The charge-pump circuit which is used to generate higher voltage than the available supply voltage has wide applications such as the flash memory of EEPROM Because the demand for high voltage comes from physical mechanism such as the oxide tunneling, the required pumped voltage cannot be scaled as the power supply voltage is scaled. Therefore, an efficient charge-pump circuit that can achieve high voltage from the available low supply voltage is essential. A new Analog Switch p-well CMOS charge pump circuit without the MOS device body effect is processed. By improve the structure of the circuit's transistors to reduce the threshold voltage shift of the devices, the threshold voltage of the device is kept constant. So, the circuit electrical characteristics are higher output voltage within a shorter time than the conventional charge pump. The propose analog switch CMOS charge pump shows compatible performance of the ideal diode or Dickson charge pump.
Kang, Jin-Suk;Jeon, Young-Jun;Sung, Mee-Young;Shin, Seung-Ho;Jeong, Tai-Keong T.
Journal of information and communication convergence engineering
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v.5
no.4
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pp.389-393
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2007
The distribution of donated blood for medical purpose is an area that presents many challenges. In order to establish a comprehensive solution, the current patterns of distribution must be reviewed and problems related to it need to be clearly understood. This paper introduces 'Radio Frequency Identification (RFID) System', as a potential solution to some of the problems which arise in the process of blood supply distribution, and a way to systematically manage the blood supply. For the various possible RFID systems, the reader and tag must be suitable for the purpose of blood distribution. A database has been designed that can recognize tags and objects in a ubiquitous RFID blood distribution system. In this paper, we design the real-time software to control the RFID reader system and transponder, using the EEPROM memory by RFID. The experimental results confirm that the transmission rate of 3.9kbps for RF is 125 KHz. The electric power usage of transponder chip is $100{\mu}W$, with the recognition distance is about 7cm range.
Park, Heon;Lee, Seung-Hoon;Jin, Kyo-Hong;Ha, Pan-Bong;Kim, Young-Hee
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2015.05a
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pp.832-836
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2015
In this paper, a DC-DC converter is designed for logic process MTP (multi-time programmable) memory IPs using dual program voltage, which are used for analog trimming or storing chip IDs in sensor applications. The DC-DC converter supplies VPP (=5.25V), VNN (=-5.25V), and VNNL ($=2{\cdot}VNN/5$). It uses MOS capacitors and designed with only 3,3V devices. VPP and VNN are configured in two and five stages, respectively. And their pumping currents are $9.17{\mu}A$ and $9.7{\mu}A$, respectively.
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2005.11a
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pp.1375-1378
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2005
향후 국내에서 개발되는 저궤도 관측위성의 고성능 탑재컴퓨터로 유럽에서 자체적으로 개발하여 위성용으로 활용하고 있는 MCM-ERC32 를 사용할 예정이다. MCM-ERC32 는 크게 32-비트 ERC32SC 프로세서와 프로세서의 기능을 보완하고 추가적인 기능들을 제공하기 위해 제작된 ASIC인 VASI(Very Advanced Sparc Interface), 그리고 메모리(SRAM, DRAM, EEPROM, etc.)로 구성되어 있다. 위성의 탑재소프트웨어를 설계 및 개발하는데 있어서 가장 기본적으로 요구되는 기능이 타이머이다. 탑재소프트웨어는 타이머를 통하여 태스크들의 관리와 스케쥴링 등을 수행하게 된다. 위성과 같이 높은 정확도가 요구되는 실시간 임베디드 시스템에서는 타이머의 구현이 매우 중요하다. ERC32SC 프로세서 자체에서도 RTC, GPT(General Purpose Timer), WDT(Watchdog Timer)와 같은 기본적인 타이머 기능을 제공하지만 VASI 에서도 클락과 사이클이라는 개념을 이용한 RTC 를 제공한다. 어느 타이머를 사용하는가는 전적으로 개발자의 선택이다. ERC32SC 프로세서에서 제공하는 타이머는 상용의 임베디드 시스템에서 제공하는 기능과 동일하다. 본 논문에서는 위성탑재소프트웨어 개발에 필요한 RTC 를 설계하기 위한 MCM-ERC32 에서 제공하는 VASI RTC 의 구조와 기능에 대하여 소개하고자 한다.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers A
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v.53
no.6
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pp.316-323
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2004
This paper develops an ADWHM(Advanced Digital Watt-Hour Meter) which integrates and implements the voltage management data record function and the load management data record function in the electronic watt-hour meter. ADWHM is developed based on PIC16F874 which is 8bit micro-controller of RISK type for the easy of programing and maintenance, and electronic power signal processing module is located at front of it to reduce the computing load of processor. Also, a 16kbyte EEPROM is used to record the voltage management data and load management data for a week as well as watt-hour data and USART communication mode is used to transfer data from ADWHM to PC. The accuracy of the voltage and unt measuring for ADWHM is verified by identifying the LCD display values of the ADWHM after the voltage signals of id levels from digital function generator is applied to PT(Potential Transformer) and CT(Current Transformer) output under state which it is separated from real power line. On the its basic functions such as watt-hour data recording function, voltage management data recording function and load management data recording function was verified by showing data for three days among the collected data to PC by RS232C communication from ADWHM which was connected to real power lines for a week.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1998.06a
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pp.79-82
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1998
Film characteristics of thin ONO dielectric layers for MONOS(metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor) EEPRM was investigated by AES and AFM. Second derivative spectra of AES Si LVV overlapping peak provided useful information for chemical state analysis of superthin film. The ONO films with dimension of tunneling oxide 24${\AA}$, nitride 33${\AA}$, and blocking oxide 40${\AA}$ were fabricated. During deposition of the LPCVD nitride films on tunneling oxide, this thin oxide was nitrized. When the blocking oxide were deposited on the nitride film, the oxygen not only oxidized the nitride surface, but diffused through the nitride. The results of ONO film analysis exhibits that it is made up of SiO$_2$(blocking oxide)/O-rich SiON(interface/N-rich SiON(nitride)/-rich SiON(interface)/N-rich SiON(nitride)/O-rich SiON(tunneling oxide).
