Details of carrier dynamics in self-assembled quantum dots (QDs) with a particular attention to nonradiative processes are not only interesting for fundamental physics, but it is also relevant to performance of optoelectronic devices and the exploitation of nanocrystals in practical applications. In general, the possible processes in such systems can be considered as radiative relaxation, carrier transfer between dots of different dimensions, Auger nonradiactive scattering, thermal escape from the dot, and trapping in surface and/or defects states. Authors of recent studies have proposed a mechanism for the carrier dynamics of time-resolved photoluminescence CdTe (a type II-VI QDs) systems. This mechanism involves the activation of phonons mediated by electron-phonon interactions. Confinement of both electrons and holes is strongly dependent on the thermal escape process, which can include multi-longitudinal optical phonon absorption resulting from carriers trapped in QD surface defects. Furthermore, the discrete quantized energies in the QD density of states (1S, 2S, 1P, etc.) arise mainly from ${\delta}$-functions in the QDs, which are related to different orbitals. Multiple discrete transitions between well separated energy states may play a critical role in carrier dynamics at low temperature when the thermal escape processes is not available. The decay time in QD structures slightly increases with temperature due to the redistribution of the QDs into discrete levels. Among II-VI QDs, wide-gap CdZnTe QD structures characterized by large excitonic binding energies are of great interest because of their potential use in optoelectronic devices that operate in the green spectral range. Furthermore, CdZnTe layers have emerged as excellent candidates for possible fabrication of ferroelectric non-volatile flash memory. In this study, we investigated the optical properties of CdZnTe/ZnTe QDs on Si substrate grown using molecular beam epitaxy. Time-resolved and temperature-dependent PL measurements were carried out in order to investigate the temperature-dependent carrier dynamics and the activation energy of CdZnTe/ZnTe QDs on Si substrate.
한국결정성장학회 1996년도 The 9th KACG Technical Annual Meeting and the 3rd Korea-Japan EMGS (Electronic Materials Growth Symposium)
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pp.5-18
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1996
The solid state cesium ion source os alumino-silicate based zeolite which contains cerium. The material is an ionic conductor. Cesiums are stably stored in the material and one can extract the cesiums by applying electric field across the electrolyte. Cesium ion bombardment has the unique property of producing high negative ion yield. This ion source is used as the primary source for the production of a negative ion without any gas discharge or the need for a carrier gas. The deposition of materials as an ionic species in the energy range of 1.0 to 300eV is recently recognized as a very promising new thin film technique. This energetic non-thermal equilibrium deposition process produces films by “Kinetic Bonding / Energetic Condensation" mechansim not governed by the common place thermo-mechanical reaction. Under these highly non-equilibrium conditions meta-stable materials are realized and the negative ion is considered to be an optimum paeticle or tool for the purpose. This process differs fundamentally from the conventional ion beam assisted deposition (IBAD) technique such that the ion beam energy transfer to the deposition process is directly coupled the process. Since cesium ion beam sputter deposition process is forming materials with high kinetic energy of metal ion beams, the process provider following unique advantages:(1) to synthesize non thermal-equilibrium materials, (2) to form materials at lower processing temperature than used for conventional chemical of physical vapor deposition, (3) to deposit very uniform, dense, and good adhesive films (4) to make higher doposition rate, (5) to control the ion flux and ion energy independently. Solid state cesium ion beam sputter deposition system has been developed. This source is capable of producing variety of metal ion beams such as C, Si, W, Ta, Mo, Al, Au, Ag, Cr etc. Using this deposition system, several researches have been performed. (1) To produce superior quality amorphous diamond films (2) to produce carbon nitirde hard coatings(Carbon nitride is a new material whose hardness is comparable to the diamond and also has a very high thermal stability.) (3) to produce cesiated amorphous diamond thin film coated Si surface exhibiting negative electron affinity characteristics. In this presentation, the principles of solid state cesium ion beam sputter deposition and several applications of negative metal ion source will be introduced.
