Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.119-119
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2011
This study examined the synthesis of large area graphene and the change of its characteristics depending on the ratio of CH4/H2 by using the thermal CVD methods and performed the experiments to control the electron-hole conduction and Dirac-point of graphene by using chemical doping methods. Firstly, with regard to the characteristics of the large area graphene depending on the ratio of CH4/H2, hydrophobic characteristics of the graphene changed to hydrophilic characteristics as the ratio of CH4/H2 reduces. The angle of contact also increased to 78$^{\circ}$ from 58$^{\circ}$. According to the results of Raman spectroscopy showing the degree of defect, the ratio of I(D)/I(G) increases to 0.42% from 0.25% and the surface resistance also increased to 950 ${\Omega}$ from 750 ${\Omega}$/sq. As for the graphene synthesis at the high temperature of 1,000$^{\circ}$ by using CH4/H2 in a Cu-Foil, the possibility of graphene formation was determined as a function of the ratio of H2 included in the fixed quantity of CH4 as per specifications of every equipment. It was observed that the excessive amount of H2 prevented graphene from forming, as extra H-atoms and molecules activated the reaction to C-bond of graphene. Secondly, in the experiment for the electron-hole conduction and the Dirac-point of graphene using the chemical doping method, the shift of Dirac-point and the change in the electron-hole conduction were observed for both the N-type (PEI) and the P-type (Diazonium) dopings. The ID-VG results show that, for the N-type (PEI) doped graphene, Dirac-point shifted to the left (-voltage direction) by 90V at an hour and by 130 V at 2 hours respectively, compared to the pristine graphene. Carrier mobility was also reduced by 1,600 cm2/Vs (1 hour) and 1,100 cm2/Vs (2 hours), compared to the maximum hole mobility of the pristine graphene.
This study reports the high-temperature oxidation kinetics, ASR(area specific resistance), and interfacial microstructure of metallic interconnects coated with conductive oxides in oxidation atmosphere at $800^{\circ}C$, The conductive material LSC($La_{0.8}Sr_{0.2}CoO_3$, prepared by Solid State Reaction) was coated on the Crofer22APU. The contact behavior of coating layer/metal substrate was increased by sandblast. The electrical conductivity of the LSC coated Crpfer22APU was measured by a DC two probe four wire method for 4000hr, in air at $800^{\circ}C$. Microstructure and composition of the coated layer interface were investigated by SEM/EDS. These results show that a coated LSC layer prevents the formation and growth of oxide scale such as $Cr_2O_3$ and enhances the long-term stability and electrical performance of metallic interconnects for SOFCs.
In this Study, Mo back electrode were deposited as the functions of various working pressure, deposition time and plasma per-treatment on sodalime glass (SLG) for application to CIGS thin film solar cell using by DC sputtering method, and were analyzed Mo change to $MoSe_2$ layer through selenization processes. And finally Mo back electrode characteristics were evaluated as application to CIGS device after Al/AZO/ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG fabrication. Mo films fabricated as a function of the working pressure from 1.3 to 4.9mTorr are that physical thickness changed to increase from 1.24 to 1.27 ${\mu}m$ and electrical characteristics of sheet resistance changed to increase from 0.195 to 0.242 ${\Omega}/sq$ as according to the higher working pressure. We could find out that Mo film have more dense in lower working pressure because positive Ar ions have higher energy in lower pressure when ions impact to Mo target, and have dominated (100) columnar structure without working pressure. Also Mo films fabricated as a function of the deposition time are that physical thickness changed to increase from 0.15 to 1.24 ${\mu}m$ and electrical characteristics of sheet resistance changed to decrease from 2.75 to 0.195 ${\Omega}/sq$ as according to the increasing of deposition time. This is reasonable because more thick metal film have better electrical characteristics. We investigated Mo change to $MoSe_2$ layer through selenization processes after Se/Mo/SLG fabrication as a function of the selenization time from 5 to 40 minutes. $MoSe_2$ thickness were changed to increase as according to the increasing of selenization time. We could find out that we have to control $MoSe_2$ thickness to get ohmic contact characteristics as controlling of proper selenization time. And we fabricated and evaluated CIGS thin film solar cell device as Al/AZO/ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG structures depend on Mo thickness 1.2 ${\mu}m$ and 0.6 ${\mu}m$. The efficiency of CIGS device with 0.6 ${\mu}m$ Mo thickness is batter as 9.46% because Na ion of SLG can move to CIGS layer more faster through thin Mo layer. The adhesion characteristics of Mo back electrode on SLG were improved better as plasma pre-treatment on SLG substrate before Mo deposition. And we could expect better efficiency of CIGS thin film solar cell as controlling of Mo thickness and $MoSe_2$ thickness depend on Na effect and selenization time.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.115-116
