Zinc chloride$(ZnCl_2)$를 출발물질로 하여 Bis(8-oxyquinolino) zinc II(Znq2)를 합성하였다. N-N'-diphenyl-N-N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(TPD)를 전공운송층으로 도입하고, Znq2를 전자운송층 및 발광층으로 이용하여 유기 EL소자를 제작하였다. ELD의 발광을 최대화하기 위해 EL 발광층의 두께를 변화시켜 ITO(투명전극)/TPD(전공운송층)/znq2(발광층 및 전자운송층)/Al(배면전극) 순으로 제작하였다. PL 스펙트림으로 Znq2 화합물이 540 nm에서의 노란-녹색의 빛을 발하는 물질임을 알 수 있었다. 전압전류밀도와 전압-휘도의 전기적인 거동이 문턱전압 6 V에서 나타났고, 최대 휘도와 효율은 약 $838 cd/m^2$로 측정되었다. 이 결과로써, 합성된 Znq2가 유기 EL디스플레이용 재료 물질로써 이용 가능성 있는 물질임을 밝힌다.
All transparent UV photodetector based on ZnO was fabricated with structure of NiO/ZnO/$SnO_2$/ITO by using RF and DC magnetron sputtering system. ZnO was deposited with 4 inch ZnO target (purity 99.99%) for a quality film. In order to build p-n junction up, p-type NiO was formed on n-type ZnO by using reactive sputtering method. The indium tin oxide (ITO) which is transparent conducting oxide (TCO) was applied as a transparent electrode for transporting electrons. To improve the UV photodetector performance, a functional $SnO_2$ layer was selected as an electron transporting and hole blocking layer, which actively controls the carrier movement, between ZnO and ITO. The photodetector (NiO/ZnO/$SnO_2$/ITO) shows transmittance over 50% as similar as the transmittance of a general device (NiO/ZnO/ITO) due to the high transmittance of $SnO_2$ for broad wavelengths. The functional $SnO_2$ layer for band alignment effectively enhances the photo-current to be $15{\mu}A{\cdot}cm^{-2}$ (from $7{\mu}A{\cdot}cm^{-2}$ of without $SnO_2$) with the quick photo-responses of rise time (0.83 ms) and fall time (15.14 ms). We demonstrated the all transparent UV photodetector based on ZnO and suggest the route for effective designs to enhance performance for transparent photoelectric applications.
Kim, Young-Min;Park, Young-Wook;Choi, Jin-Hwan;Kim, Jai-Kyeong;Ju, Byeong-Kwon
Journal of Information Display
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제7권2호
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pp.26-30
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2006
Insertion of a thin lithium fluoride (TLF) layer between an emitting layer (EML) and an electron transporting layer has resumed in the developement of a highly efficient and bright organic light-emitting diode (OLED). Comparing with the performance of the device as a function of position with the TLF layer in tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum $(Alq_{3})$, we propose the optimal position for the TLF layer in the stacked structure. The fabricated OLED shows a luminance efficiency of more than 20 cd/A, a power efficiency of 12 Im/W (at 20 mA/$cm^{2}$), and a luminance of more than 22 000 cd/$m^{2}$ (at 100 mA/$cm^{2}$), respectively. We suggest that the enhanced performance of the OLED is probably attributed to the improvement of carrier balance to achieve a high level of recombination efficiency in an EML.
We investigated the light-emitting performances of blue phosphorescent organic light-emitting diodes, known as PHOLEDs, by incorporating an N,N'-dicarbazolyl-3,5-benzen interlayer between the hole transporting layer and emitting layer (EML). We found that the effects of the introduced interlayer for triplet exciton confinement and hole/electron balance in the EML were exceptionally dependent on the host materials: 9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole, 9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-ditrityl-9H-carbazole, and 4,4'-bis-triphenylsilanyl-biphenyl. When an appropriate interlayer and host material were combined, the peak external quantum efficiency was greatly enhanced by over 21 times from 0.79% to 17.1%. Studies on the recombination zone using a series of host materials were also conducted.
