• 가정과삶의질연구
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• 제32권3호
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• pp.115-135
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• 2014

The purpose of this study was to develop a "Family Play Therapy Program" using puppets to decrease attachment problems for families with children having attachment problems and to examine its effectiveness. The participants were an experimental group of 16 individuals(8 children with attachment problems whose ages ranged from 4 to 5 and 8 mothers) and a control group of 16 individuals (8 children with attachment problems whose ages ranged from 4 to 5 and 8 mothers). The experimental group was treated through the Family Play Therapy Program, which involved the use of puppets and was held for twelve sessions twice a week. The changes in the participants were measured in order to examine the effects of the program. The researcher measured children's emotional and behavioral expression(TBP), the mothers' sense of self(Self-Differentiation Scale), personal relationships(ECR-R), and the perception of family functions(ICPS-FFS) both before and after the FPT program and compared their differences. The MIM Rating Scale and Marschak Behavior Rating Scale were administered to examine the interactions between mothers and children, and 1:1 interviews were also conducted. The data thus gathered were used for non-parametric analysis(Mann-Whitney U test and Wilcoxon rank sum test)using SPSS WIN 17.0. The results of this study were as follows: First, the program had a positive effect on children's emotional expression. After the problem were over, negative emotional and behavioral expression in the experimental group decreased. Second, the program had a positive effect on mothers' self-differentiation and personal relationships. Third, the program had a positive effect on changes in the interaction behaviors between the mother and child. Fourth, the program had a partially positive effect on the responses from their group developmental stages, especially on the subscale of both a program for the reinforcement of mothers' emotions and family play program utilizing puppets.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
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• 한국수자원학회 2012년도 학술발표회
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• pp.469-469
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• 2012

제주 지역은 대부분 지하수를 이용하고 있으며, 제주 서부지역의 경우, 지하수의 과다한 취수로 인해 지하수 하강은 물론 해수침투현상도 나타나고 있다.(제주미디어 2009.10) 제주지역의 지하수 적정 개발량은 약 97%에 이르고 있어 국지적으로는 지하수 개발이 한계에 이른 것으로 평가된다. 따라서, 농촌용수 공급을 위한 사업이 필요하며, 농업 환경 피해를 최소화할 수 있는 방안이 필요하다. 또한 농촌지역의 도시화에 따라 하수처리장의 농촌지역에도 늘어가고 있으며 이제는 농촌지역과 도시지역이 구분되지 않고 혼합되어 있는 형태로 발전하고 있기 때문에 과거의 농업활동도 변화되고 있으며, 하천에서 취수하는 용수중에서 농업용수로의 사용이 부적합한 용수가 취수되고 있다. 따라서 하수처리수의 농업용수 재이용시스템과 같이 수처리를 이용한 농업용수의 공급방안이 확대될 것으로 판단된다. 한국농어촌공사 농어촌연구원에서는 (주)필로스, (주)블루인바이로먼트엔텍과 함께 글로벌탑 환경기술개발사업의 과제를 수행하고 있으며, 본 연구를 통하여, 고내구성 고기능성의 복합막 기능이 부여된 UF/NF 분리막 소재 및 모듈을 개발하고 전기분해/오존조합에 의한 에너지 절약형 재이용수 공정기술을 개발하여, 판포하수처리장을 Test-bed로 선정하여 개발 기술을 적용하고자 한다. 제주도 한경면 판포리에 위치한 판포하수처리장은 하수재이용 사업을 통해 수처리 및 용수 공급 관로가 설치되어 있으며, 개발한 재이용수를 현지에서 공급 활용할 수 있어, 연구개발에 국한되지 않고 실증 플랜트에서 용수 사용자까지 연결이 가능하여 최적의 입지 연건을 가지고 있다. 개발될 시스템은, 유입조, ECR 반응조, AOPs, 나노버블을 이용한 막세정 시스템, UF/NF 시스템으로 공정이 설계되며, 제염처리는 물론 제주지역의 농업용수로써 안정적인 용수를 확보할 수 있는 시스템을 구축하고 있다. 본 연구개발을 통한 최종 목표는 하수처리장의 방류수 고도처리를 통해 도시, 농촌지역에 필요한 고품질 맞춤형 재이용수로 공급하고, 국내 외 하수 재이용시장으로 진출하는데 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.180-180
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• 2010

