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Case of the Anti-Type 2 Diabetes Effects on the Prescription of Red Onion (한약과 자색양파 제재로 호전된 제2형 당뇨병 42례 보고)

  • Lee, Jeong Won;Kim, Yi Soon;Kim, Chang Tae;Kwak, Yi Sub;Lee, Hai Woong;Han, Cho Ryang;Oh, Mi Jung;Kim, Gyeong Cheol
    • Journal of Physiology & Pathology in Korean Medicine
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    • v.27 no.4
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    • pp.465-470
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    • 2013
  • The purpose of this study is to observe clinically the effects of red onion prescription on type 2 diabetes. The subject of this study were middle-aged people. We measured clinically physiological index, body composition, radial arterial pulse wave before taking medicine and after taking medicine for 4 month (the prescription of red onion). The study results were as follows. In physiological Index, diastolic blood pressure(mmHg)(p<0.001), Fasting blood glucose(mg/dL)(p=0.001), and HbA1c(%)(p<0.001) were decreased significantly after taking medicine. In body Composition, waist-hip ratio(p=0.031), body fat percentage(p=0.006), fat mass(kg)(p=0.005), and muscle mass(kg)(p=0.001) were decreased significantly after taking medicine. Blood Circulation Index, ECO(L/min)(p=0.038) and ECI($L/min/m^2$)(p=0.007) were increased significantly after taking medicine, ECR($dyne^*sec^*cm^{-5}$)(p=0.002), and ECRI($dyne^*sec/cm$)(p=0.001) were decreased significantly after taking medicine for 4 month. The prescription of red onion was showed significant change in physiological index, character of body composition, blood circulation index. Based on this result, it is considered that red onion prescription has the positive effects on type 2 diabetes and blood circulation clinically. In the future, diversified studies on the effects of red onion prescription are needed.

Characteristics of Low Dielectric Constant SiOF Thin Films with Post Plasma Treatment Time (플라즈마 후처리 시간에 따른 저유전율 SiOF 박막의 특성)

  • Lee, Seok Hyeong;Park, Jong Wan
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.7 no.3
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    • pp.267-267
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    • 1998
  • The fluorine doped silicon oxide (SiOF) intermetal dielectric (IMD) films have been of interest due to their lower dielectric constant and compatibility with existing process tools. However instability issues related to bond and increasing dielectric constant to water absorption when the SiOF films was exposured to atmospheric ambient. Therefore, the purpose of this research is to study the effect of post oxygen plasma treatment on the resistance of moisture absorption and reliability of SiOF film. Improvement of moisture absorption resistance of SiOF film is due to the forming of thin SiO₂layer at the SiOF film surface. It is thought that the main effect of the improvement of moisture absorption resistance was densification of the top layer and reduction in the number of Si-F bonds that tend to associate with OH bonds. However, the dielectric constant was increased when plasma treatment time is above 5 min. In this study, therefore, it is thought that the proper plasma treatment time is 3 min when plasma treatment condition is 700 W of microwave power, 3 mTorr of process pressure and 300℃ of substrate temperature.

The Effects of Pre-service Early Childhood Teacher's Adult-Attachment, Mental-Health and Resilience on Smartphone Addiction Tendency (예비유아교사의 성인애착, 정신건강, 회복탄력성이 스마트폰 중독경향성에 미치는 영향)

  • Kim, Min Seok
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.21 no.5
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    • pp.353-361
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    • 2020
  • This study examined the effects of pre-service early childhood teacher's adult-attachment, mental-health and resilience on smartphone addiction tendency. The participants were 283 pre-service early childhood teachers in Seoul and Kyungkido. Collected self-report data were analyzed by correlation analysis and hierarchical regression analysis. The results were as follows. First, there were 228 people (81 percent) in the regular user group and 55 people(19 percent) in the risk user group. Second, there were significant differences in adult-attachment, mental-health and resilience according to smartphone addiction tendency. Third, anxiety(adult-attachment) and mental-health had a positive correlation, and control and affirmation(resilience) had a negative correlation with pre-service early childhood teachers' smartphone addiction tendency. Fourth, all variables influenced pre-service early childhood teachers' smartphone addiction tendency. This study provides practical suggestions for smartphone usage and preventive measures for pre-service early childhood teachers' smartphone addiction.