Kim, Won-Sam;Lee, Burm-Jong;Tuong, Nguyen Manh;Son, Eun-Mi;Yang, Ki-Sung;Kwon, Young-Soo
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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pp.605-608
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2004
A novel blue-green emitting aluminum complex was developed by employing 8-hydroxyquinoline as co-ligand for enhancement of electron transport and light emission abilities so that the electroluminescent (EL) devices do not need additional electron transport layer. The aluminum complex (PAlQ) of 8-hydroxyquinoline and ${\alpha}$-pyridoin was synthesized The structure of the PAlQ was elucidated by FT-IR, UV-Vis and XPS. The PAlQ complex showed thermal stability up to 350$^{\circ}C$ under nitrogen flow by TGA. The photoluminescence (PL) was measured from solid film of the PAlQ complex on quartz substrate. The EL device was fabricated by the vacuum deposition. The device having the structure of ITO/TPD/PAlQ/Al was studied, where N,N-bis(3-methylphenyl}-N,N'-diphenyl-benzidine (TPD) was used as a hole transporting layer. The EL device emitted a blue-green light.
We investigate the influence of the New Electron Injection Layers (EIL) on the performance of the Alkali Metal Complex vapor-deposited Organic Light Emitting Diodes(OLED). Two different Alkali Metal Complex were used; Lithium Quinolate (Liq), and Sodium Quinolate (Naq). In all cases, $Alq_3$ was the Electron Transporting Layer (ETL). We measure and compare the current density-voltage (J-V) and luminance-voltage (L-V) characteristics. We concluded that the turn-on voltage, and luminance efficiency are controlled by the type of EIL material used. We show the longer life-time OLED with Alkali Metal Complex EIL than OLED with LiF EIL. And we show the Optimized Alkali Metal Complex thickness is 3nm. Existent LiF to because is inorganic material, there is trouble to do epitaxy into thin layers but regulates the thickness in case of Alkali Metal Complex matter characteristic that is easy be. Alkali Metal Complex also appeared by sensitive thing in thickness than LiF If utilize this material, It is thought much advantages may be at common use of OLED.
Kim, Choong Hyo;Kim, Hong Hee;Hwang, Do Kyung;Suh, Kwang S;Park, Cheol Min;Choi, Won Kook
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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pp.148-148
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2015
Over the past several years, Colloidal core/shell type quantum dots lighting-emitting diodes (QDLEDs) have been developed for the future of optoelectronic applications. An inverted-type quantum-dot light-emitting-diode (QDLED), employing low work function organic material polyethylenimine ethoxylated(PEIE) (<10 nm)[1] modified ZnO nanoparticles (NPs) as electron injection and transport layer, was fabricated by all solution processing method, instead of electrode in the device. The PEIE surface modifier incorporated on the top of the ZnO NPs film, facilitates the enhancement of both electorn injection into the CdSe-ZnS QD emissive layer by lowering the workfunction of ZnO from 3.58eV to 2.87eV and charge balance on the QD emitter. In this inverted QDLEDs, blend of poly (9,9-di-n-octyl-fluorene-alt-benzothiadiazolo) and poly(N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine] are used as hole transporting layer (HTL) to improve hole transporting property. At the operating voltage of 7.5 V, the QDLED device emitted spectrally orange color lights with high luminance up to 11110 cd/m2, and showed current efficiency of 2.27 cd/A.[2]
정공 전달 중합체인 Poly(N-vinylcarbazole) (PVK)와 전자전달 유기물 재료인 2-(4-biphenyl)-5-(t-butyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole (Bu-PBD)에 발광 유기물 색소 Coumurine 6, TPB, Rhodamine B를 각각 도핑한 단층박막 유기물 전기발광 소자를 제작하였다. 스핀 코팅 방법에 의한 단층 구조와 가용성 재료의 사용으로부터 소자제작이 간단하였다. 활성영역은 인듐주석산화물(ITO) 과 알루미늄 전극 사이에 놓인 단층으로 구성하고 있다. 이러한 구조에서 전자와 정공의 전하가 각 전극에서 PVK : Bu-PBD 활성층으로 주입된다. 전압을 인가한 후 발광된 빛의 색은 각각 TPB, C6, Rhodamine B의 유기물 색소에 의해 481nm, 500nm, 585nm 파장을 갖는 푸른색, 초록색 및 오렌지색을 나타내었다. PVK유기물은 다른 발광색을 갖는 유기물 색소를 분자 적으로 도핑 함으로서 주요한 중합체로서 사용될 수 있다. 그리고 전기발광색은 전체 가시광선 파장 내로 조절될 수 있다.
