P-type thermoelectric material $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ was sintered by Hot Press process (HP) and the effect of boron ($0.25{\sim}2$ at%) addition on the thermoelectric properties were reported. To enhance the thermoelectric performances, the $Si_{0.8}Ge_{0.2}$, alloys were fabricated by mechanical alloying (MA) and HP. The carrier of p-type SiGe alloy was controlled by B-doping. The effect of sintering condition and thermoelectric properties were investigated. B-doped SiGe alloys exhibited positive seebeck coefficient. The electrical conductivity and thermal conductivity were increased at the small amount of boron content ($0.25{\sim}0.5$ at%). However, they were decreased over 0.5 at% boron content. As a result, the small addition of boron improved the Z value. The Z value of 0.5 at% B doped $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ B alloy was $0.9{\times}10{-4}/K$, the highest value among the prepared alloys.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.17
no.12
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pp.2914-2920
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2013
In this paper, we prepared the samples with the heat-treated substrate by means of co-evaporation method. The samples prepared with heat-treated substrate of $500^{\circ}C$showed the vacancy on the surface, and it could be prevented by Se ambient condition. The samples prepared with variable heat-treated substrates such as $430^{\circ}C$, $460^{\circ}C$, $480^{\circ}C$ and $500^{\circ}C$ showed the increase of grain resulted to the increase of the density. Based on the XRD analysis, the heat treatment could remove the Cu2Se phase of the samples, but it didn't affect the absorption index of the samples. We, therefore, conclude the absorption index is not affected by heat treatment and is controlled by the thickness of the sample.
Ga-doped polycrystalline ZnO films on glass substrates were prepared by sputtering the targets, which had been prepared by sintering discs consisting of ZnO powder and various amounts of G$a_2O_3$, to investigate the effects of gallium doping and sputtering conditions on electrical properties. Optimizing the RF power density, argon gas pressure and gallium content, transparent Ga-doped ZnO films with resistivity less than 1$0^{-3}$ohm-cm are obtained. Electron concentration of undoped and Ga-doped ZnO films are order of $10^{18}$, $10^{21}$/c$m^2$respectively. After heat treatment in air and $N_2atmosphere, $ the resistivity of Ga-doped ZnO films increases by about two orders of magnitude. The optical transmission is above 80% in the visible range and the optical band widens as the Ga content increases.
Lim, Jin-Hyeon;Kim, Shi Yeon;Yeo, Dong-Hun;Shin, Hyo-Soon;Jeong, Dae-yong
Korean Journal of Materials Research
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v.28
no.12
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pp.719-724
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2018
Cordierite composed of an alumina-silica-magnesia compound has a low coefficient of thermal expansion(CTE) and excellent thermal shock resistance. It also has a low dielectric constant and high electrical insulation. However, due to low mechanical strength, it is limited for use in a ceramic heater. In this study, $ZrO_2$ is added to an 80 wt% cordierite-20 wt% mullite composition, and the effect of $ZrO_2$ addition on the mechanical strength and thermal shock resistance is investigated. With an increasing addition of $ZrO_2$, cordierite-mullite formed $ZrO_2$, $ZrSiO_4$ and spinel phases. With sintering conducted at $1400^{\circ}C$ with the addition of 5 wt% $ZrO_2$ to 80 wt% cordierite-20 wt% mullite, the most dense microstructure forms along with an excellent mechanical strength with a 3-point flexural strength of 238MPa. When this composition is quenched in water at ${\Delta}T=400^{\circ}C$, the 3-point flexural strength is maintained. Moreover, when this composition is cooled from $800^{\circ}C$ to air, the 3-point flexural strength is maintained even after 100 cycles. In addition, the CTE is measured as $3.00{\times}10^{-6}{\cdot}K^{-1}$ at $1000^{\circ}C$. Therefore, 80 wt% cordierite-20 wt% mullite with 5 wt% $ZrO_2$ is considered to be appropriate as material for a ceramic heater.
Decalcomania is a new method for SOFCs (solid oxide fuel cells) unit cell fabrication. A tight and dense $5{\mu}m$ Yttria-stabilized zirconia (8YSZ) electrolyte layer on anode substrate was fabricated by the decalcomania method. After 8YSZ as the electrolyte starting material was calcined at $1200^{\circ}C$, the particle size was controlled by the attrition mill. The median particle size (D50) of each 8YSZ was $39.6{\mu}m$, $9.30{\mu}m$, $6.35{\mu}m$, and $3.16{\mu}m$, respectively. The anode substrate was coated with decalcomania papers which were made by using 8YSZ with different median particle sizes. In order to investigate the effect of median particle sizes and sintering conditions on the electrolyte density, each sample was sintered for 2, 5 and 10 h, respectively. 8YSZ with a median particle size of $3.16{\mu}m$ which was sintered at $1400^{\circ}C$ for 10 had the highest density. With this 8YSZ, a SOFCs unit cell was manufactured with a $5{\mu}m$ layer by the decalcomania method. Then the unit cell was run at $800^{\circ}C$. The Open Circuit Voltage (OCV) and Maximum power density (MPD) was 1.12 V and $650mW/cm^2$, respectively.
