We have studied the effect of host materials on the electrophosphorescence properties by comparing three different host materials such as tris(8-hydroxyquinoline)-aluminum (III) $(Alq_3)$, bis(8-hydroxyquinoline)-zinc (II) $(Znq_2)$, and 4,4'-N,N' dicarbazole-biphenyl (CBP) doped with a red-emissive phosphorescent dye, 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H,23H-porphyrin platinum (II) (PtOEP). The EL spectra show a strong red emission (peak at 650 nm) from the triplet excited state of PtOEP and a very weak emission from an electron transport layer of $Alq_3$ and a hole transport layer of N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1-biphenyl-4,4'-diamine (TPD). We find that the triplet exciton lifetime and the quantum efficiency decrease in the order of CBP, $Alq_3$, and $Znq_2$ host materials. The results are interpreted as a poor exciton confinement in $Alq_3$, and $Znq_2$ host compared with in CBP. Therefore, it is very important for the triplet-exciton confinement in the emissive layer for obtaining a high efficiency.
Park, Dong-Kyu;Bae, Sung-Yeal;Ahn, In-Shup;Jung, Kwang-Chul
Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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2006.09b
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pp.918-920
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2006
Metal sulfide powders such as MnS, $MoS_2$ and FeS are simply used to the machinery processing improvement agent and solid lubricant in powder metallurgy industrial. And then, metal sulfide powders have received relatively little attention from powder metallurgy. Recently, the portable machine is one of the important interfaces between human or human and electronic machine. With the increase of the intelligent activity, the social and industrial demands for information display device and power source are increasing. The transition metal sulfide materials (FeS, ZnS) have received considerable attention due to the large variety of its electric, optical and magnetic properties. Among the metal sulfide, $FeS_2$ is appealing superior material for applications in $Li-2^{nd}$ battery because of high capacity. ZnS is also a famous phosphor material with various luminescence properties, such as photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL). So generally used in the fields of display, sensors and laser. Metal sulfide materials, therefore, are provided for most widely application in all industries. In recent years, material researchers have become increasingly interested in studying with synthesis of metal sulfide.
The Al:Au double-layer metal electrode for use in transparent, dual emission of organic light-emitting diode (OLED) was fabricated. The electrode of Al:Au metals with various thicknesses was deposited by the vacuum thermal evaporation technique. For Al thickness of 1 nm, a bottom luminance of $4880\;cd/m^2$ was observed at 8 V. Otherwise, top luminance of $2020\;cd/m^2$ were observed at 8 V. In addition, the threshold voltages of the electrodes were 2.2 V. It was forward that the inserting 1 nm Al between LiF and Au enhanced electron injection with tunneling effect.
Kim, Duck-Young;Kwon, Oh-Kwan;Kwon, Hyuck-Joo;Kim, Young-Kwan;Sohn, Byoung-Chung;Ha, Yun-Kyoung
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.18
no.1
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pp.7-11
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2001
White emission is important for applying organic EL devices to full-color flat panel display and backlight for liquid crystal display. In order to obtain white emission, the use of a light-emitting material which shows the white emission by itself is advantageous for these applications because of its high reliability and productivity. A chelate-metal complex such as zinc bis(2-(2-hydroxyphenyl) benzothiazolate) ($Zn(BTZ)_{2}$ was known to emit white light with a broad electroluminescence. In this study, the electroluminescent characteristics of $Be(BTZ)_{2}$ and $Mg(BTZ)_{2}$, as well as $Zn(BTS)_2$ were investigated using organic electroluminescent devices with the structure of ITO/TPD/ $Be(BTZ)_{2}$, $Mg(BTZ)_{2}$, or $Zn(BTZ)_{2}/Al$. It was found that the device containing $Be(BTZ)_{2}$ showed the highest power efficiency.
양자점 발광소자를 이용한 다양한 미래 지향적 디스플레이 기술에 관하여 간략히 짚어보았다. 플렉시블 디스플레이부터 최근 이루어진 초박형 디스플레이, 스트레쳐블 디스플레이 등을 소개하였고 초박형 디스플레이의 경우 얇아진 두께로 인하여 얻어지는 많은 장점들을 살펴보았고, 스트레쳐블 디스플레이의 경우, 주름 형태의 소자부터 AC-EL 방식으로 양자점의 색 변환을 이용한 소자들을 살펴보았다. 아직까지 해결하고 탐구해야 할 주제들이 많이 있으며 실용화까지도 다소 많은 해야 할 일들이 남아있다. 또한, 향후 기대가 되는 다기능 발광소자에 관해서 살펴보았다. 기존의 구형의 코어/쉘 형태의 양자이라는 정형화된 생각을 넘어 새롭게 양자점을 디자인함으로써 새로운 응용에 대하여 제시할 수 있었다. 이러한 새로운 응용을 통해 4차산업에서도 필수적인 통신, 센서 등의 역할을 동시에 수행할 수 있는 신개념 디스플레이를 알아볼 수 있었다. 앞으로 미래 디스플레이, 차세대 디스플레이 분야 등에서 광학적, 화학적, 전기적 우수한 특성을 갖는 양자점을 적용시키는 연구는 점점 많아지고 중요한 역할을 할 것으로 기대되며 특히 전계발광 소자로써 응용을 위하여 많은 연구진이 힘을 쏟고 있다. 친환경 조성의 높은 광효율을 갖는 양자점을 제조하고, 소자 측면에서 본질적인 성능 향상이 무엇보다 중요하기도 하겠지만 이와 함께 미래 지향적인 디스플레이 기술로서 양자점을 새롭게 응용하고 다양하게 적용시켜 보는 일은 향후 우리 미래의 삶에 큰 변화를 가져다 줄 수 있는 중요한 일이 될 것이라고 조심스럽게 예측해 본다.