대면적 Transformer coupled Plasma Source에서 파워결합에 관한 실험적 연구

  • 김희준;손명근;황용석
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1998.02a
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    • pp.166-166
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    • 1998
  • 반도체 공정에서 기존보다 큰 30cm 웨이퍼훌 이용하기 위해서 기존의 ECR, Helicon, ICP, 등 공정용 고 밀도 플라즈마 원들의 대면적화에 대한 연구가 세계적으로 진행되고 있다 현 상황에서는 평판형 안테 나룰 이용한 TCP가 대면적용 폴라즈마 원의 가장 유력한 후보로 여겨지고 있다 TCP롤 대면적화 하는 데 있어서 중요한 문제점으로는 대면적에서의 큰 안테나 인되턴스로 인한 임피던스 정합과 대면적에서 의 유전울질의 기계적 강도이다. 앓은 유전물질올 사용힐 수 있도록 대면적 TCP 플라즈마 원올 실계 저l작하였고 이차원 가열이론올 이용한 TCPRP code 률 이용하여 안테나의 반경옳 결정하였디 안테나의 인덕턴스 값올 줄이기 위해서는 주m수는 13.56MHz 보다 낮은 4-5MHz 부근에서 작동하는 RF 파워룰 선택하였다 이 파워 서플라이는 보통 사용되는 50n 흩력 입묘$\mid$던스훌 갖는 형태가 Of니라 LC 공진현상 올 이용하여 부하에 파워률 전달하는 형태이다 .. TCP 장치에 사용할 수 있도록 파워 서플라이 흩력 단에 안테나와 직혈로 가변 콘덴서를 달아서 임11I던스 정합올 힐 수 있게 하였다 안테나에 직훌로 달Of줌으 로써 안테니의 인덕턴스훌 훌여주는 효과훌 얻올 수 있다 안테나에 흐르는 전류룰 측정하기 위해서 사 각형 루프로 전류 픽업 코일을 만들었고 진공상태에서 RF 파워률 인가하고 안테나의 전류와 전압을 측정하여 픽업 코일걸과훌 조정하였다. 발생기체로는 헬륨올 사용하였고 1-100mTorr 의 압력범위에서 실험을 하였다 플라즈마롤 빌샘시키고 파워를 증가 시킴에 따라 E-H mode transition 현상이 관찰되었고 그 때의 임계 전류 값을 측정하였다. 압력이 낮올수록 모드 변화가 일어나는 전류의 값이 작았다 임계 전류는 압력에 대해서 선형적인 특성을 보였다 이는 압력이 낮을수록 유도걸힘이 더 잘 된다는 것을 의미한다 1 1 mTorr에서는 H-mode에서 안테나의 전류가 파워훌 증가시킴에 따라 계속 증가하였으니, 압력이 올라 갈수록 조금씩 증가하는 정도가 줄어들고. 100mTorr에서는 포화된 값을 나타냈다 H-mode로 넘어간 후 에는 파워가 증가황에 따라 안테나의 임피던스 값이 모든 압력영역에서 줄어드는 경황을 보였고, 이는 플라즈마의 인덕턴스에 의해서 안테나의 인덕턴스 기 감소되기 때문이다, 파워가 증가할수록 안테U오} 플라즈마 루프사이의 상호걸합이 증가하는 걸로 해석힐 수 있다 안테나의 인되턴스 변화보다는 저항.성 분의 변화가 컸다 하지만 전체 임피던스로 볼 때 저항성분이 상대적으로 작기 때문에 인덕턴스의 감소 가 더 큰 영향을 미치는 걸로 볼 수 있다. 하지만 플라즈마로의 파워 전달에는 저항성분만이 영향올 미 치므로 저항성분의 큰 변화는 파워가 많이 전달될올 의미한다 피워전달 효율을 계산해 본 결과 수 r mTorr 부근이 80-90% 정도의 높은 효율올 보였고 5mTorr 일 때가 가장 좋았다.

