recorded signals or missing data as asserted by Ide and Beroza, but rather it was because of the scale dependent Vr-induced local similarity of spectrum as shown in a previous study by the authors. The energy release rate Gc with respect to breakdown distance Dc from the extended slip-weakening model coincided with that given by Ellsworth and Beroza in a study on the rupture nucleation phase; and the empirical relationship given by Abercrombie and Rice can represent the results from the extended slip-weakening model, the results from laboratory stick-slip experiments by Ohnaka, and the results given by Ellsworth and Beroza simultaneously. Also the energy flux into the breakdown zone was well correlated with the breakdown stress drop, ${\tilde{e}}$ and peak slip velocity of the fault faces. Consequently, the investigation results indicate the appropriateness of the extended slip-weakening model.
Currently the country's foreign energy dependence reaches approximately 97% and the total energy consumption percentage of buildings(commercial and domestic parts) reaches approximately 24%. Building energy saving by enhanced insulation will be very important issue. Therefore, the solution is required to reduce energy loss and increasing displeasure caused by excessive influx of solar energy through windows, to solve the problems like decoloration on indoor furniture an clothes by harmful ultraviolet rays, air conditioning and increased cost. This research used for commercialization and ills semination by basic information through a evaluation on insulation performance of the window of high efficiency energy equipment which can improve the insulation performance.
As is the case in Korea, the expansion of renewable energy dissemination is an essential matter in Ukraine when considering its energy consumption and dependence on energy import. While Korea has set about promoting the new and renewable energy industry on the back of the national policy on green growth, Ukraine expects a virtuous circle of renewable energy industry with green tariffs and the attraction of foreign capital in association with carbon emission trade. Utilizing its well-developed heavy industrial sector including the shipbuilding and automobile industries, Korea expects wind turbine manufacturing to become one of its next-generation growth engines. Ukraine is also trying to enter the wind turbine system or parts manufacturing industry based on its automobile industry and advanced aerospace technology. Although the Crimean region in Ukraine seems to have excellent wind resources, and thus shows great potential as a location for wind farm development, political instability has been a major obstacle to the attraction of foreign capital, leading to delayed investment.
$CdGaInS_4$ and $CdGaInS_4:Er^{3+}$ single crystals crystallized in the rhombohedral(hexagonal) structure. with lattice constants $a=3.913{\AA},\;c=37.245{\AA}$ for $CdGaInS_4$, and $a=3.899{\AA}$ and $c=36.970{\AA}$ for $CdGaInS_4:Er^{3+}$. The optical absorption measured near the fundamental band edge showed that the optical energy band structure of these compounds had a direct and indirect band gap. the direct and indirect energy gaps are found to be 2.771 and 2.503 eV for $CdGaInS_4$, and 2.665 and 2.479 eV for $CdGaInS_4:Er^{3+}$ at 10 K. The temperature dependence of the optical energy gap was well represented by the Varshni equation. In $CdGaInS_4$, the values of ${\alpha},\;{\beta}$ of the direct and the indirect energy gap were found to be $7.57{\times}10^{-4}eV/K$. $6.53{\times}10^{-4}eV/K$ and 240K. 197K. and the values of ${\alpha}$ and ${\beta}$ of the direct and the indirect energy gap in the $CdGaInS_4:Er^{3+}$ were given by $8.28{\times}10^{-4}eV/K,\;2.08{\times}10^{-4}eV/K$ and 425 K, 283 K, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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