Kim, Jong-Lae;Kim, Jai-Kyeong;Cho, Hyun-Nam;Kim, Dong-Young;Hong, Sung-Il;Kim, Chung-Yup
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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pp.125-126
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2000
We report the use of fluorene based copolymers containing quinoline(POF66, PIF66) and pyridine(PFPV) units as electron transporting polymers for multi-layered LEDs. Double-layer device structure combining PIF66 as electron-transporting layer with the emissive MEHPPV showed a maximum quantum efficiency of 0.03%, which is 30 fold increased compared with ITO/MEHPPV/Al single-layer device. PFPV layer increased the quantum efficiency up to 0.1% in the device structure of ITO/(P-3:PVK)/PFPV/Al. The ETL with the electron deficient moiety improved the LED performance by the characteristics of electron transporting as well as hole blocking between emissive layer and metal cathode.
Recently, high luminance and high efficiency were realized in OLED with multilayer structure including emitting materials such as metal-chelate complexes. We synthesized a new luminescent material, namely, [2-(2-hydroxyphenyl)quinoline] (Zn(HPB)q) which has low molecular compound and emitted in yellowish green region. The ionization potential(IP) and electron affinity(EA) of Zn(HPB)q were measured by cyclic-voltammetry(CV). As a result, IP and EA of Zn(HPB)q were calculated 6.8 eV and 3.5 eV, respectively. We fabricated the devices and observed the possibility of Zn(HPB)q as electron transporting layer. We have obtained an improvement of luminance and decrease of turn-on voltage using Zn(HPB)q as electron transporting layer.
Organic light emitting diodes(OLEDs) are widely used as one of the information display techniques. We synthesized (1,10-phenanthroline)- (8-hydroxyquinoline) [Zn(Phen)q]. We studied the improvement of OLEDs properties using Zn(phen)q. The Ionization Potential(IP) and the Electron Affinity(EA) of Zn(phen)q investigated using cyclic voltammetry(CV). The IP, EA and Eg were 7.leV, 3.4eV and 3.7eV, respectively. The PL spectrum of Zn(phen)q was yellowish green as the wavelength of 535nm. In this study, we used Zn(phen)q as electron transporting layer(ETL) inserted between emitting layer(EML) and cathode. As a result, Zn(phen)q is useful as electron transporting layer to enhance the performance of OLEDs.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.1805-1808
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2006
In this paper, we describe a versatile use of fullerene(C60) as a charge transporting material for organic light-emitting diodes. The use of fullerene as a buffer layer for an anode, a doping material for hole transport layer, and an electron transport layer was investigated. Fullerene improved the hole injection from an anode to a hole transport layer by lowering the interfacial energy barrier and enhanced the lifetime of the device as a doping material for a hole transport layer. In addition, it was also effective as an electron transporting material to get low driving voltage in the device.
The effect of $\alpha$-septithiophene (${\alpha}-7T$) layers on the organic light emitting diode(OLED) was studied. The ${\alpha}-7T$ was used for a buffer layer in OLED. Hole injection was investigated and improved emission efficiency. The OLEDs structure can be described as indium tin oxide(ITO)/ buffer layer / hole transporting layer / emitting layer / electron transporting layer / LiF / Al. The hole transporting layer were composed of N,N-diphenyl-N,N-di(3-methylphenyl)-1,1-biphenyl-4,4-diamine(TPD), and N,N-di(naphthalene-1-ly)-N,N-diphenyl-benzidine( ${\alpha}$-NPD). The emitting layer, and electron transporting layer consist of tris(8-hydroxyquinolinato) aluminum($Alq_3$). All organic layer were deposited at a background pressure of less than $10^{-6}$ torr using ultra high vacuum (UHV) system. The ${\alpha}-7T$ layer can substitute the hole blocking layer, and improve hole injection properties.
In this study, we have fabricated the red OLED (organic light emitting diode). The basic device structure is ITO/hole transporting layer, TPD(500 $\AA$)/red emitting layer, Alq3 doped with DCM2:rubrene(20 $\AA$)/electron transporting layer, Alq3(M) (500 $\AA$-M $\AA$)/LiF(15 $\AA$)/Al(1,000 $\AA$). The thickness of electron transporting layer(500 $\AA$-M $\AA$) changed 0, 20, 40, 60 $\AA$. Turn on voltage of the red OLED was 5 V, 6 V, 6.5 V and 7.5 V, respectively with electron transfer layer changed ratio. Luminance of red OLED was 4,504, 1,840, 1,490 and 1,130 cd/$m^2$, respectively. Optimized electron transfer layer position changed ratio of the red OLED was 0 $\AA$.