Thin film transistors (TFTs) based on oxide semiconductors have emerged as a promising technology, particularly for active-matrix TFT-based backplanes. Currently, an amorphous oxide semiconductor, such as InGaZnO, has been adopted as the channel layer due to its higher electron mobility. However, accurate and repeatable control of this complex material in mass production is not easy. Therefore, simpler polycrystalline materials, such as ZnO and $SnO_2$, remain possible candidates as the channel layer. Inparticular, ZnO-based TFTs have attracted considerable attention, because of their superior properties that include wide bandgap (3.37eV), transparency, and high field effect mobility when compared with conventional amorphous silicon and polycrystalline silicon TFTs. There are some technical challenges to overcome to achieve manufacturability of ZnO-based TFTs. One of the problems, the stability of ZnO-based TFTs, is as yet unsolved since ZnO-based TFTs usually contain defects in the ZnO channel layer and deep level defects in the channel/dielectric interface that cause problems in device operation. The quality of the interface between the channel and dielectric plays a crucial role in transistor performance, and several insulators have been reported that reduce the number of defects in the channel and the interfacial charge trap defects. Additionally, ZnO TFTs using a high quality interface fabricated by a two step atomic layer deposition (ALD) process showed improvement in device performance In this study, we report the fabrication of high performance ZnO TFTs with a $Si_3N_4$ gate insulator treated using plasma. The interface treatment using electron cyclotron resonance (ECR) $O_2$ plasma improves the interface quality by lowering the interface trap density. This process can be easily adapted for industrial applications because the device structure and fabrication process in this paper are compatible with those of a-Si TFTs.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.435-435
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• 2010

A inclined slot-excited plasma source is newly designed and constructed for higher flux HNB(Hyperthermal Neutral Beam) generation. The present source is different from the vertical SLAN(SLot ANtenna) sources [1] in two aspects. One is that the slots are inclined, and the other is that the magnetic field is configured to a cusp type. These modifications are intended to make the source plasma operated in sub-milli-torr pressure regime and as thin as possible, both of which is to get higher HNB flux by decreasing the re-ionization rate of the reflected atoms from the neutralizer [2]. The plasma is generated in a quartz tube of internal diameter 170 mm enclosed in a aluminum application chamber of larger diameter 250 mm. The microwave power is fed to the plasma chamber by 8 inclined slots cut into the application chamber wall. The slots are coupled the chamber to a WR280 waveguide wound around it to form a ring resonator. In order to make two slots $\lambda_g/2$ apart in phase, the adjacent slots are rotated in opposite directions. The rotation angle of the slots are set to $60^{\circ}$ from the chamber axis. Between the quartz chamber and the aluminum cylindrical chamber 8 NdFeB magnets are equally spaced and fixed to form the cusp magnetic field confinement and ECR (Electron Cyclotron Resonance) field. In this presentation, the magnetic and electromagnetic simulations, and the measured plasma parameters are given for both the inclined and the vertical slot-excited plasma sources. We also discuss how the sources can be tailored to suit better-performing HNB sources.

