• 분석과학
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• 제15권4호
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• pp.321-328
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• 2002

From May 1999 to July 2000, concentration of 17 metals (Al, Ba, Ca, Cd, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, Pb, Sr, V, Zn), 4 ions (${NH_4}^+$, $Cl^-$, ${NO_3}^-$, ${SO_4}^{2-}$) and pH in rainwater were investigated. The volume-weighted mean concentrations (VWM) of ${NO_3}^-$ and ${SO_4}^{2-}$ were 16.0 and $17.0{\mu}mol\;L^{-1}$. The average pH was 4.53, which ranged from 3.83 to 6.06. The characteristic variations of these species were investigated in terms of the source of these species by principal component analysis (PCA) and interelement correlation coefficients. The elements were classified into three categories: anthropogenic source (Cd, Cu, Fe, Ni, Pb, V, Zn, ${NH_4}^+$, ${NO_3}^-$, ${SO_4}^{2-}$ and $H^+$), soil and crust dust (Al, Ba, Ca, Fe, Mn) and sea salts (Mg, Na, $Cl^-$). In addition, we compared the concentrations in rainwater, which were taken on the same day in three sites (Higashi-Hiroshima, an urban-facing area and a mountain-facing area of Mt. Gokurakuji) in order to examine the regional effect against the concentrations in them. At the urban-facing area of Mt. Gokurakuji, the concentrations of chemical compositions were higher than other areas.

• 한국자기학회지
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• 제13권3호
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• pp.109-114
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• 2003

NiCuZn 페라이트에 $V_2O_{5}$를 0~0.5 wt% 첨가하여 페라이트 페이스트를 준비한 후,스크린 인쇄법으로 내부전극이 4.5회 회전된 임의의 크기(7.7$\times$4.5$\times$l.4 mm)의 칩인덕터를 제조하여, $V_2O_{5}$ 첨가량에 따른 미세구조 및 자기적 특성 변화를 분석하였다. $V_2O_{5}$첨가량이 증가할수록 액상소결이 발달하여 페라이트 입계에 내부전극 Ag의 확산과 Cu 석출 현상이 촉진되고, 이로 인하여 과대입자성장이 발달되었다. 이러한 현상은 칩인덕터의 자기적 특성에 큰 영향을 미쳐,900 $^{\circ}C$에서 소결된 $V_2O_{5}$ wt% 첨가시편의 주파수 10 MHz에서의 인덕턴스 값이 3.7$\mu$H로 0.3 wt% 첨가 시편의 4.2 $\mu$H보다 작게 나타났는데, 이는 Ag와 Cu의 석출량이 많아짐에 따라 잔류응력 발생이 심화되기 때문으로 생각된다 또한 $V_2O_{5}$ 0.5 wt% 첨가한 시편의 경우 소결온도가 증가함에 따라 품질계수 값이 감소하였는데, 이 결과도 페라이트 입계에서의 Ag나 Cu의 금속성분의 석출량 증가 및 과대입자성장에 의한 입자크기 증대로 인하여 전체 전기비저항이 감소되기 때문인 것으로 생각된다. 결론적으로 자기적 특성을 고려할 때 0.3 wt%가 적정 첨가량으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.28-29
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• 2006

The magnetic properties of a series of both annealed and as-rolled Ni-$W_y$ alloy tapes with compositions y = 0, 1, 3, and 5 at.%, were studied. To compare with Ni-W alloys, the magnetic properties of a series of both annealed and as-rolled $[Ni_{97at.%}W_{3at.%}]_{100-x}Cu_x$ alloy tapes with compositions x = 0, 1, 3, 5 and 7 at.%, were studied, as well. Both the isothermal mass magnetization M(H) of a series of samples, such as both Ni-W and [Ni-W]-Cu alloy tapes, at different fixed temperatures and M(T) in fixed field, were measured using a PPMS-9 (Quantum Design). The degree of ferromagnetism of Ni-$W_y$ alloys have reduced as W-content y increases. Both the saturation magnetization $M_{sat}$ and Curie temperature $T_c$ decrease linearly with W-content y, and both $M_{sat}$ and $T_c$ go to zero at critical concentration of $y_c$ ~ 9.50 at.% W. The effect of Cu addition on both the saturation magnetization $M_sat$ and Curie temperature $T_c$ decrease linearly with Cu-content x in $[Ni_{97at.%}W_{3at.%}]_{100-x}Cu_x$ alloy tapes with compositions x = 0, 1, 3, 5, and 7 at.%. The results confirm that [Ni-W]-Cu alloy tapes can have much reduced ferromagnetism as Cu-content x increases.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.675-675
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• 2013