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Involvement of Early Growth Response Gene 1 (EGR-1) in Growth Suppression of the Human Colonic Tumor Cells By Apigenin and Its Derivative Isovitexin (Apigenin과 대사물 isovitexin에 의한 인체 대장암세포의 세포활성 억제효과에 있어서의 EGR-1의 역할 연구)

  • Moon, Yu-Seok;Cui, Lei-Guang;Yang, Hyun
    • Journal of Life Science
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    • v.17 no.1 s.81
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    • pp.110-115
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    • 2007
  • It has been previously described that transcription factor early growth response gene product 1 (EGR-1) functions as a tumor suppressor gene. This study was conducted to demonstrate that EGR-1 induction by phytochemical apigenin and its derivative isovitexin can mediate the growth suppression of the intestinal epithelial tumor cells. Apigenin and isovitexin induced EGR-1 gene expression both in the dose and time-dependent manners. Moreover the induction was relatively late around 9-12 hr after treatment of HCT-116 cells, while several anti-inflammatory agent such as NSAIDS and catechins elicit the ECR-1 gene expression at much earlier time about 1-3 hr after treatment. In terms of signal transduction, ERK1/2 was critical for apigenin-induced EGR-1 gene expression and its promoter activation. When EGR-1 gene expression was blocked with EGR-1 small interference RNA, the cytotoxicity of apigenin in the human epithelial cells was attenuated, suggesting the involvement of EGR-1 in the anti-tumoric activity of apigenin. To link the EGR-1 induction to EGR-1-regulated gene products in colon cancer, NSAID-Activated Gene 1 (NAG-1) was demonstrated to be elevated by apigenin and isovitexin at 24-48 hr after treatment. Taken together, apigenin-activated ERK1/2 mediated EGR-1 gene induction, which was associated with suppression of the cellular viability by apigenin compound.

The surface kinetic properties between $BCl_3/Cl_2$/Ar plasma and $Al_2O_3$ thin film

  • Yang, Xue;Kim, Dong-Pyo;Um, Doo-Seung;Kim, Chang-Il
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.06a
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    • pp.169-169
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    • 2008
  • To keep pace with scaling trends of CMOS technologies, high-k metal oxides are to be introduced. Due to their high permittivity, high-k materials can achieve the required capacitance with stacks of higher physical thickness to reduce the leakage current through the scaled gate oxide, which make it become much more promising materials to instead of $SiO_2$. As further studying on high-k, an understanding of the relation between the etch characteristics of high-k dielectric materials and plasma properties is required for the low damaged removal process to match standard processing procedure. There are some reports on the dry etching of different high-k materials in ICP and ECR plasma with various plasma parameters, such as different gas combinations ($Cl_2$, $Cl_2/BCl_3$, $Cl_2$/Ar, $SF_6$/Ar, and $CH_4/H_2$/Ar etc). Understanding of the complex behavior of particles at surfaces requires detailed knowledge of both macroscopic and microscopic processes that take place; also certain processes depend critically on temperature and gas pressure. The choice of $BCl_3$ as the chemically active gas results from the fact that it is widely used for the etching o the materials covered by the native oxides due to the effective extraction of oxygen in the form of $BCl_xO_y$ compounds. In this study, the surface reactions and the etch rate of $Al_2O_3$ films in $BCl_3/Cl_2$/Ar plasma were investigated in an inductively coupled plasma(ICP) reactor in terms of the gas mixing ratio, RF power, DC bias and chamber pressure. The variations of relative volume densities for the particles were measured with optical emission spectroscopy (OES). The surface imagination was measured by AFM and SEM. The chemical states of film was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), which confirmed the existence of nonvolatile etch byproducts.

