• 한국전산구조공학회논문집
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• 제15권1호
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• pp.85-94
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• 2002

본 연구에서는 Bubble Mesh 기법을 이용한 적응적 최적 절점생성기법을 제안하고 이를 Element-free Galerkin 방법에 적용하였다. 무요소방법에서 제안된 일반적인 적응적 절점배치방법의 경우 적분격자를 이용하기 때문에 그 절점의 분포가 평가된 오차를 정확히 반영하지 못하고 불균등한 세분화로 인해 주변 절점분포와 급격한 절점밀도의 차이를 보이게 되어 추가적인 해석오차를 유발한다. 본 연구에서는 평가된 오차의 분포와 적분격자를 따라 구성된 불균등한 초기절점배치를 최적삼각격자 구성기법인 Bubble Mesh 기법을 이용하여 최적화 시키는 적응적 절점구성기법을 제안하였다. 절점의 불균등한 배치에 따른 추가적인 오차의 발생현상을 보이기 위해 1차원 문제를 해석하였고 본 연구에서 제안된 Bubble Mesh 기법을 이용한 적응적 무요소해석법의 적용성을 보이기 위해 2차원 문제를 해석하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제33권2호
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• pp.83-90
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• 2023

최근 전력반도체 소재로 관심을 가지는 Ga₂O₃의 β-상은 열역학적으로 가장 안정한 상을 가지며 4.8~4.9 eV의 넓은 밴드갭과 8 MV/cm의 높은 절연파괴전압을 갖는다. 이러한 우수한 물리적 특성으로 인해 전력반도체 소재로 많은 주목을 받고 있다. β-Ga₂O₃는 SiC 및 GaN의 소재와는 다르게 액상이 존재하기 때문에 액상 성장법으로 단결정 성장이 가능하다. 하지만 성장한 순수 β-Ga₂O₃ 단결정은 전력 소자에 적용하기에는 낮은 전도성으로 인해 의도적으로 제어된 도핑 기술이 필요하며 도핑 특성에 관한 연구가 매우 중요하다. 이 연구에서는 Ga₂O₃ 분말과 SnO₂ 분말의 몰 비율을 다르게 첨가하여 Un-doped, Sn 0.05 mol%, Sn 0.1mol%, Sn 1.5 mol%, Sn 2 mol%, Sn 3 mol%의 혼합분말을 제조하여 EFG(Edge-defined Film-fed Growth) 방법으로 β-Ga₂O₃ 단결정을 성장시켰다. 성장된 β-Ga₂O₃ 단결정의 Sn dopant 함량에 따른 결정 품질 및 광학적, 전기적 특성 변화를 분석하였으며 Sn 도핑에 따른 특성 변화를 광범위하게 연구하였다.

• 한국전산구조공학회논문집
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• 제14권4호
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• pp.525-535
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• 2001

본 연구에서는 무요소법의 일종인 element-free Galerkin 방법(EFGM)을 이용한 새로운 적응적 해석법을 제안하였다. 이 방법의 핵심은 Delaunay 삼각화에 기초를 둔 적분 격자를 기초로 수치적분과 적응적인 절점의 추가 및 소거를 수행하는 것이다. 이러한 적응적 해석법은 적분격자의 분할이나 이를 위한 추가적인 정보에 대한 관리가 필요 없이 간편하게 적응적 해석을 수행할 수 있다. 또한 균열의 진전과 같은 다단계 적응적 해석에 있어서도 매 해석단계별로 평가된 오차에 기초를 둔 최적 해석모델이 Delaunay 삼각화에 의해 구성되도록 하였다. 이러한 특성은 요소의 구성으로부터 자유로운 무요소법의 장점을 최대한 활용하여 해석모델의 구축을 보다 원활하게 수행할 수 있다. 적응적 해석에 기초가 되는 해석 후 오차평가는 계산된 응력과 투영응력과의 차이를 오차로 추정하는 투영응력법을 이용하였다. 균열진전을 포함하는 2차원예제의 해석을 수행한 결과 제안된 해석법의 타당성과 적용성을 입증할 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권9호
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• pp.73-84
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• 2004