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2012
The demand for flexible electronic systems such as wearable computers, E-paper, and flexible displays has increased due to their advantages of excellent portability, conformal contact with curved surfaces, light weight, and human friendly interfaces over present rigid electronic systems. This seminar introduces three recent progresses that can extend the application of high performance flexible inorganic electronics. The first part of this seminar will introduce a RRAM with a one transistor-one memristor (1T-1M) arrays on flexible substrates. Flexible memory is an essential part of electronics for data processing, storage, and radio frequency (RF) communication and thus a key element to realize such flexible electronic systems. Although several emerging memory technologies, including resistive switching memory, have been proposed, the cell-to-cell interference issue has to be overcome for flexible and high performance nonvolatile memory applications. The cell-to-cell interference between neighbouring memory cells occurs due to leakage current paths through adjacent low resistance state cells and induces not only unnecessary power consumption but also a misreading problem, a fatal obstacle in memory operation. To fabricate a fully functional flexible memory and prevent these unwanted effects, we integrated high performance flexible single crystal silicon transistors with an amorphous titanium oxide (a-TiO2) based memristor to control the logic state of memory. The $8{\times}8$ NOR type 1T-1M RRAM demonstrated the first random access memory operation on flexible substrates by controlling each memory unit cell independently. The second part of the seminar will discuss the flexible GaN LED on LCP substrates for implantable biosensor. Inorganic III-V light emitting diodes (LEDs) have superior characteristics, such as long-term stability, high efficiency, and strong brightness compared to conventional incandescent lamps and OLED. However, due to the brittle property of bulk inorganic semiconductor materials, III-V LED limits its applications in the field of high performance flexible electronics. This seminar introduces the first flexible and implantable GaN LED on plastic substrates that is transferred from bulk GaN on Si substrates. The superb properties of the flexible GaN thin film in terms of its wide band gap and high efficiency enable the dramatic extension of not only consumer electronic applications but also the biosensing scale. The flexible white LEDs are demonstrated for the feasibility of using a white light source for future flexible BLU devices. Finally a water-resist and a biocompatible PTFE-coated flexible LED biosensor can detect PSA at a detection limit of 1 ng/mL. These results show that the nitride-based flexible LED can be used as the future flexible display technology and a type of implantable LED biosensor for a therapy tool. The final part of this seminar will introduce a highly efficient and printable BaTiO3 thin film nanogenerator on plastic substrates. Energy harvesting technologies converting external biomechanical energy sources (such as heart beat, blood flow, muscle stretching and animal movements) into electrical energy is recently a highly demanding issue in the materials science community. Herein, we describe procedure suitable for generating and printing a lead-free microstructured BaTiO3 thin film nanogenerator on plastic substrates to overcome limitations appeared in conventional flexible ferroelectric devices. Flexible BaTiO3 thin film nanogenerator was fabricated and the piezoelectric properties and mechanically stability of ferroelectric devices were characterized. From the results, we demonstrate the highly efficient and stable performance of BaTiO3 thin film nanogenerator.
Modern artworks are constructed using a variety of materials and techniques. Sculptures, which predominantly consist of metals, usually have different shapes and consist of different material mixtures. The structural and material properties of these sculptures are often controlled by conservation treatment methods. However, the application of existing treatment methods is challenging at times, indicating that more diverse treatment materials and techniques are necessary. Therefore, in this study, a treatment method that employs volatile corrosion inhibitor(VCI) powder, rather than an anti-corrosion solution, for the conservation and management of metal artworks was used. VCI powder and VCI films containing VCI powder were used, and the results obtained confirmed that both of them showed anti-corrosion effect. Only a slight change in the chromaticity of metal samples was observed, and compared to the untreated samples, the application of the VCI powder resulted in a decrease in the rate of corrosion by half. Moreover, VCI film tests revealed that comparing to the untreated or polyethylene film-treated samples, VCI film treatment resulted in a decrease in the occurrence of corrosion compounds. The contact angle, surface energy, and surface electrical resistance were measured, and the evaluation of these surface properties established the anti-corrosion effect of VCI. Additionally, direct application of VCI and VCI films on actual sculptures further confirmed the anti-corrosion effect of VCI.