Tris(8-quinolinolato)aluminum(III); $Alq_3$ has been frequently used as an electron transporting layer in organic light-emitting diodes. Either Ba with a low work function or Au with a high work function was deposited on $Alq_3$ layer in vacuum. And then, the behaviors of electron transition at the $Alq_3$/Ba and $Alq_3$/Au interfaces were investigated by using the near edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) spectroscopy. In the each interface, the energy levels of unoccupied obitals were assigned as ${\pi}^*$(LUMO, LUMO+1, LUMO+2 and LUMO+3) and ${\sigma}^*$. And the relative intensities of these peaks were investigated. In an oxygen atom composing $Alq_3$ molecule, the relative intensities for a transition from K-edge to LUMO+2 were largely increased as Ba coverage (${\Theta}_{Ba}$, 2.7 eV) with a low work function was in-situ sequentially increased on $Alq_3$ layer. In contrast, the relative intensities for the LUMO+2 peak were reduced as Au coverage (${\Theta}_{Au}$, 5.1 eV) with a high work function were increased on $Alq_3$ layer. This means that the electron transition by photon in oxygen atom which consists in the unoccupied orbitals in $Alq_3$ molecule, largely depends on work function of a metal. Meanwhile, in the case of electron transition in a carbon atom, as ${\Theta}_{Ba}$ was increased on $Alq_3$, the relative intensity from K-edge to ${\pi}_1{^*}$ (LUMO and LUMO+1) was slightly decreased, and from K-edge to ${\pi}_2{^*}$ (LUMO+2 and LUMO+3) was somewhat increased. This rising of the energy state from ${\pi}_1{^*}$ to ${\pi}_2{^*}$ exhibits that electrons provided by Ba would contribute to the process of electron transition in the $Alq_3$/Ba interfaces. As shown in above observation, the analyses of NEXAFS spectra in each interface could be important as a basic data to understand the process of electron transition by photon in pure organic materials.
To fabricate a single layer white organic light emitting diode (OLED), a novel non-conjugated blue emitting material PPPMA-co-DTPM copolymer was synthesized containing a perylene moiety unit with hole transporting and blue emitting ability and a triazine moiety unit with electron transporting ability. The devices were fabricated using PPPMA-co-DTPM $(PPPMA[70\;wt\%]:DTPM[30\;wt\%])$ copolymer by varying the doping concentrations of each red, green and blue fluorescent dye, by molecular-dispersing into Toluene solvent with spin coating method. In case of ITO/PPPMA-co-DTPM:TPB$(3\;mol\%):C6(0.04\;mol\%):NR(0.015\;mol\%)/Al$ structure, as they were molecular-dispersing into 30 mg/ml Toluene solvent, nearly-pure white light was obtained both (0.325, 0.339) in the CIE coordinates at 18 V and (0.335, 0.345) at 15 V. The turn-on voltage was 3 V, the light-emitting turn-on voltage was 4 V, and the maximum external quantum efficiency was $0.667\%$ at 24.5 V. Also, in case of using 40 mg/ml Toluene solvent, the CIE coordinate was (0.345, 0.342) at 20 V.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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