CIGS thin films have received a great attention as a promising material for solar cells due to their high absorption coefficient, appropriate bandgap, long-term stability, and low cost production. CIGS thin films have been deposited by various methods such as co-evaporation, sputtering, spray pyrolysis and electro-deposition. In this study, Cu(In,Ga)Se2(CIGS) thin films were prepared using a single quaternary target by rf magnetron sputtering. The effect of sulfurization on the structural, compositional and electrical properties of the films was examined in order to develop the deposition process. An optimal sulfurization process will be selected for the preparation of CIGS thin films with good structural, optical and electrical properties by applying various sulfurization processes. In addition, the electrical properties of CIGS thin films were investigated by post-deposition annealing process. The carrier concentration of CIG(SSe) thin films after sulfurization was increased from $10^{14}cm^{-3}$ to $10^{16}cm^{-3}$ and the resistivity was increased from 10 ${\Omega}cm$ to $10^3$ ${\Omega}cm$. It is confirmed that CIG(SSe) thin films prepared at optimal deposition condition have similar atomic ratio to the target value after sulfurization.

• Journal of Magnetics
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• 제7권3호
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• pp.63-71
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• 2002

Three fabrication techniques for forming thin barrier layer with uniform thickness and large barrier height in magnetic tunnel junction (MTJ) are discussed. First, the effect of immiscible element addition to Cu layer, a high conducting layer generally placed under the MTJ, is investigated in order to reduce the surface roughness of the bottom ferromagnetic layer, on which the barrier is formed. The Ag addition to the Cu layer successfully realizes the smooth surface of the ferromagnetic layer because of the suppression of the grain growth of Cu. Second, a new plasma source, characterized as low electron energy of 1 eV and high density of $10^{12}$ $cm^{-3}$, is introduced to the Al oxidation process in MTJ fabrication in order to reduce damages to the barrier layer by the ion-bombardment. The magnetotransport properties of the MTJs are investigated as a function of the annealing temperature. As a peculiar feature, the monotonous decrease of resistance area product (RA) is observed with increasing the annealing temperature. The decrease of the RA is due to the decrease of the effective barrier width. Third, the influence of the mixed inert gas species for plasma oxidization process of metallic Al layer on the tunnel magnetoresistance (TMR) was investigated. By the use of Kr-O$_2$ plasma for Al oxidation process, a 58.8 % of MR ratio was obtained at room temperature after annealing the junction at $300{^{\circ}C}$, while the achieved TMR ratio of the MTJ fabricated with usual Ar-$0_2$ plasma remained 48.4%. A faster oxidization rate of the Al layer by using Kr-O$_2$ plasma is a possible cause to prevent the over oxidization of Al layer and to realize a large magnetoresistance.

• 열처리공학회지
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• 제2권4호
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• pp.47-55
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• 1989

The effects of thermal cycle, aging heat treatment and Boron addition on the phase transformation characteristics and mechanical properties of the shape memory alloys of Cu-Zn-Al system, which was designed to operate about $80^{\circ}C$ by this research group, were studied. From the view point of the effects of thermal cycle on the phase transformation temperature change, it was found that up to 100 cycles Ms and Af points increased by $3-7^{\circ}C$ and Mf decreased a little bit and after that all of them were remain constant, and As point was not affected. All of the phase transformation temperatures were decreased $5-7^{\circ}C$ by aging heat treatment, at $140^{\circ}C$ for 24h however the effects of thermal cycle on aged alloys were same as on unaged alloys. As the thermal cycle increased the shape memory ability decreased a little up to 20 cycles, but above that it kept almost same ability. By Boron addition, grain size was refined from $1500{\mu}m$ to about $330{\mu}m$ and the hardness, fatigue property were improved but shape memory ability was lowered.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2007년도 High Temperature Superconductivity Vol.XVII
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• pp.70-70
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• 2007

• 한국진공학회지
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• 제6권2호
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• pp.143-150
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• 1997