Mo-Se Kwon;Seung-Joon Yoo;Jin-Ho Kim;Kyoung-Hoon Jeong;Jong-Keun Lee;Ung-Soo Kim
Korean Journal of Materials Research
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v.34
no.1
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pp.27-33
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2024
Al2O3 has excellent sintering properties and is important in semiconductor manufacturing processes that require high-temperature resistance and chemical inertness in a plasma environment. In this study, a comprehensive analysis of the chemical characteristics, physical properties, crystal structure, and dispersion stability of three commercially available Al2O3 powders was conducted. The aim was to provide a technological foundation for selecting and utilizing appropriate Al2O3 powders in practical applications. All powders exhibited α-Al2O3 as the main phase, with the presence of beta-phase Na2O-11Al2O3 as the secondary phase. The highest Na+ ion leaching was observed in the aqueous slurry state due to the presence of the secondary phase. Although the average particle size difference among the three powders was not significant, distinct differences in particle size distribution were observed. ALG-1SH showed a broad particle size distribution, P162 exhibited a bimodal distribution, and AES-11 displayed a uniform unimodal distribution. High-concentration Al2O3 slurries showed differences in viscosity due to ion release when no dispersant was added, affecting the electrical double-layer thickness. Polycarboxylate was found to effectively enhance the dispersion stability of all three powders. In the dispersion stability analysis, ALG-1SH exhibited the slowest sedimentation tendency, as evidenced by the low TSI value, while P162 showed faster precipitation, influenced by the particle size distribution.
In this study, we made a high efficiency x-ray detecting sensor using the lead oxide(PbO) that are used in direct method of x-ray detector. PbO with nano size particles is produced by sol-gel method for high efficiency. The produced PbO with nano size is deposited on ITO(Induim Tin Oxide) glass in several temperature using the PIB(particle-in-binder) method. The thickness of the deposited PbO is about $200{\mu}m$. Through the measurement of dark current, sensitivity and SNR(Signal To Noise Ratio), an electrical properties of the produced PbO film are analyzed. Therefore, we show that an electrical properties are changed according to a temperature and that the PbO film that was treated at $500^{\circ}C$ in O2 atmosphere is the most high efficiency x-ray detecting sensor.
Park, Kyeong-Soon;Bang, Dae-Young;Yun, Sung-Jin;Choi, Byung-Hyun
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.39
no.10
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pp.912-918
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2002
Ni-Mn-Co-Fe oxide thick films were coated on an alumina substrate by screening printing technique. The microstructure and electrical properties of the thick films, as a function of composition and sintering temperature, were investigated. The components of the NTC thick films sintered at 1150${\circ}C$ were distributed homogeneously. On the other hand, in the case of the NTC thick films sintered at 1200 and 1250${\circ}C$, Co element was distributed homogeneously, but Ni, Mn and Fe elements were distributed heterogeneously, resulting in the formation of Ni rich and Mn-Fe rich regions. All the thick film NTC thermistors prepared showed a linear relationship between log resistance (log R) and the reciprocal of absolute temperature (1/T), indicative of NTC characteristics. At a given NiO and $Mn_3O_4$ content, the resistance, B constant and activation energy of $(Ni_{1.0}Mn_{1.0}Co_{1-x}Fe_x)O_4$ (0.25${\le}$x${\le}$0.75) and $(Ni_{0.75}Mn_{1.25}Co_{1-x}Fe_x)O_4$ (0.25${\le}$x${\le}$0.75) thermistors increased with increasing $Fe_2O_3$ content.
Among the various roll-to-roll printing technologies such as gravure, gravure-offset, and reverse offset printing, reverse offset printing has the advantage of fine patterning, with less than 5 ${\mu}m$ line width. However, it involves complex processes, consisting of 1) the coating process, 2) the off process, 3) the patterning process, and 4) the set process of the ink. Each process demands various ink properties, including viscosity, surface tension, stickiness, and adhesion with substrate or clich$\acute{e}$; these properties are critical factors for the printing quality of fine patterning. In this study, Ag nano ink was developed for reverse offset printing and the effect of polyvinylpyrrolidone(PVP), used as a capping agent of Ag nano particles, on the printing quality was investigated. Ag nano particles with a diameter of ~60 nm were synthesized using the conventional polyol synthesis process. Ethanol and ethylene glycol monopropyl ether(EGPE) were used together as the main solvent in order to control the drying and absorption of the solvents during the printing process. The rheological behavior, especially ink adhesion and stickiness, was controlled with washing processes that have an effect on the offset process and that played a critical role in the fine patterning. The electrical and thermal behaviors were analyzed according to the content of PVP in the Ag ink. Finally, an Ag mesh pattern with a line width of 10 ${\mu}m$ was printed using reverse offset printing; this printing showed an electrical resistivity of 36 ${\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ after sintering at $200^{\circ}C$.
Kim, Kyoung-Bum;Kim, Chang-Il;Jeong, Young-Hun;Lee, Young-Jin;Paik, Jong-Hoo;Lee, Woo-Young;Kim, Dae-Joon
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.12
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pp.929-935
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2010
$(1-x)BaTiO_3-x(Bi_{0.5}Na_{0.5})TiO_3$ ($0.01{\leq}x{\leq}0.10$) ceramics were fabricated with muffled sintering by a modified synthesis process. Their positive temperature coefficient of resistivity (PTCR) characteristics were investigated systematically. All specimen showed a perovskite structure with a tetragonal symmetry. Both the lattice parameter of a and c axes were slightly decreased with increasing $(Bi_{0.5}Na_{0.5})TiO_3$ (BNT) content. Grain growth was achieved when the incorporated BNT was increased to 6 mol% and the inhibition of grain growth is considered to be due to the appearance of Ba vacancy ($V^{"}_{Ba}$) in the $(1-x)BaTiO_3-x(Bi_{0.5}Na_{0.5})TiO_3$ ($0.08{\leq}x$). With 4 mol% BNT addition, room temperature resistivity decreased to $48 \Omega{\cdot}cm$ and a resistivity jump ($\rho_{max}/\rho_{min}$) was as high as $1.1{\times}10^4$, respectively. Curie temperature was also increased to $171^{\circ}C$ with increasing BNT content.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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