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Effect of High Temperature Steam Oxidation on Yielding of Zircaloy-4 PWR Fuel Cladding -Expanding Copper Mandrel Test- (가압경수형 핵연료 피복관 지르칼로이-4의 항복현상에 대한 고온 수증기 산화의 영향 -구리 맨드렐 팽창시험법-)

  • Kye-Ho Nho;Sun-Pil Choi;Byong-Whi Lee
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • v.21 no.2
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    • pp.111-122
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    • 1989
  • With the Zircaloy-4 tube oxidized in high temperature (1323 K) steam for 5, 10, 30 and 60 minutes, the expanding copper mandrel test was carried out over a temperature range of 673-l173k at $\varepsilon\;=\;3.0\times10^5S\;^1$. The oxidation parameters $(K_i)$ in the present study were linearly proportional to square root of time $(Ki= \delta_{kit})$ and their rate constants ($\delta_{ki}$) are 0.281, 2.82, and 2.313 for weight gain and thickness of Zr02 and $\alpha$(0) layer, respectively. Activation energy for high temperature (873-1073k) plastic deformation of Zircaloy-4 increases from 251 KJ/mol to 323 KJ/mol with increase in oxidation time from 5 minutes to 60 minutes due to the high strengthened Zr02. With the oxide layer thickness [K ; expressed in "Equivalent Cladding Reacted" (ECR,%)] and the yield stress obtained from the mandrel test, an empirical relation was derived as ($\sigma/C)^n=K^mexp$ (Q/RT) with n=6.9, m=5.7, C=0.155, 0.138, 0.051, and 0.046 MPa for Q=251, 258, 316, 323 KJ/mol, respectively.

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Deposition Characteristics of Lead Titanate Films on $RuO_2$ and Pt Substrates Fabricated by Chemical Vapor Deposition ($RuO_2$ 및 Pt 기판에서 $PbTiO_3$박막의 화학기상 증착특성에 관한 연구)

  • Jeong, Su-Ok;Lee, Won-Jong
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.10 no.4
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    • pp.282-289
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    • 2000
  • $PbTiO_3$ films were fabricated by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition(ECR-PECVD). Deposition characteristics of $PbTiO_3$films on $RuO_2$ and Pt substrates were investigated with varying the flow rate of metalorganic source and substrate temperature. The residence time of Pb-oxide molecules in much longer on $RuO_2$ than on Pt substrate, while the perovskite nucleation is more difficult on $RuO_2$ than on Pt substrate. Therefore, the process conditions to obtain the single perovskite $PbTiO_3$ phase are more restricted on $RuO_2$ than on Pt substrates. An introduction of Ti-oxide seed layer increases perovskite nucleation density and thus enlarges the process window to obtain the single perovkite phase. The introduction of Ti-oxide seed layer make the PZT film that Ti-components of $PbTiO_3$ are partially substituted with Zr atoms have single perovskite phase for the wide range of Zr/(Zr+Ti) concentration ratios.

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A Distributed Intelligent System for Multidisciplinary Design Optimization (다분야통합최적설계를 위한 지능형 분산 시스템)