• 대한지역사회작업치료학회지
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• 제7권2호
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• pp.9-18
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• 2017

목적 : 본 연구는 대학생의 감각처리 유형과 대인관계문제 및 성인애착의 정도를 알아보고 이들의 관계를 파악하고자 한다. 연구방법 : 국내 K지역의 대학생 169명을 대상으로 감각처리 유형은 청소년/성인 감각프로파일(Adolescents/Adults Sensory Profile; AASP)을, 대인관계문제는 한국판 대인관계문제검사 원형척도의 단축형(Short Form of the Korean Inventory of Interpersonal Problems Circumplex Scale; KIIP-SC)을, 성인애착은 친밀관계경험척도(Experiences in Close Relationships Scale-Revised; ECR-R)를 사용하여 측정을 실시하였다. 감각처리 유형과 대인관계문제 및 성인애착의 관계는 피어슨 상관분석을 사용하여 분석하였다. 결과 : 대학생의 감각처리 유형은 감각찾기만 "일반인보다 덜함"으로 나타났고, 나머지 등록저하, 감각예민, 감각회피는 "일반인과 유사함"의 결과를 보였다. 대인관계문제는 자기희생과 과순응성에서 어려움이 많았고, 자기중심성과 통제지배가 어려움이 적었으며, 성인애착은 애착회피가 애착불안보다 더 안정적이었다. 감각처리 유형 중 등록저하와 감각예민은 모든 대인관계문제 및 성인애착과 양의 상관관계를 보였고, 대인관계문제 중 자기희생과 과관여는 감각찾기와, 냉담, 사회적 억제, 비주장성, 과순응성은 감각회피와 양의 상관관계를 보여 감각찾기와 감각회피는 서로 다른 결과를 나타내었다(p<.05). 결론 : 작업치료 임상에서 장애인뿐만 아니라 대인관계와 애착의 문제를 경험하는 비장애인에게 감각처리의 유형에 따른 중재를 실시한다면 그들이 질 높은 사회활동을 영위하는데 도움이 될 것이다.

• Asian Journal of Atmospheric Environment
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• 제7권2호
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• pp.72-84
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• 2013

In the study, pollution levels of indoor polycyclic aromatic hydrocarbons (PAHs) in public facilities (vapor phase or particulate phase) were evaluated, and a health risk assessment (HRA) was carried out based on exposure scenarios. Public facilities in Korea covered by the law, including underground subway stations, funeral halls, child care facilities, internet cafes (PC-rooms), and exhibition facilities (6 locations for each type of facility, for a total of 48 locations), were investigated for indoor assessment. For the HRA, individual excess cancer risk (ECR) was estimated by applying main toxic equivalency factor (TEF) values suggested in previous studies. Among the eight public facilities, internet cafes showed the highest average $PM_{2.5}$ concentration at $110.0{\mu}g/m^3$ (range: $83.5-138.5{\mu}g/m^3$). When assuming a risk of facility exposure time based upon the results of the surveys for each public facility, the excess cancer risk using the benzo(a)pyrene indicator assessment method was estimated to be $10^{-7}-10^{-6}$ levels for each facility. Based on the risk associated with various TEF values, the excess cancer risk based upon the seven types cancer EPA (1993) and Malcolm & Dobson's (1994) assessment method was estimated to be $10^{-7}-10^{-5}$ for each facility. The excess cancer risk estimated from the TEF EPA (2010) assessment was the highest: $10^{-7}-10^{-4}$ for each facility. This is due to the 10-fold difference between the TEF of dibenzo(a,e)fluoranthene in 2010 and in 1994. The internet cafes where smoking was the clear pollutant showed the highest risk level of $10^{-4}$, which exceeded the World Health Organization's recommended risk of $1{\times}10^{-6}$. All facilities, with the exception of internet cafes, showed a $10^{-6}$ risk level. However, when the TEFs values of the US EPA (2010) were applied, the risk of most facilities in this study exceeded $1{\times}10^{-6}$.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.81-81
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• 2010