본 연구에서는 1000$\AA$두께의 Molybdenum화합물(Mo, Mo-N,$MoSi_2$, Mo-Si-N)의 Cu에 대한 확산방지막으로서의 특성을 면저항측정장비(four-point-probe), XRD, XPS, SEM, RBS 분석을 통하여 조사하였다. 각 박막층은 dc magnetron sputtering장비를 이용하 여 증착되었고 $300^{\circ}C$-$800^{\circ}C$의 온도구간에서 30분동안 진공열처리하였다. Mo 및 $MoSi_2$ 방지 막은 낮은 온도에서 확산방지막으로서의 특성파괴를 보였다. 결정립계를 통한 Cu의 확산과 Mo-실리사이드내의 Si의 Cu와의 반응이 그 원인인 것으로 사료된다. 질소를 첨가한 시편의 경우 확산방지특성 파괴온도는 Mo-N방지막의 경우 $650^{\circ}C$-30분, Mo-Si-N방지막의 경우 $700^{\circ}C$-30분으로 향상되었다. Cu와 Si의 확산은 방지막의 결정립계를 통하여 더욱 빠르게 확 산된다. 따라서 증착시 결정립계를 질소와 같은 물질로 채워 Cu와 Si의 확산을 저지할 수 있을 것으로 사료된다. 본 실험결과에서의 질소첨가는 이와 같은 stuffing 효과외에도 Mo- 실리사이드 박막의 결정화 온도를 다소 높인 것으로 나타났고, 그 결과 결정립계의 밀도를 감소시켜 확산방지막으로서의 특성을 향상시킨 것으로 사료된다. 또한 질소첨가는 실리사이 드내의 금속과 실리콘과의 비를 변화시켜 확산방지막의 특성에 영향을 미친 것으로 보인다. 본 실험에서 조사된 확산방지막 중에서는 Mo-Si-N박막이 Cu와 Si간의 확산을 가장 효과적 으로 저지시킨 것으로 나타났으며 $650^{\circ}C$-30분까지 안정한 특성을 보였다.

• 한국철도학회:학술대회논문집
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• 한국철도학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.535-542
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• 2000

전차선로 가선재료에는 순수구리로 이루어진 전차선, 카드뮴이 포함된 조가선, steel과 Al의 이종금속으로 이루어진 ACSR이 있고 이들 재료는 산성비와 같은 부식환경에 노출되어 있다. 따라서 다양한 부식환경에서의 이들 재료의 부식특성 및 부식속도를 규명하는 것은 매우 중요한 일이다 이에 본 실험에서는 pH, 용존산소 및 염소이온의 영향을 동전위분극시험, 선형분극시험, 교류임피던스시험 및 갈바닉시험 등의 전기화학적 분석기법을 통해 가선재료의 부식거동 및 부식속도를 조사하였다. 실험 결과 카드뮴이 함유된 재료의 부식저항성이 순수구리로 이루어진 재료에서의 부식저항성보다 낮은 것을 확인하였고, 염소이온이 내식성을 감소시킨다는 것을 관찰하였으며, 갈바닉시험 결과 산성용액에서 염소이온을 첨가하였을 경우 steel의 높은 갈바닉부식 전류밀도를 ZRA 법을 통해 확인하였다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제28권2호
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• pp.49-56
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• 2000

본 연구는 용액의 처리조건에 따른 미처리 수피에 의한 중금속 흡착을 연구하기 위하여 계획되었다. 흡착에 미치는 용액의 온도와 pH, 수피의 입자크기, 경금속 첨가의 영향이 연구되었고, 또한 중금속간의 흡착경쟁도 평가되었다. 용액의 온도를 $-5^{\circ}C$에서 $10^{\circ}C$까지 증가시킴에 따라 $Cu^{2+}$와 $Zn^{2+}$의 흡착율이 증가하였다. 그러나, 이 흡착은 $10^{\circ}C{\sim}55^{\circ}C$에서는 거의 일정하였다. $Cr^{6+}$은 용액의 온도를 증가시킴에 따라 계속적으로 증가하였다. $Cu^{2+}$, $Zn^{2+}$ 및 $Pb^{2+}$의 최대 흡착율은 pH 6~7에서 나타났다. 그러나, 이 흡착율은 최적 pH 의 양 영역에서는 급격하게 감소하였다. $Cr^{6+}$의 흡착율은 용액의 pH를 증가시킴에 따라 계속적으로 감소하였다. 수피의 입자크기가 작을수록 흡착율은 감소하였다. 소나무 수피와 상수리나무 수피 간의 흡착 경향은 차이가 거의 없었다. $Ca^{2+}$이나 $Mg^{2+}$(10~25 ppm)의 첨가에 의해 $Cu^{2+}$, $Zn^{2+}$의 흡착율이 증가되었다. 흡착율의 증가는 소나무 수피보다 상수리나무 수피에서 더 높았다. 그러나 $Pb^{2+}$와 $Cr^{6+}$은 경금속의 첨가에 영향을 받지 않았다. 2~3종류의 중금속 혼합용액 ($Cu^{2+}$, $Pb^{2+}$, $Zn^{2+}$)을 미처리 수피로 처리할 경우, $Zn^{2+}$의 흡착은 중금속 이온간의 흡착경쟁 때문에 현저하게 감소되었다. 또한, $Cu^{2+}$의 흡착도 다소간 감소되었다. 그러나 $Pb^{2+}$의 흡착은 다른 중금속 이온의 존재에 의해서 영향받지 않았다.