Some new nanohybrid materials have been synthesized by intercalating the oxotitanium(IV) meso-tetrakis(4- sulfonatophenyl) porphyrin$(O=Ti^{(IV)} TSPP)$ into the Zn/Al layered double hydroxides (LDHs), and their structures and photophysical properties have been investigated by various laser spectroscopic techniques. According to the XRD pattern of the synthesized nanohybrid materials, the macrocycle plane of $O=Ti^{(IV)}$ TSPP are grafted perpendicular to the LDH layers. The $O=Ti^{(IV)}$ TSPP-intercalated LDH exhibits band broadening of the absorption spectrum and a blue shift of Q-band as compared to that observed in solution. Resonance Raman spectral measurements demonstrate that the positively charged LDHs give rise to a slight decrease of the electronic density of the porphyrin ring accompanying a small change of the electronic distribution of the $O=Ti^{(IV)}$ TSPP. Consequently the LDH environment affects the energies of the two highest occupied molecular orbitals (HOMOs) of the $O=Ti^{(IV)}$) TSPP, $a_{1u}$ and $a_{2u}$, producing a mixed orbital character. Being consistent with these electronic structural changes of $O=Ti^{(IV)}$ TSPP in LDH, both the fluorescence spectral change and the fsdiffuse reflectance transient measurements imply that the photoexcitation of the $O=Ti^{(IV)}$ TSPP intercalated into LDH undergoes fast relaxation to the O=Ti(IV) $TSPP^+-LDH^- $charge transfer (CT) state within a few picoseconds, followed by a photoinduced electron transfer between the O=Ti(IV) TSPP and LDHs with a rate constant greater than %1×10^{10}S^{-1}$. No evidence is found for back electron transfer. In conclusion, the $O=Ti^{(IV)}$ TSPP intercalated LDH seems to be a possible candidate for an artificial reaction center for an efficient solar energy conversion system.
Mitochondria 내막의 cytochrome-c-oxidase는 세포의 에너지 생합성에 중요한 요소이며, 세포자멸사와 각종세포의 병리학적 현상과 밀접한 연관성이 있는 전자전달계효소로 알려져 있다. Porin 단백은 mitochondria 내막과 외막에 분포하는 효소단백으로 전자전달계효소 형성과 ATP 운반에 관여하는 것으로 알려져 있다. 따라서 면역현미경법을 사용하여 cytochrome-c-oxidase의 분포와 porin 단백과의 연관성을 확인하여 mitochondria의 cristae에 분포하는 cytochrome-c-oxidase의 형성과 변화를 알아보고자 하였다. Cardiac muscle tissue의 sarcoplasm에는 많은 수의 mitochondria가 분포하며, cytochrome-c-oxidase가 풍부한 mitochondria와 porin 단백이 풍부한 mitochondria로 구별되었다. Cytochrome-c-oxidase가 풍부한 mitochondria는 porin 단백이 빈약하고 porin 단백이 풍부한 mitochondria는 cytochrome-c-oxidase가 소량 포함되어 있는 것으로 관찰되었다. 심근조직의 부위에 따라 근형질에 분포하는 mitochondria에 cytochrome-c-oxidase가 풍부한 mitochondria와 porin 단백이 풍부한 mitochondria가 각각 상이하게 분포하였다. 이상의 결과로 미성숙 mitochondria는 많은 양의 porin 단백을 함유하여 근형질로부터 단백질 소단위를 mitochondria 막내로 운반하여 cytochrome-c-oxidase를 형성시키고 mitochondria가 성숙하면서 ATP를 운반할 최소한 양의 porin 단백만을 남기고 소멸되는 것으로 추측된다.