유리기판위에 큰 결정입자를 갖는 실리콘 (폴리 실리콘) 박막을 제조하는 것은 가격저가화 및 대면적화 측면 같은 산업화의 높은 잠재성을 가지고 있기 때문에 그동안 많은 관심을 가지고 연구되어 오고 있다. 다양한 방법을 이용하여 다결정 실리콘 박막을 만들기 위해 노력해 오고 있으며, 태양전지에 응용하기 위하여 연속적이면서 10um이상의 큰 입자를 갖는 다결정 실리콘 씨앗층이 필요하며, 고속증착을 위해서는 (100)의 결정성장방향 등 다양한 조건이 제시될 수 있다. 다결정 실리콘 흡수층의 품질은 고품질의 다결정 실리콘 씨앗층에서 얻어질 수 있다. 이러한 다결정 실리콘의 에피막 성장을 위해서는 유리기판의 연화점이 저압 화학기상증착법 및 아크 플라즈마 등과 같은 고온기반의 공정 적용의 어려움이 있기 때문에 제약 사항으로 항상 문제가 제기되고 있다. 이러한 관점에서 볼때 유리기판위에 에피막을 성장시키는 방법으로 많지 않은 방법들이 사용될 수 있는데 전자 공명 화학기상증착법(ECR-CVD), 이온빔 증착법(IBAD), 레이저 결정화법(LC) 및 펄스 자석 스퍼터링법 등이 에피 실리콘 성장을 위해 제안되는 대표적인 방법으로 볼 수 있다. 이중에서 효율적인 관점에서 볼때 IBAD는 산업화측면에서 좀더 많은 이점을 가지고 있으나, 박막을 형성하는 과정에서 큰 에너지 및 이온크기의 빔 사이즈 등으로 인한 표면으로의 damages가 일어날 수 있어 쉽지 않는 방법이 될 수 있다. 여기에서는 이러한 damage를 획기적으로 줄이면서 저온에서 결정화 시킬 수 있는 cold annealing법을 소개하고자 한다. 이온빔에 비해서 전자빔의 에너지와 크기는 그리드 형태의 렌즈를 통해 전체면적에 조사하는 것을 쉽게 제어할 수 있으며 이러한 전자빔의 생성은 금속 필라멘트의 열전자가 아닌 Ar플라즈마에서 전자의 분리를 통해 발생된다. 유리기판위에 흡수층 제조연구를 위해 DC 및 RF 스퍼터링법을 이용한 비정질실리콘의 박막에 대하여 두께별에 따른 밴드갭, 캐리어농도 등의 변화에 대하여 조사한다. 최적의 조건에서 비정질 실리콘을 2um이하로 증착을 한 후, 전자빔 조사를 위해 1.4~3.2keV의 다양한 에너지세기 및 조사시간을 변수로 하여 실험진행을 한 후 단면의 이미지 및 결정화 정도에 대한 관찰을 위해 SEM과 TEM을 이용하고, 라만, XRD를 이용하여 결정화 정도를 조사한다. 또한 Hall효과 측정시스템을 이용하여 캐리어농도, 이동도 등을 각 변수별로 전기적 특성변화에 대하여 분석한다. 또한, 태양전지용 흡수층으로 응용을 위하여 dark전도도 및 photo전도도를 측정하여 광감도에 대한 결과가 포함된다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.80-80
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• 2010