  • 이재호;홍은지
    • Proceedings of the Korea Inteligent Information System Society Conference
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    • 2000.11a
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    • pp.257-266
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    • 2000
  • 산업 및 가정용 기기들이 점차 복잡해짐에 따라 다양한 공학 분야의 해석 기술을 동시에 고려하면서 이들 원리를 적용한 최적의 설계를 결정하는 방법론의 필요성이 대두되고 있다. 다분야통합최적설계 또는 MDO(Multidisciplinary Design Optimization)라 일컫는 새로운 기술은 이러한 필요에 대응하는 기술로서 국내외적으로 활발한 연구가 진행되고 있다. 이러한 MDO 기술을 구현하는 소프트웨어와 하드웨어 복합 체계를 MDO 프레임웍(framework)이라 한다. 일반적으로 프레임웍이란 실제 응용프로그램의 용도에 맞는 주문제작(customization)이 가능한 일종의 전단계 프로그램이라 할 수 있다 MDO 프레임웍은 설계 및 해석 도구들간의 인터페이스를 제공하고, 이들 도구들이 사용하는 설계 데이터를 효율적으로 공유할 수 있도록 지원하여, 설계 작업을 정의, 실행, 관리하는 역할을 한다. 이러한 MDO 프레임웍은 설계 작업을 통합적으로 관리하고 자동화하여 설계 도구간의 데이터 전달과 변환에 소묘되는 설계자의 부담을 경감시키며 다분야 전문가가 참여하는 공통 작업 환경을 제공함으로써 설계 효율성을 증진시킨다. 본 논문에서는 이러한 효용을 달성하기 위한 MDO 프레임웍(framework)을 제시하고 프레임웍 설계의 논리적 근저와 타당성을 밝힌다. 본 논문에서 제안하는 다분야 통합 최적화를 위한 분산형 지능 시스템인 DisMDO는 사용자가 GUI를 동해서 편리하게 다분야통합최적화 문제를 해결할 수 있도록 지원하며, 제공되는 스크립트 언어를 동해서도 이를 정의할 수 있도록 지원하여 일괄처리도 가능하도록 한다. 또한, 집중화된 데이터베이스를 관리하여 다분야 전문가들이 공통의 데이터를 안전하게 공유할 수 있도록 지원하며, 외부에서 제공되는 해석 도구나 최적화 모듈을 손쉽게 프레임웍에 통합시킬 수 있도록 하는 인터페이스 제작기(factory) 기능을 제공한다.ackscattering spectroscopy, X-ray diffraction, secondary electron microscopy, atomic force microscoy, $\alpha$-step, Raman scattering spectroscopu, Fourier transform infrared spectroscopy 및 micro hardness tester를 이용하여 기판 bias 전압이 DLC 박막의 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 분석결과 본 연구에서 제작된 DLC 박막은 탄소와 수소만으로 구성되어 있으며, 비정질 상태임을 알 수 있었다. 기판 bias 전압의 증가에 따라 박막의 두께가 감소됨을 알 수 있었고, -150V에서는 박막이 거의 만들어지지 않았으며, -200V에서는 기판 표면이 식각되었다. 이것은 기판 bias 전압과 ECR 플라즈마에 의한 이온충돌 효과 때문으로 판단되며, 150V 이하에서는 증착되는 양보다 re-sputtering 되는 양이 더 많을 것으로 생각된다. 기판 bias 전압을 증가시킬수록 플라즈마에 의한 이온충돌 현상이 두드러져 탄소와 결합하고 있던 수소원자들이 떨어져 나가는 탈수소화 (dehydrogenation) 현상을 확인할 수 있었으며, 이것은 C-H 결합에너지가 C-C 결합이나 C=C 결합보다 약하여 수소 원자가 비교적 해리가 잘되므로 이러한 현상이 일어난다고 판단된다. 결합이 끊어진 탄소 원자들은 다른 탄소원자들과 결합하여 3차원적 cross-link를 형성시켜 나가면서 내부 압축응력을 증가시키는 것으로 알려져 있으며, hardness 시험 결과로 이것을 확인할 수 있었다. 그리고 표면거칠기는 기판 bias 전압을 증가시킬수록 더 smooth 해짐을 확인하였다.인하였다.을 알 수 있었다. 즉 계면에서의 반응에 의해 편석되는 Ga에 의해 박막의 strain이 이완되면, pinhole 등의 박막결함

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A Study DH the Identification Of Critical Intelligent Information Technologies and Application Areas in the Defence Side (국방부문 핵심지능정보기술 식별 및 활용방안 연구)