The advent of towed geo-electrical array surveying on water and land has resulted in datasets of magnitude approaching that of airborne electromagnetic surveying and most suited to 1D inversion. Robustness and complete automation is essential if processing and reliable interpretation of such data is to be viable. Sharp boundaries such as river beds and the top of saline aquifers must be resolved so use of smoothness constraints must be minimised. Suitable inversion algorithms must intelligently handle low signal-to-noise ratio data if conductive basement, that attenuates signal, is not to be misrepresented. A noise-level aware inversion algorithm that operates with one elastic thickness layer per electrode configuration has been coded. The noise-level aware inversion identifies if conductive basement has attenuated signal levels so that they are below noise level, and models conductive basement where appropriate. Layers in the initial models are distributed to span the effective depths of each of the geo-electric array quadrupoles. The algorithm works optimally on data collected using geo-electric arrays with an approximately exponential distribution of quadrupole effective depths. Inversion of data from arrays with linear electrodes, used to reduce contact resistance, and capacitive-line antennae is plausible. This paper demonstrates the effectiveness of the algorithm using theoretical examples and an example from a salt interception scheme on the Murray River, Australia.
Lee, Myeong Ju;Kim, Ju Young;Oh, Jimin;Kim, Ju Mi;Kim, Kwang Man;Lee, Young-Gi;Shin, Dong Ok
Journal of the Korean Electrochemical Society
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v.21
no.4
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pp.80-87
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2018
Safety issues in Li-ion battery system have been prime concerns, as demands for power supply device applicable to wearable device, electrical vehicles and energy storage system have increased. To solve safety problems, promising strategy is to replace organic liquid electrolyte with non-flammable solid electrolyte, leading to the development of all-solid-state battery. However, relative low conductivity and high resistance from rigid solid-solid interface hinder a wide application of solid electrolyte. Composite electrolytes composed of organic and inorganic parts could be alternative solution, which in turn bring about the increase of conductivity and conformal contact at physically rough interfaces. In our study, composite electrolytes were prepared by combining poly(ethylene oxide)(PEO) and $Li_7La_3Zr_2O_{12}$ (LLZO). The crystallinity, morphology and electrochemical performances were investigated with the control of LLZO contents from 0 wt% to 50 wt%. From the results, it is concluded that optimum content and uniform dispersion of LLZO in polymer matrix are significant to improve overall conductivity of composite electrolyte.
A transparent film was fabricated based on bacterial cellulose (BC), BC has excellent physical strength and stability at high temperature and it is an environmental friendly flexible material. In order to improve the conductivity, silver nanowire (AgNW) and/or graphene were introduced to the BC membrane. The aspect ratio of the AgNW synthesized in this study was 214, with a length of $15{\mu}m$ and width of 70 nm. The higher aspect ratio improved the conductivity by reducing the contact resistance. The thermal and electrical properties of 7 types of films prepared were investigated. Each film was fabricated with rectangular shape ($2mm{\times}2mm{\times}50{\mu}m$). The films were scored with a net shape by a knife, and filled with AgNW and graphene to bestow conductivity. The film filled with AgNW showed favorable electrical characteristics with a thickness of $350{\mu}m$, electron concentration of $1.53{\times}10^{19}$, electron mobility of $6.63{\times}10^5$, and resistivity of 0.28. The film filled with graphene had a thickness of $360{\mu}m$, electron concentration of $7.74{\times}10^{17}$, electron mobility of 0.17, and resistivity of 4.78. The transmittances at 550 nm were 98.1% and 80.9%, respectively. All the films were able to light LEDs bulbs although their brightness differed. A thermal stability test of the BC and PET films at $150{\pm}5^{\circ}C$ showed that the BC film was more stable, whereas the PET film was quickly banded. From these results, it was confirmed that there it is possible to fabricate new transparent conductivity films based on BC.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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