유리기판위에 큰 결정입자를 갖는 실리콘 (폴리 실리콘) 박막을 제조하는 것은 가격저가화 및 대면적화 측면 같은 산업화의 높은 잠재성을 가지고 있기 때문에 그동안 많은 관심을 가지고 연구되어 오고 있다. 다양한 방법을 이용하여 다결정 실리콘 박막을 만들기 위해 노력해 오고 있으며, 태양전지에 응용하기 위하여 연속적이면서 10um이상의 큰 입자를 갖는 다결정 실리콘 씨앗층이 필요하며, 고속증착을 위해서는 (100)의 결정성장방향 등 다양한 조건이 제시될 수 있다. 다결정 실리콘 흡수층의 품질은 고품질의 다결정 실리콘 씨앗층에서 얻어질 수 있다. 이러한 다결정 실리콘의 에피막 성장을 위해서는 유리기판의 연화점이 저압 화학기상증착법 및 아크 플라즈마 등과 같은 고온기반의 공정 적용의 어려움이 있기 때문에 제약 사항으로 항상 문제가 제기되고 있다. 이러한 관점에서 볼때 유리기판위에 에피막을 성장시키는 방법으로 많지 않은 방법들이 사용될 수 있는데 전자 공명 화학기상증착법(ECR-CVD), 이온빔 증착법(IBAD), 레이저 결정화법(LC) 및 펄스 자석 스퍼터링법 등이 에피 실리콘 성장을 위해 제안되는 대표적인 방법으로 볼 수 있다. 이중에서 효율적인 관점에서 볼때 IBAD는 산업화측면에서 좀더 많은 이점을 가지고 있으나, 박막을 형성하는 과정에서 큰 에너지 및 이온크기의 빔 사이즈 등으로 인한 표면으로의 damages가 일어날 수 있어 쉽지 않는 방법이 될 수 있다. 여기에서는 이러한 damage를 획기적으로 줄이면서 저온에서 결정화 시킬 수 있는 cold annealing법을 소개하고자 한다. 이온빔에 비해서 전자빔의 에너지와 크기는 그리드 형태의 렌즈를 통해 전체면적에 조사하는 것을 쉽게 제어할 수 있으며 이러한 전자빔의 생성은 금속 필라멘트의 열전자가 아닌 Ar플라즈마에서 전자의 분리를 통해 발생된다. 유리기판위에 다결정 실리콘 씨앗층을 제조하기 위하여 전자빔을 조사하는 방법과 Al을 이용한 씨앗층 제조법이 비교되어 공정 수행이 이루어진다. 우선, 전자빔 조사를 위해 DC 및 RF 스퍼터링법을 이용하여 ${\sim}10^{20}cm^{-3}$이상의 농도를 갖는 $p^+^+$ 비정질 실리콘 박막을 제조한다. Al의 증착은 DC 스퍼터링법을 이용하여 제조하고 그 두께는 실리콘 박막의 두께와 동일한 조건(350nm)으로 제조한다. 제조된 샘플은 E-beam gun이 달린 챔버로 이동하여 1.4keV의 세기를 가지고 각각 10, 20, 50, 100초를 조사한 후 단면의 이미지를 SEM으로, 결정화 정도를 Raman으로, 결정화 방향 등에 대한 조사를 XRD로 분석 측정한다. 그리고 Hall effect를 통해 전자빔의 조사 전후의 캐리어 농도, 이동도 및 비저항 등에 대한 조사가 이루어진다. 동시에 Al을 촉매로 한 layer교환에 대하여 마찬가지로 분석을 통하여 최종적으로 비교분석이 이루어 진다. 전자빔을 조사한 샘플에 대하여 빠른 시간 및 캐리어농도 제어 등의 우수성이 보이며, 특히 ~98%이상의 결정화율을 보일 것으로 예상된다.

• 재활치료과학
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• 제6권2호
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• pp.47-58
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• 2017

목적: 뇌졸중 환자에게 의미 있는 작업을 기반으로 한 양측성 상지 훈련의 효과를 알아보기 위한 예비연구로 실시되었다. 연구방법: 뇌졸중으로 인한 편마비를 가진 환자 4명을 대상으로 실험군(2명)과 대조군(2명)으로 나누어 진행되었다. 2016년 5월부터 8월까지 진행하였으며, 대상자 당 총 5주간, 주 3회, 회기 당 60분의 작업기반 양측성상지훈련 중재와 전통적 양측성 상지 훈련을 각 각 실시하였다. 중재 전 후로 EMG, 가속도계, ARAT, Y-BAT, SIS, COPM를 실시하여 각 군간 비교 하였다. 결과: 실험군은 대조군 보다 노쪽 손목폄근과 앞 어깨 세모근의 근 활성도, SIS에서 손 기능(Hand function), 기억력(Memory)항목을 제외한 모든 항목에서 중재 전 후 큰 변화량을 나타냈으며, 양손의 사용량을 측정한 가속도계와 COPM, Y-BIT, ARAT평가의 잡기(grasp), 집기(pinch), 대동작 (gross movement)항목에서 실험군은 대조군 보다 중재 전 후 큰 변화량을 나타냈다. 결론: 본 연구를 통해 작업기반 양측성 상지 훈련이 신경학적 변화를 통한 상지기능 회복 및 사회참여 등에 효과적임을 알 수 있었다. 추후 연구에서는 작업기반 양측성 상지 훈련 프로토콜의 내용에 대해 높은 내용 타당도를 확보하기 위한 개발 연구가 필요할 것이며, 이를 토대로 많은 뇌졸중 환자를 대상으로 한 무작위대조군 실험 연구를 통한 효과 검증과 효과지속성에 대한 검증이 필요할 것이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.29-29
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• 2009