The word of lignin is derived from the Latin word 'ligum' meaning wood. Lignin is complex polymer consisting of coniferyl alcohol, sinapyl alcohol and p-coumaryl alcohol unit and has an amorphous, three dimensional network structure which is hard to be hydrolyzed by acid. Lignin is found in the cell wall of plants lignified. The mode of polymerization of these alcohols in the cell wall lead to a heterogeneous branched and cross-linked polymer in which phenyl propane units are linked by carbon-carbon and carbon-oxygen bonds. This polymerization of precursors, p-coumaryl alcohol, coniferyl alcohol and sinapyl alcohol to lignin is formed by enzymic dehydrolyzation. The reaction is initiated by an electron transfer which results in the formation of resonance-stabilized phenoxy radical. The combination of these radicals produces a variety of dimers, trimers and oligomers and so on. Lignin research has been divided into basic and practical application field. The basic studies contains biosynthesis, chemical structure, distribution in the cell wall and reactivity by reductants, oxidants and organic solvents. The application research will be approached the reaction of lignin in various pulp making involving pulp bleaching and its effect on pulp qualities. Lignin also will be studied for the production of fine chemicals, polymer products and the conservation into an energy source like petroleum oil because the amount of lignin produced in pulp making process is more than 51,000,000 tons per year in the world. Both basic and application research must lay emphasis on the development for the utilization of lignin and the pulping process. But these researches can not be completed without understanding lignin structure containing functional groups. Therefore, this paper was focused on the review of lignin formulation which has been studied since 1948 in chronological order. This review was based on monomers, dimers, trimers and tetramers of phenyl propane unit structures which were isolated and identified by different methods from various wood.ious wood.
Copper is considered to be the most promising substrate for the growth of high-quality and large area graphene by chemical vapor deposition (CVD), in particular, on the (111) facet. Because the interactions between graphene and Cu substrates influence the orientation, quality, and properties of the synthesized graphene, we studied the interactions using angle-resolved photoemission spectroscopy. The evolution of both the Shockley surface state of the Cu(111) and the p band of the graphene was measured from the initial stage of CVD growth to the formation of a monolayer. Graphene growth was initiated along the Cu(111) lattice, where the Dirac band crossed the Fermi energy ($E_F$) at the K point without hybridization with the d-band of Cu. Then two rotated domains were additionally grown as the area covered with graphene became wider. The Dirac energy was about 0.4 eV and the energy of the Shockley surface state of Cu(111) shifted toward the $E_F$) by 0.15 eV upon graphene formation. These results indicate weak interactions between graphene and Cu, and that the electron transfer is limited to that between the Shockley surface state of Cu(111) and the p band of graphene. This weak interaction and slight lattice mismatch between graphene and Cu resulted in the growth of rotated graphene domains ($9.6^{\circ}$ and $8.4^{\circ}$), which showed no significant differences in the Dirac band with respect to different orientations. These rotated graphene domains resulted in grain boundaries which would hinder a large-sized single monolayer growth on Cu substrates.
유기 리간드(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄내디온)을 란탄나이드 3가$(Pr^{3+}, Eu^{3+}, Gd^{3+} 그리고 Yb^{3+})$와의 착물들에 대한 거동을 UV-Vis 분광학적, 자기적, 그리고 전기화학적 방법에 의해 조사하였다. 2 또는 3개의 에너지 흡수띠가 이들 착물들의 스펙트라에 의해 관찰되었다. 결정장 갈라짐 에너지 크기와 스핀 또는 3개의 에너지 흡수띠가 이들 착물들의 스펙트라에 의해 관찰되었다. 결정장 갈라짐 에너지 크기와 스핀 짝지움 에너지 그리고 결합세기는 착물들의 스펙트라로부터 얻어졌다. 이들은 편재화이고, 낮은 스핀(또는 높은 스핀) 상태이며 그리고 강한 결합세기임을 알았다. 착물들의 거동은 비수용매속에서 순환전압전류법에 의해 관찰하였다. 이들 환원피크는 전자전이에 의한 2 또는 3단계의 비가역성이었다.