In silicon crystalline PV (Photo Voltaic) industry, PV module or panel electric power is directly related to the companies' profit. Thus, many PV companies have invested and focused on R&D activities to get the higher module power. The main BOM (Bills of Material) on the module consists of PV solar cell, ribbon, EVA (Ethylene-Vinyl Acetate copolymer), glass and back sheet. Based on consistent research efforts on enhancing module power using BOM, there have been increase of around 5 watt per module every year as results. However, there are lack of studies related to enhancing accuracy of measurement. In this study, the enhancing on the metrology is investigated and the improvement shows actually contribution to company's profit. Especially, the measurement issues related to heat and to quasi state of bandgap diagram by EL(Electro Luminescence) are described in this study.
A high voltage NMOSFET is proposed to drive top emission organic light emitting device (OLED) used in the organic electroluminescent (EL) display on the single crystal silicon substrate. The high voltage NMOSFET can be fabricated by utilizing a simple layout technique with a standard CMOS logic process. It is clearly shown that the maximum supply voltage ($V_{DD}$) required for the pixel-driving transistor could reach 45 V through analytic and experimental methods. The high voltage NMOSFET was fabricated by using a standard 1.5 ${\mu}m$, 5 V CMOS logic process. From the measurements, we confirmed that the high voltage NMOSFET could sustain the excellent saturation characteristic up to 50 V without breakdown phenomena.
In order to realize a 3-D stereoscopic display module with alternating illumination angles, several conditions required for a lenticular lens sheet were established, and then both the lens specification and the module structure were designed. Also the performance of the stereoscopic module and its tolerance characteristics were evaluated by simulating the intensity distribution on the observation plane with a finite-ray tracing technique. From the evaluation, it was known that an intersection area between two adjacent lenses should not be filled and that the lateral mismatch between a planar liquid crystal shutter and a lens sheet should be minimized.
Metal-chelate derivatives have been investigated intensively as an emitting layer and recognize to have excellent electroluminescence(EL) properties. We synthesized new luminescent material, 1,4-dihydoxy-5,8-naphtaquinone $Aiq_3$ complex($Al_2Nq_4$) and investigated the electrical optical properties. OLED has potential candidates for information display with merits of thickness, low power and high efficiency. Although the OLED show a lot of advantages for information display, it has the limit of inorganic(metal)/ organic interface. In this study, the two methods are used to study the interface of metal/organic in OLED. First, we treated $O_2$ plasma on an ITO thin film by using RIE system, and analyzed the ingredient of ITO thin film according to change of the processing conditions. We used the RDS and the XPS for the ingredient analysis of the surface and bulk. We measured electrical resistivity using Four-Point-Probe and calculated sheet resistance, and ITO surface roughness was measured by using AFM. We fabricated OLED using substrate that was treated optimum ITO surface. Second, we used the buffer layer of CuPc to improve the characteristics of the interface and the hole injection in OLED. The result of the study for electrical and optical properties by using I V L T System(Flat Panel Display Analysis System), we confirmed that the electrical properties and the luminance properties were improved.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2008.05a
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pp.705-708
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2008
ZnS는 전기적 에너지를 받으면 전자와 정공이 무수히 발생하며 이들이 평형상태로 갈 때 보다 높은 준위로 여기 되면 빛이 생성 될 수 있다. 전계발광(EL) 표시장치를 제작하기 위하여 일본의 High purity 사의 제품이 비교적 Electron Beam으로 증착하기에 우수하였고, 휘도도 상용화된 800fL에 80% 수준으로 제작과정을 개선하여 더욱 우수한 결과를 얻을 수 있고 본 연구는 Yellow의 경우 650fL의 휘도를 얻었고, Green의 경우 350 fL의 휘도를 얻었다. Electron Beam 제작용으로 자체 제작된 기판 홀더로 막을 제작한 결과 두께 균일도는 6% 내외의 결과로 상당히 우수한 특성을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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