현재 고집적 비휘발성 메모리 소자로는 MRAM (Magnetic Random Access Memory)과 PRAM (Phase Magnetic Random Access Memory)이 활발하게 미국과 일본, 한국 등에서 다양한 연구가 진행되어 오고 있다. 이 중에서 MRAM은 DRAM과 비슷한 10 ns의 빠른 읽기/쓰기 속도와 비휘발성 특성을 가지고 있으며, 전하를 저장할 커패시터가 필요 없고, 두 개의 자성충에 약 10 mA 정도의 전류를 가하면 그때 발생하는 약 10 Oe의 자장을 개개의 비트를 write하고, read 시에는 각 비트의 자기저항을 측정함으로써 데이터를 저장하고 읽을 있으므로, 고집적화가 가능성하다 [1]. 현재 우수한 박막 재료가 개발 되었으나, 고집적 MRAM 소자의 양산에는 해결 하여야 하는 문제점이 있다. 특히 다층 박막으로 구성되어 있으므로 식각 공정의 개발이 필수적이다. 지금까지 MRAM 재료의 식각은 주로 Ion milling, ICP, ECR등의 플라즈마 장치를 되었고, 식각 가스로는 할로겐 기체와 금속카보닐 형성을 위한 Co/$NH_3$와 $Ch_3OH$ 기체가 이용되고 있다. 그러나 할로겐 계열의 기체를 사용할 경우, 식각 부산물들의 높은 끓는점 때문에 식각 부산물이 박막의 표면에서 열적 탈착에 의하여 제거되지 않기 때문에 높은 에너지를 가지는 이온의 도움에 의한 식각이 필요하다. 또한 Cl 계열의 기체를 사용할 경우, 식각 공정 후, 시료가 대기에 노출되면 대기 중의 수분과 식각 부산물이 결합하여 부식 현상이 발생하게 된다. 그러므로 이를 방지하기 위한 추가 공정이 요구된다. 최근에는 부식 현상이 없고, MTJ 상부에 사용되는 Ta 또는 Ti Hard mask와의 높은 선택비를 가지는 $CH_3OH$ 또는 CO/$NH_3$가 사용되고 있다. 하부 박막에 따른 식각 특성에 연구와 다층의 박막의 식각 공정에 발생에 관한 발표는 거의 없다. MRAM을 양산에 적용하기 위하여서는 Main etch 공정에서 빠른 식각 공정이 필요하고, Over etch 공정에서 하부박막에 대한 높은 선택비가 요구된다. 그러므로 본 논문에서는 식각 변수에 따른 플라즈마 측정과 표면 반응을 비교하여 각 공정의 식각 메커니즘을 규명하고, Main Etch 공정에서는 $Cl_2$/Ar 또는 $BCl_3$/Ar 가스를 이용하여 식각 실험을 수행하고, Over etch 공정에는 낮은 Ta 박막 식각 속도를 가지는 $Ch_4/O_2$/Ar 또는 $Ch_3OH$/Ar 가스를 이용하고자 한다. 플라즈마 내의 식각종과 Ta 박막과의 반응을 XPS와 AES를 이용하여 분석하고, 식각 공정 변수에 따른 식각 속도, 식각 선택비와 식각 프로파일 변화를 SEM을 이용하여 관찰한다.