Copper is considered to be the most promising substrate for the growth of high-quality and large area graphene by chemical vapor deposition (CVD), in particular, on the (111) facet. Because the interactions between graphene and Cu substrates influence the orientation, quality, and properties of the synthesized graphene, we studied the interactions using angle-resolved photoemission spectroscopy. The evolution of both the Shockley surface state of the Cu(111) and the ${\pi}$ band of the graphene was measured from the initial stage of CVD growth to the formation of a monolayer. Graphene growth was initiated along the Cu(111) lattice, where the Dirac band crossed the Fermi energy (EF) at the K point without hybridization with the d-band of Cu. Then two rotated domains were additionally grown as the area covered with graphene became wider. The Dirac energy was about -0.4 eV and the energy of the Shockley surface state of Cu(111) shifted toward the EF by ~0.15 eV upon graphene formation. These results indicate weak interactions between graphene and Cu, and the electron transfer is limited to that between the Shockley surface state of Cu(111) and the ${\pi}$ band of graphene. This weak interaction and slight lattice mismatch between graphene and Cu resulted in the growth of rotated graphene domains ($9.6^{\circ}$ and $8.4^{\circ}$), which showed no significant differences in the Dirac band with respect to different orientations. These rotated graphene domains resulted in grain boundaries which would hinder a large-sized single monolayer growth on Cu substrates.
The removal of 2,4-dichlorophenoxyacetic acid (2,4-D) in aqueous solution by coupled electro-oxidation and Fe(II) activated persulfate oxidation process was investigated. The electrochemical oxidation was performed using carbon sheet electrode and persulfate using Fe(II) ion as an activator. The oxidation efficiency was investigated by varying current density (2 - 10 mA/㎠), electrolyte (Na2SO4) concentration (10 - 100 mM), persulfate concentration (5 - 20 mM), and Fe(II) concentration (10 - 20 mM). The 2,4-D removal efficiency was in the order of Fe(II) activated persulfate-assisted electrochemical oxidation (Fe(II)/PS/ECO, 91%) > persulfate-electrochemical oxidation (PS/ECO, 51%) > electro-oxidation (EO, 36%). The persulfate can be activated by electron transfer in PS/ECO system, however, the addition of Fe(II) as an activator enhanced 2,4-D degradation in the Fe(II)/PS/ECO system. The 2,4-D removal efficiency was not affected by the initial pHs (3 - 9). The presence of anions (Cl- and HCO3-) inhibited the 2,4-D removal in Fe(II)/PS/ECO system due to scavenging of sulfate radical. Scavenger experiment using tert-butyl alcohol (TBA) and methanol (MeOH) confirmed that although both sulfate (SO4•-) and hydroxyl (•OH) radicals existed in Fe(II)/PS/ECO system, hydroxyl radical (SO4•-) was the predominant radical.
Organic electroluminescent devices are light-emitting diodes in which the active materials consist entirely of organic materials. Recently, many fluorescent organic materials have been reported and the study on synthesis and application of new organic light-emitting materials has been demanded. This paper reports the optical and electrical characteristics of OLEDs using novel polymers containing biphenyl structure. First, Optical properties of novel light-emitting biphenyl derivatives doped with poly(9-vinyl carbazole)(PVK) and emitted blue, bluish green color, which is attributed to the overlap area between PL spectrum of host(PVK) and absorption spectra of guests(polymer). This is correspondent with F$\"{o}$rster energy transfer process in the blends. And, OLED devices were fabricated using poly (3,4-ethylenedioxy thiophene) (PEDOT) as a hole injection material and tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum ($Alq_3$) as an electron transporting material. EL devices fabricated as ITO/PEDOT/PVK doped with biphenyl derivatives/$Alq_3$/Li:Al and I-V-L chatacteristics and emitting efficiency of EL devices were examined. Finally, the drift mobility of PVK doped with biphenyl derivatives and $Alq_3$ were measured by TOF technique varying applied electric field. EL efficiency was increased as the ratio of hole mobility of PVK doped with biphenyl derivatives and electron mobility of $Alq_3$ was close to one.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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