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1994.05a
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pp.116-119
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1994
The characteristics of the Si-SiO$_2$ interface and the degradation in the short channel(L${\times}$W=1.7$\mu\textrm{m}$${\times}$15$\mu\textrm{m}$) SONOSFET nonvolatile memory devices, fabricated on the basis of the existing n-well CMOS processing technology for 1 Mbit DRAM with the 1.2$\mu\textrm{m}$ m design rule, were investigated using the charge pumping method. The SONOSFET memories have the tripple insulated-gate consisting of 30${\AA}$ tunneling oxide 205${\AA}$ nitride and 65${\AA}$ blocking oxide, The acceleration method which square voltage pulses of t$\_$p/=10msec, Vw=+19V and V$\_$E/=-22V continue to be alternatly applied to gale, was used to investigate the degradation of SONOSFET memories with the write/erase cycle. The degradation characteristics were ascertained by observing the change in the energy and spatial distributions of the interface trap density.
Smart card system is being used in many countries to improve access to their transportation systems. Especially for subway system that typically see high volumes of passengers at specific times of the days, it's critical to find a ray to collect fares without unnecessarily delaying passengers. The card consists of antenna, modulation and demodulation block, power supply module and memory. The antenna receives the power and data signal from reader. The FRAM is used as the inner memory. And it is a non-volatile memory and complements the problems, that is high consumption and low data processing speed, of using conventional EEPROM in the passive smart cart. In this paper, we analyze and design the RF passive smart card to apply to the fare collection for the subway gate system.
본 논문에서는 변위 손상 현상을 이용하는 중성자 탐지소자와 선량계 모듈에 RF 통신 기능을 추가하여 방사선 환경 내에서 내 방사선화 된 로봇에 의해 가동 중인 원자력 밭전소등의 특정 부분에 대하여 실시간에 측정된 방사선량 데이터의 취득이 가능한 모듈을 개발하였다. 기존의 운용중인 발전소에 대한 방사선량은 휴지기간에 탐지소자를 설치하여 다음 휴지기간에 그 탐지소자를 가지고 나와 누적방사선량을 측정하거나, 설치된 탐지소자에서 유선으로 안전한 곳까지 데이터를 취득해 와서 그 값을 분석하여 왔으나, RF 통신 기능이 추가된 모듈은 내 방사선화 된 로봇에 탑재하여 로봇이 가동 중인 발전소 곳곳을 누비며, 설치된 탐지소자로부터 그 방사선량을 취득한 수 있다. 이는 기존의 취득방식에 비해 많은 부분 효율적인 측면이 있으며, 유지보수 비용의 절감을 가져 올 수 있을 것으로 기대된다. 본 연구에서는 RF 통신을 하기 위한 안테나 회로의 설계 기법과 취득한 정보를 EEPROM에 저장하고, 그 저장 데이터를 로봇에 부착된 Reader에 의해 읽을 수 있는 일련의 흐름을 구성하는데 있어 필요한 여러 가지 기술 혹은 기법에 대하여 살펴보았다.
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2010.04a
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pp.190-193
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2010
본 논문은 최근 전세계적으로 유통물류를 비롯한 산업 전반에 걸쳐 RFID(Radio Frequency Identification) 기술이 새로운 성장 동력으로 각광을 받고 있다. 유비쿼터스 시대에서 RFID는 빼놓을 수 없는 시스템 이다. RFID/USN 사업 추진시 공부하는 학생들이 RFID 시스템을 학습하기 위해서 자료를 구할 때는 비밀유지계약서를 체결해야 한다. RFID 시스템을 대부분 수입에 의존하고 있고, 기술 인력도 현재 부족하여 어려움을 겪고 있다. 이런 문제점을 보안하기 위하여 공부하는 학생들이 RFID 시스템을 쉽게 접근할 수 있도록 제작하였다. 여러 가지 규약에 의해 제안되었던 문제점을 해결하는데 의의가 있다. 별도의 RFID 전용칩을 사용하지 않고, 마이크로콘트롤러를 사용하여 저가격 RFID 학습 시스템을 구현하였다. 13.56MHz RFID 시스템의 ISO14443A 읽기/쓰기 방법에 대해 설명하고, HF 대역의 13.56MHz RFID 시스템의 구성에 대해서 소개한다. 구현한 RFID 시스템을 활용하여 응용 프로그램을 제작하여 실습을 진행하였다. RFID 시스템의 구조를 쉽게 이해하기 위하여 각각의 모듈로 분류하여 나누어 제작하였다. 태그의 EEPROM 메모리에 정보가 어떻게 저장 되는지를 학습할 수 있도록 C#을 사용하여 응용 프로그램을 설계 및 구현하여 실습하였다. 학습자가 RFID 시스템이 산업분야에서 어떻게 활용되는지 이해를 돕기 위하여 학생증 발급 시스템을 구현하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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