본 논문에서는 하드웨어 상에 구현된 암호 프리미티브의 안전성을 위협할 수 있는 부채널 공격의 하나인 단순 전력 분석 (Simple Power Analysis)에 대응하는 알고리즘을 제안하고 이를 하드웨어로 구현하고자 한다. 제시하는 알고리즘은 기존에 알려진 대응 알고리즘보다 스칼라 곱셈 방법이 보다 효율적인 장점이 있다. 기존의 대응 알고리즘은 연산의 종속성 때문에 하드웨어의 장점인 병렬 처리 기법을 효율적으로 적용하기 어려운 단점이 존재한다. 이러한 단점을 보완코자 본 논문에서 제시하는 알고리즘은 동작 성능의 저하를 최소화하기 위해 역원 계산 시간 동안 곱셈 및 제곱 연산을 수행할 수 있도록 구성하였다. 또한 하드웨어 기술 언어인 VHDL(VHSIC Hardware Description Language)로 제안 알고리즘을 구현하여 성능 검증을 수행하였으며 이의 활용을 모색하였다. 하드웨어 합성은 Syplify pro7.0을 사용하였으며, 타겟 칩 Xillinx VirtexE XCV2000EFG1156을 대상으로 하였을 때 전체 등가 게이트는 60,608게이트, 최대 동작 주파수는 약 30Mhz로 산출되었다. 본 논문에서 제시한 스칼라 곱셈기는 전자 서명(Digital Signature), 암호화(Encryption) 및 복호화(Decryption), 키 교환(Key Exchange)등의 핵심 연산으로 사용될 수 있을 것으로 보이며, 자원 제약이 심한 Embedded-Micom 환경에 적용하였을 경우, 단순 전력 분석에 안전하면서 효율적인 연산 기능을 제공할 수 있을 것으로 보인다.

• Journal of Chest Surgery
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• 제34권2호
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• pp.138-147
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• 2001

배경: 폐암발생에 EGF의 자가 분비는 암의 성장과정에 직, 간접적인 영향을 주고 있으며, TNF-$\alpha$는 면역 반응의 급성체로서 폐암의 발생을 억제하고 이미 발생한 폐암종의 치료에도 이용되고 있는 실정이다. 폐암 조직과 혈장에서 epidermal growth factor(EGF)와 tumor necrosis factor-$\alpha$(TNF-$\alpha$)를 면역 방사선 분석법을 이용하여 정량분석 하여 발현 정도를 분석해보고자 하였다. 대상 및 방법: 폐암환자 20례와 양성종양 및 육아종 환자 4례에 대해서 AJCCS에 의한 조직학적 분류와 TNM 분류에 따라 구분하여 절제수술을 받은 환자를 대상으로 수술전 혈액을 채취하고 수술직후 적출한 표본을 암이 없는 건강하다고 판단되는 대조조직과 폐암조직에서 일정량의 조직을 절취하여 액화질소 내에 실험시까지 급속 냉동보관 하였다. 수술후 혈액을 재 채취하여 혈장을 분리하여 냉동고에 검사시까지 보관하였다. EGF의 정량은 Human Epidermal Growth Factor kit(Amersham Phamacia Biotech, England)를 사용하였으며, TNF-$\alpha$ 정량은 TNF-$\alpha$ IRMA kit(Biosouce, Belgium)을 사용하여 IRMA 방법으로 각각 정량분석하여 표현유무를 연구한 결과 다음과 같은 결론을 얻었다. 결과: 1. 대조조직, 양성종양 및 육아종과 폐암 수술전후의 조직과 혈청 모두에서 EGF와 TNF-$\alpha$가 발현되었다. 2. EGF와 TNF-$\alpha$의 농도는 대조조직과 양성종양(0.11$\pm$0.06 ng/ml, 20,3$\pm$9.08 pg/ml)에 비하여 폐암조직(0.13$\pm$0.05 ng/ml, 34.34$\pm$47.74pg/ml)에서 유의하게 높은 농도가 발현되고 있었다. 3. 폐암중 선암조직에서 특히 TNF-$\alpha$(80.92$\pm$104.08 ng/ml)의 발현이 강하게 나타났다. 4. 혈청내의 EGF와 TNF-$\alpha$의 발현되는 양이 조직내의 양보다도 높았다. EGF는 5.7배정도 TNF는 1.3배정도 강하게 표현되었다. 5. 폐암의 조직학적 종류에 따라서 EGF는 거의 차이가 없었으나 TNF-$\alpha$ 정량치에는 차이가 있었다. 6. TNM stage가 진행함에 따라 EGF는 농도가 증가하였고 TNF-$\alpha$는 오히려 감소하는 반대되는 교차현상이 있었다. 7. 수술직후 EGF는 증가하였으나 TNF-$\alpha$는 오히려 감소하였다. 결론: 결론적으로 저자는 암조직과 대조조직간에 EGF와 TNF-$\alpha$의 표현량의 차이가 있음을 관찰하였으며 또한 조직과 혈청사이에도 표현량에 차이가 있으며 조직보다도 오히려 혈청내의 농도가 높다는 사실을 관찰하였다. EFG와 TNF-$\alpha$는 정상조직이나 양성조직과 폐암조직 모두에서 분비작용되는 cytokines으로 세포기능에 따라 다양하게 표현이 되며 계속적인 연구로서 밝혀야만 할 과제라고 판단된다.