본 연구에서는 Hole Transporting Layer(HTL)와 Electron Transporting Layer(ETL)의 두께에 의한 특성을 비교해보기 위해서 각각 0, 10, 20 nm로 HTL, ETL 두께를 달리한 형광 OLED소자를 제작하였다. ETL의 두께가 얇아질수록 $V_{TH}$ 값은 2.5V에서 0.9 V로 낮게 나타났고 소자의 전체 두께와 on voltage는 비례한다는 특성을 발견할 수 있었다. HTL과 ETL이 두꺼울수록 각 layer에서 carrier들의 이동에 delay가 생기고 emission layer에서 표면까지 거리가 생기기 때문이다. ETL의 두께가 두꺼울수록 높은 luminance 값을 나타내는 차이를 보여주고 있다. Hole에 비해 이동도가 작은 electron은 emission layer까지 늦게 전달되어, EML내에서 비교적 cathode쪽에 가까운 곳에서 exciton이 형성되기 때문이다. CE에도 더 두꺼운 ETL을 가진 소자가 더 높은 CE값 가짐을 확인할 수 있다. 모든 소자가 $200mA/cm^2$에서 가장 높은 CE값을 나타낸 이유는 $200mA/cm^2$에서 electron-hole 결합이 만들어내는 exciton형성이 가장 많기 때문이다. PE, QE도 ETL 두께가 두꺼울수록 특성을 향상이다. 결론적으로 ETL의 두꺼울수록 current density값이 감소함을 보이고 있는 반면 turn on voltage, luminance, efficiency 증가함을 볼 수 있다.
Electroluminescent(EL) devices based on organic materials have been of great interest due to their possible applications for large-area flat-panel displays, where they are attractive because of their capability of multicolor emission, and low operation voltage. In this study, glass substrate/ITO/Eu(TTA)$_3$(phen)/Al, glass substrate/ITO/Eu(TTA)$_3$(phen)/Al and glass substrate/ITO/Eu(TTA)$_3$(phen)/AlQ$_3$/Al structures were fabricated by vacuum evaporation method, where aromatic diamine(TPD) was used as a hole transporting material, Eu(TTA)$_3$(phen) as an emitting material, and Tris(8-hydroxyquinoline) aluminu-m(AlQ$_3$) as an electron transporting layer. Electrolumescent(EL) and I-V characteristics of Eu(TTA)$_3$-(-phen) were investigated. These structures show the red EL spectra, which are almost the same at the PL spectrum of Eu(TTA)$_3$(phen). I-V characteristics of this structure show that turn-on voltage was 9V and current density was 0.01A/㎤ at a operation voltage of 9V. Electrical transporting phenomena of these structures were explained using the trapped-charge-limited current model with I-V characteristics.
곁사슬에 정공 및 전자 전달체로 triphenylamine moiety와 triazine moiety를 갖는 새로운 공중합체를 합성하였다. ITO/공중합체와 발광물질 (DCM, coumarin 6, DPvBi)/Al으로 구성되는 단층형 유기 EL 소자는 정공 전달 단위체와 전자 전달 단위체 비율이 6:4와 방광물질의 함유량이 30 wt%일 때 최고의 외부 양자 효율을 나타내었다. 특히 위에서 제작한 유기 EL 소자는 각각 발광물질에 상응하는 빨강 (620 nm), 초록 (520 nm)과 파랑색 (450 nm)의 빛을 발광하였다. 최고 휘도는 DC 12V에서 ITO/공중합체 (6:4)와 DCM (30 wt%)/Al으로 구성되는 소자를 구동하였을 때 500 cd/$m^2$이었다.
In this study, 3-dimensional ripple structured anion (chlorine) doped ZnO thin film are developed, and used as electron transporting layer (ETL) in inverted organic photovoltaics (I-OPVs). Optical and electrical characteristics of ZnO:Cl ETL are investigated depending on the chlorine doping ratio and optimized for high efficient I-OPV. It is found that optimized chlorine doping on ZnO ETL enhances the ability of charge transport by modifying the band edge position and carrier mobility without decreasing the optical transmittance in the visible region, results in improvement of power conversion efficiency of I-OPV. The highest performance of 8.79 % is achieved for I-OPV with ZnO:Cl-x (x=0.5wt%), enhanced ~10% compared to that of ZnO:Cl-x (x=0wt%).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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