  • 김화수;이승구
    • Proceedings of the Korea Inteligent Information System Society Conference
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    • 2000.11a
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    • pp.407-416
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    • 2000
  • 국방 부문에 종사하는 관리자들은 국방정보시스템 사업관리에 있어서 최신정보기술에 대한 기본적인 사항은 알고있어야 효율적이고 효과적이며 성공적인 사업관리를 진행할 수 있을 것이다. 국방 부문에 종사하는 관리자들이 저비용 고효율의 국방정보시스템을 건설하고 운영 유지관리 하기 위하여 알아야 할 핵심 및 최신정보기술은 크게 인공지능기술, 멀티미디어 정보화 기술, 가상현실 기술, 시뮬레이션 기술, 텔레프레즌스 기술, 나노테크놀로지 기술, 데이터베이스 기술, 병렬처리 기술, 로봇공학 기술, 소프트웨어 공학에 관련된 기술 등이 있다. 그러나 국방부문에 종사하는 정보통신 전문 인력을 제외한 관리자들이 국방관련 사업관리를 수행하면서 정보기술에 대한 이해 수준이 비교적 낮기 때문에 효율적으로 국방사업을 준비, 계획, 추진하기 어려운 실정이다. 따라서 국방부문에 종사하는 관리자들이 정보기술을 알기 쉽게 이해할 수 있도록 국방부문 핵심지능형정보기술 발전 및 군 활용방안을 이해하기 쉽도록 작성하며 효율적인 사업관리가 이루어질 수 있는 방안을 연구하였다. 본 논문은 국방부문핵심 지능정보기술 식별 및 활용방안을 연구하여 핵심적으로 식별된 사항들을 우리 국방부문의 $C^4$I(지휘, 통제, 통신, 컴퓨터시스템)시스템, 내장형 무기시스템, 각종 교육훈련 정보시스템, 자원관리 정보시스템 등에 어떻게 적용할 것이며 적용시 기대효과는 무엇인가를 제시토록 하여 국방부문에 종사하는 관리자들이 각종 국방사업을 조정, 통제, 확인, 감독, 준비/계획하면서 참고하여 저비용 고효율의 국방관련 각층 사업을 관리할 수 있는 능력을 배양시키도록 연구를 수행하였다. 국방관련 각종 사업을 관리할 수 있는 능력을 배양시키도록 연구를 수행하였다. 국방부문 핵심지능정보기술 발전 및 활용 방안에 포함될 주요 내용을 요약하여 제시하였다.의 경향성을 나타내는 오차 주기(error cyc1e)를 이용함으로써 고객들의 수요의 경향성을 좀 더 세밀한 부분까지 파악할 수 있게 해 준다.ction, secondary electron microscopy, atomic force microscoy, $\alpha$-step, Raman scattering spectroscopu, Fourier transform infrared spectroscopy 및 micro hardness tester를 이용하여 기판 bias 전압이 DLC 박막의 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 분석결과 본 연구에서 제작된 DLC 박막은 탄소와 수소만으로 구성되어 있으며, 비정질 상태임을 알 수 있었다. 기판 bias 전압의 증가에 따라 박막의 두께가 감소됨을 알 수 있었고, -150V에서는 박막이 거의 만들어지지 않았으며, -200V에서는 기판 표면이 식각되었다. 이것은 기판 bias 전압과 ECR 플라즈마에 의한 이온충돌 효과 때문으로 판단되며, 150V 이하에서는 증착되는 양보다 re-sputtering 되는 양이 더 많을 것으로 생각된다. 기판 bias 전압을 증가시킬수록 플라즈마에 의한 이온충돌 현상이 두드러져 탄소와 결합하고 있던 수소원자들이 떨어져 나가는 탈수소화 (dehydrogenation) 현상을 확인할 수 있었으며, 이것은 C-H 결합에너지가 C-C 결합이나 C=C 결합보다 약하여 수소 원자가 비교적 해리가 잘되므로 이러한 현상이 일어난다고 판단된다. 결합이 끊어진 탄소 원자들은 다른 탄소원자들과 결합하여 3차원적 cross-link를 형성시켜 나가면서 내부 압축응력을 증가시키는 것으로 알려져 있으며, hardness 시험 결과로 이것을 확인할 수 있었다. 그리고 표면거칠기는 기판 bias 전압을 증가시킬수록 더 smooth 해짐을 확인

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